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国家自然科学基金(6140449)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：武鹏陈卫杜江锋靳翀杨月寒更多>>
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相关领域：自然科学总论更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇自然科学总论

主题

  • 1篇电场
  • 1篇电场分布
  • 1篇解析模型
  • 1篇击穿电压
  • 1篇GAN
  • 1篇场板
  • 1篇场板结构

机构

  • 1篇电子科技大学

作者

  • 1篇伍捷
  • 1篇赵金霞
  • 1篇杨月寒
  • 1篇靳翀
  • 1篇杜江锋
  • 1篇陈卫
  • 1篇武鹏

传媒

  • 1篇电子科技大学...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
具有场板结构GaN HEMT电场分布解析模型被引量：1
2008年
基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。当场板长度LFP与绝缘层厚度tox最优时,GaN HEMT栅极边缘电场峰值可降低至未加场板时的22%;若保持峰值电场恒定,则其漏端电压可由没有场板时的50V提高到加场板后的225V,增幅高出4倍。该解析模型所导出的电场分布与国外新近发表的源于器件方程和经验公式的模拟和实验结果基本吻合,为GaN HEMT器件场板设计提供了理论依据。
杜江锋赵金霞伍捷杨月寒武鹏靳翀陈卫
关键词：解析模型击穿电压电场分布场板GAN
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