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国家自然科学基金(51205082)

作品数:4 被引量:31H指数:2
相关作者:李宇杰王春青史菲李迪王喆更多>>
相关机构:哈尔滨工业大学东北林业大学哈尔滨理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金先进焊接与连接国家重点实验室开放课题研究基金山东省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电路
  • 1篇电路技术
  • 1篇一体化
  • 1篇增材制造
  • 1篇制冷
  • 1篇微加工
  • 1篇微流控
  • 1篇微流体
  • 1篇微流体系统
  • 1篇微通道
  • 1篇温度
  • 1篇温度控制
  • 1篇温度控制系统
  • 1篇铝硅
  • 1篇控制系统
  • 1篇集成电路
  • 1篇集成电路技术
  • 1篇集成装置
  • 1篇功率
  • 1篇半导体制冷

机构

  • 4篇哈尔滨工业大...
  • 1篇东北林业大学
  • 1篇哈尔滨理工大...
  • 1篇北京遥感设备...

作者

  • 4篇李宇杰
  • 1篇李迪
  • 1篇史菲
  • 1篇常进
  • 1篇张鹏
  • 1篇王春青
  • 1篇王子瑜
  • 1篇李长光
  • 1篇王喆

传媒

  • 2篇河北科技大学...
  • 2篇精密成形工程

年份

  • 2篇2018
  • 1篇2015
  • 1篇2014
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
微流控技术及其应用与发展被引量:27
2014年
微流控技术广泛应用于生化分析、疾病诊断、微创外科手术、环境检测等领域。微通道结构的设计与制造、微纳尺度流体的驱动与控制、微流控器件及系统的集成与封装是该领域的3大关键技术。本文综述了微流控技术在这3个方面的发展现状及在不同领域中的应用,展望了微流控技术的发展前景,指出多相微流体的介观传输理论及跨尺度流体的性质将是今后研究的重点与热点。
李宇杰霍曜李迪唐校福史菲王春青
关键词:微流控微通道微流体系统
基于Arduino的互联电路一体化增材制造系统
2018年
目的针对金属电路尤其是易氧化的金属电路,设计并实现一种基于Arduino的互联电路一体化增材制造系统,完成系统软硬件的设计开发。方法该系统集成了原位成形、原位烧结、原位加热、原位辐照还原和原位气体保护装置,可以使互联电路的成形、烧结和改性一步完成,实现互联电路的一体化制造。通过搭建样机,并根据被打印金属材料的特性调试相应的打印参数,最终制备出实际互联电路。结果互连电路的最小线宽约为1 mm,线宽均匀性好,无桥连;直角位置垂直度较好且没有发生变形;所得电路结构致密,未出现空洞等缺陷。结论经测试,采用自制纳米铜导电墨水制备、未经管式炉烧结的电路,其电阻率小于200μ?·cm,导电性良好,表面有金属光泽;采用市售纳米银浆制备的导电线路在膜厚小于30μm时,方块电阻小于5 mΩ/。
刘淑杰刘长林赵云桐张鹏李宇杰
关键词:增材制造ARDUINO
三维打印成型铝硅合金制件的性能及表面处理
2018年
目的研究三维打印成型铝硅合金制件的性能及表面导电氧化处理后的表面质量与形貌。方法采用激光选区熔化技术打印Al Si10Mg制件,分别测量其成分、密度和抗拉强度,将其性能与铸铝104块体材料进行比较;并对打印成型的Al Si10Mg制件进行表面导电氧化处理,测试分析处理前后的表面粗糙度和表面形貌,对比平面和弧面打印样品的表面质量。结果三维打印的Al Si10Mg制件密度略小于铸铝104体材料,抗拉强度则较高,达到440 MPa。经过表面导电氧化处理之后,在钝化层中产生裂纹。弧面样品的表面粗糙度较大,为2~5μm,表面裂纹的宽度和分布都不均匀;平面样品的表面粗糙度较小为1~2μm,裂纹宽度在800 nm^1μm,分布均匀,形成尺寸为1~2μm且均匀分布的岛状结构。结论三维打印Al Si10Mg制件强度高,可以作为承载力的结构件,并且通过对其进行表面处理,获得了具有潜在应用价值的表面微纳结构。
王喆牛晨旭刘娟魏敏和程军梅黄璐洋李宇杰
基于半导体制冷的大功率LED温度控制系统被引量:4
2015年
采用半导体制冷技术对大功率LED主动散热,设计并搭建了以微控制器(STC89C52)和半导体制冷器(TECI-12703)为核心的大功率LED温度控制系统,实现了温度的测量、显示、设置及控制。该温控系统的控制部分输出不同占空比的PWM波,控制半导体制冷片驱动电流的大小,从而达到不同的制冷效果,完成温度控制。实验结果表明,当环境温度为22~25℃时使用该系统对7×3W的LED模组进行温度控制,可使LED模组的基板温度稳定在40~70℃。LED基板的上、下极限温度分别设置为64℃和65℃时,实际制冷所消耗的功率只有LED工作功率的27%。该系统制冷速度可达14℃/min,温度波动仅为±0.5℃,满足LED散热的需要。
李长光李宇杰王子瑜王喆常进霍曜
关键词:集成电路技术大功率LED温度控制半导体制冷PWM
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