国家自然科学基金(50777001)
- 作品数：3 被引量：18H指数：2
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- 基于电流源驱动的MOSFET管损耗模型及分析被引量：7
- 2010年
- 对于以电压源方式驱动功率MOSFET管,随着开关频率的提高,其开关损耗将显著增加。以此为切入点对电流源驱动功率MOSFET管进行了研究。在对电流源驱动MOSFET管原理性分析的基础上,通过详细地分析功率MOSFET管的开关过程,建立MOSFET管开关损耗模型,求解得到漏极电流、漏源电压与栅源电压之间关系,证明了电流源驱动在减少开关时间和开关损耗上的优越性。在开关频率为1 MHz、输入电压为12 V、输出电压和电流分别为1.3 V和25 A的低压大电流实验平台上进行了验证,实验结果证明了所提出的MOSFET管损耗模型的正确性。
- 陈宗祥束林刘雁飞葛芦生
- 关键词：MOSFET损耗分析BUCK变换器低压大电流
- MOSFET电流源驱动原理及实现
- 在开关电源中,随着开关频率的提高,开关器件MOSFET的开关损耗也相应增加。目前大多数都是采用电压源的驱动方法,此驱动方法存在Miller效应、开关时间长、开关损耗大等一些缺点。本文对电流源驱动原理进行了分析,并以BUC...
- 王仲娟葛芦生王文娟郝玲玲陈志杰束林
- 关键词：MOSFET
- 文献传递
- SPWM逆变器单极性控制方式的实现被引量：2
- 2010年
- 逆变电源因其变换效率高、体积小、重量轻而得到广泛的应用,介绍了一种基于SG3525控制芯片、工作于单极性SP-WM(Sinusoidal Pulse Width Modulation)调制方式的单相电压型逆变器,利用SG3525芯片及其外围辅助电路产生四路SPWM脉冲,控制逆变桥在输出电压的前半周期桥臂1工作于高频状态,桥臂2工作于低频状态;而在后半周期内逆变器的桥臂1工作于低频状态,桥臂2工作于高频状态。采用这种控制方式相对简单,同时可以减少器件的开关次数,降低器件开关损耗,提高逆变的效率。仿真分析和实验结果验证了理论分析与设计的正确性。
- 赵卫东葛芦生
- 关键词：逆变器SG3525正弦脉宽调制仿真
- 基于交错并联Buck变换器新型驱动电路的研究被引量：10
- 2010年
- 传统的电压源驱动MOSFET的方式,开关损耗会随着开关频率的增加而显著增加。交错并联技术能够以较低的开关频率实现高频输出电压波动,具有纹波互消、相间分流等优点。在此将一种新型的电流源驱动电路应用于交错并联技术的Buck主电路,在对电路损耗进行详细分析的基础上,设计了在开关频率1 MHz、输入5 V条件下,实现输出1.3 V/20A的电路拓扑,达到了较小电压纹波输出和较高装置效率的要求。
- 束林陈宗祥刘雁飞葛芦生
- 关键词：变换器驱动电路电流源开关损耗
