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中国科学院知识创新工程(KJCX2-SW-04-02)

作品数：5 被引量：30H指数：3
相关作者：林碧霞傅竹西朱俊杰孙贤开姚然更多>>
相关机构：中国科学技术大学更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 3篇发光
  • 2篇异质结
  • 2篇应力
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 1篇氧化锌薄膜
  • 1篇英文
  • 1篇增强型
  • 1篇三极管
  • 1篇紫外
  • 1篇肖特基
  • 1篇结构特性
  • 1篇晶格
  • 1篇晶格失配
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼光谱
  • 1篇光电
  • 1篇光电三极管
  • 1篇光谱
  • 1篇AU

机构

  • 5篇中国科学技术...

作者

  • 4篇傅竹西
  • 4篇林碧霞
  • 3篇朱俊杰
  • 2篇姚然
  • 2篇孙贤开
  • 1篇赵国亮
  • 1篇马泽宇
  • 1篇段理
  • 1篇郭俊福
  • 1篇张杨
  • 1篇何广宏
  • 1篇刘磁辉
  • 1篇苏剑锋
  • 1篇付竹西
  • 1篇谢家纯

传媒

  • 4篇Journa...
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
应力对ZnO/Si异质结构的光致发光的影响(英文)被引量：2
2006年
研究了ZnO薄膜中应力对发光的影响.实验样品为ZnO体单晶、在Si基片上直接生长的ZnO薄膜以及通过SiC过渡层在Si基片上生长的ZnO薄膜.测量了这三种样品的X射线衍射图形、喇曼光谱和光致发光光谱.由X射线衍射图形可以看出,由于SiC过渡层缓解了ZnO与Si之间的晶格失配,使得通过SiC过渡层在Si上生长的ZnO薄膜的结晶质量好于直接在Si上生长的ZnO薄膜的质量.进一步通过喇曼谱测量发现,与ZnO体单晶相比,直接在Si上生长的ZnO薄膜的E2(high)峰红移1.9cm-1,根据喇曼谱峰位移与应力的关系可以推出薄膜中存在0.4GPa的张应力;而通过SiC过渡层在Si上生长的ZnO薄膜的E2(high)峰红移0.9cm-1,对应着0.2GPa的张应力.对照X射线衍射图形的结果可以看出,薄膜中张应力的大小与薄膜的结晶质量密切相关,表明张应力来源于外延层和基片间的晶格失配,晶格失配越大,外延层中产生的张应力越大.有无SiC过渡层的两种薄膜样品的PL光谱中都存在紫外和绿光两种谱带,随样品热处理时氧气分压增加,两种样品都出现绿光增强的相似的变化规律,但有SiC过渡层的样品的变化幅度较小.这一结果说明,绿色发光中心与薄膜的质量,也就是与薄膜中存在的张应力大小有关.在以往研究中得出的非故意掺杂ZnO薄膜的绿色发光中心来源于氧反位缺陷(OZn),文中研究的结果正好可以解释氧反位缺陷形成的原因.由于薄膜中存在张应力,使得样品的能量升高,其结果必然会产生缺陷来释放张应力,以便降低系统能量.而氧离子半径大于锌离子半径,氧替位锌有利于释放张应力,也就是说,在存在张应力的情况下,OZn的形成能降低.这一结果进一步证明Si上生长的ZnO薄膜中的绿色发光中心与氧反位缺陷有关.
傅竹西孙贤开朱俊杰林碧霞
关键词：光致发光晶格失配
Au/n-ZnO/p-Si结构的紫外增强型光电三极管的研制(英文)被引量：1
2006年
研究和制作了一种新型Au／n-ZnO／p-Si结构的肖特基发射极、异质结集电极紫外增疆双极型光电三极管．分析了器件原理，测试了I-V特性、C-V特性以及器件的光谱响应，从200到400nm的紫夕流响应灵敏度得到明显增强而对大于400nm的可见光的响应特性得到保留。实验显示Au／n-ZnO／p-Si结构的紫外增强型的光电三极管对紫外光的响应明显增强，对371nm波长的紫外光的灵敏度是普通n-ZnO／p-Si异质结紫外光电二极管道的5～10倍．
郭俊福谢家纯段理何广宏林碧霞傅竹西
关键词：肖特基异质结
LP-MOCVD异质外延ZnO薄膜中的应力及对缺陷的影响被引量：19
2005年
利用低压金属有机化学气相淀积(LP MOCVD)在Si基片上外延生长ZnO薄膜,制备了两类样品一类是在Si上直接外延ZnO,另一类是在Si上通过SiC过渡层来外延ZnO.根据两类样品的拉曼光谱、x射线衍射、原子力显微图和光致发光的结果,表明ZnO外延薄膜中的张应力对薄膜的结晶状况有着重要的影响,使用SiC过渡层能够有效缓解ZnO薄膜中的张应力,减小缺陷浓度,提高ZnO外延层的质量;然后根据缺陷的形成机制进一步提出,对于ZnO Si,其中较大的张应力导致了高浓度的非辐射复合缺陷的形成,使得样品的紫外和绿峰的发射强度均大大降低;对于ZnO SiC Si,其中较小的张应力导致ZnO薄膜中主要形成氧替位缺陷OZn,从而使发光中的绿峰增强.
孙贤开林碧霞朱俊杰张杨傅竹西
关键词：氧化锌薄膜拉曼光谱
硅基氧化锌薄膜中的发光和复合中心被引量：3
2007年
报道了用MOCVD方法制备的硅基ZnO薄膜中的中性施主-价带D0h发光.ZnO/p-Si结构经空气中700℃退火1h,然后进行X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱和I-V特性测量.实验得到不同载气流量制备的样品都具有整流特性.深能级瞬态谱(DLTS)测量探测到各样品中存在两个施主深能级E1和E2.相应的室温PL谱测量显示样品近带边发射包含不同的发光线.利用高斯拟合方法,样品S2a的PL谱分解为三条发光线b,c和d,其中发光线b可归结为ZnO中的激子发射;DLTS测量得到的施主能级E1与发光线c和d的局域态电离能Ed相关,为D0h中心.此外,实验揭示E2能级的相对隙态密度与PL谱的发光强度成反比,表明深能级E2具有复合中心性质.
刘磁辉姚然苏剑锋马泽宇付竹西
关键词：MOCVD异质结
ZnO/SiC/Si(111)异质外延被引量：6
2004年
使用 Si C作为过渡层 ,采用自行设计建造的连通式双反应室高温 MOCVD系统很好地克服了 Zn O和 Si C生长时的交叉污染问题 ,在 Si基片上外延出高质量的 Zn O薄膜 .测量了样品的 XRD和摇摆曲线 ,以及室温下的 PL谱 .实验结果表明 ,Si C过渡层的引入大大提高了 Zn O薄膜的质量和发光性能 ,并有望实现在 Si上制备 Zn O单晶薄膜 .
朱俊杰林碧霞姚然赵国亮傅竹西
关键词：结构特性光致发光
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