教育部留学回国人员科研启动基金(2006164)
- 作品数：2 被引量：4H指数：2
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- 聚(3-己基)噻吩薄膜中电荷传导的研究被引量：2
- 2007年
- 对两种具有相同化学结构的聚(3-己基)噻吩膜进行了电荷传导研究以检验膜的结构对载流子迁移率的影响.一种膜是由3-己基噻吩单体经电化学合成直接制备的膜(原位生长膜);另一种膜是将原位生长膜溶于三氯甲烷后重新滴涂而成的(滴涂膜).研究表明,虽然两种膜的制备方法不一样,但在最低(0.02%)和较高(20%～30%)掺杂率下两膜中的载流子迁移率相一致;然而在中等掺杂率区域,两膜中的载流子迁移率明显不同.对于原位生长膜,载流子迁移率在低掺杂区域几乎保持不变,当掺杂率大于1%后开始上升;而在滴涂膜中,随着掺杂率的增加,迁移率先下降然后迅速升高.上述两种迁移率变化特征分别与以前研究中观察到的电化学合成高分子膜和化学合成高分子旋涂或滴涂膜中迁移率的变化特征相一致,表明了迁移率随掺杂率变化特征的改变是由膜的结构变化而引起的.
- 蒋晓青
- 关键词：电解合成迁移率
- 一系列单硅烷-寡聚噻吩共聚高分子膜中电荷传导研究被引量：3
- 2007年
- 研究了一系列由单硅烷和寡聚噻吩组成的共聚高分子膜(PSnT,n表示寡聚噻吩单元中噻吩环的个数)在较宽掺杂率范围内载流子的迁移率变化规律.结果表明,掺杂率极低(<0·2%)时各膜中的载流子迁移率接近,几乎不受n的影响;随着膜的掺杂率的增加,各PSnT膜中的迁移率相继增大,n增大,迁移率在更低的掺杂率处开始增大,其增幅随着n的增加而增大.PS14T迁移率的增幅超过4个数量级,已与电化学合成的聚噻吩膜中观察到的迁移率增幅相当,表明此共聚物中的π-共轭长度已足以再现聚噻吩传导性能.
- 蒋晓青播磨裕
- 关键词：迁移率共聚物掺杂
