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山西省自然科学基金(200330)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：王辉杨型健刘淑平更多>>
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇异质结
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇溅射
  • 1篇SIGE异质...
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 1篇太原科技大学

作者

  • 1篇刘淑平
  • 1篇杨型健
  • 1篇王辉

传媒

  • 1篇红外与激光工...

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
磁控溅射SiGe异质结的薄膜分析被引量：1
2007年
膜层生长不均匀是制备SiGe异质结的研究热点。采用射频磁控溅射方法,通过不断改变溅射时的实验参数,寻找能使Ge纳米薄膜在Si基片上均匀生长的溅射实验条件。实验中,在不同时间条件下分别制备了三种纳米Ge薄膜,通过原子力显微镜对其微观形貌的分析扫描,可以观察到纳米薄膜生长过程中的四个典型阶段,发现Ge/Si的共度生长取得了较好的结果,为SiGe异质结的进一步制备研究奠定了一定的实验基础。
王辉杨型健刘淑平
关键词：异质结射频磁控溅射
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共1页<1>
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