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国家自然科学基金(10974043)

作品数:7 被引量:10H指数:2
相关作者:张红梅刘德李玉现贾秀敏翟利学更多>>
相关机构:河北师范大学河北科技大学河北省新型薄膜材料实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金河北省自然科学基金博士科研启动基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 7篇理学

主题

  • 3篇输运
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇隧穿
  • 2篇自旋
  • 2篇自旋轨道
  • 2篇自旋轨道耦合
  • 2篇RASHBA...
  • 2篇MAJORA...
  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇电阻
  • 1篇势垒
  • 1篇势阱
  • 1篇输运特性
  • 1篇束缚态
  • 1篇双量子点
  • 1篇隧穿磁电阻
  • 1篇隧道结
  • 1篇自旋极化

机构

  • 4篇河北师范大学
  • 3篇河北科技大学
  • 2篇河北省新型薄...
  • 1篇邯郸学院
  • 1篇石家庄学院
  • 1篇河北民族师范...

作者

  • 3篇张红梅
  • 2篇李玉现
  • 2篇刘德
  • 1篇贾秀敏
  • 1篇刘建军
  • 1篇翟利学
  • 1篇王素新
  • 1篇史淑惠
  • 1篇王宁
  • 1篇冯树波

传媒

  • 2篇物理学报
  • 2篇Chines...
  • 1篇河北师范大学...
  • 1篇科技导报
  • 1篇河北科技大学...

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
耦合Majorana束缚态T形双量子点中的Andreev反射被引量:1
2016年
研究了连接在正常金属电极和超导电极之间的耦合Majorana束缚态(MBSs)T形双量子点结构中的Andreev反射.研究发现,对于T形双量子点结构,当入射能量等于边耦合量子点能级时Andreev反射电导出现Fano振荡,连接MBSs之后,零费米能附近出现一对新的Fano型振荡峰.如果忽略两个MBSs之间的相互作用,零费米能点的Andreev反射电导为定值1/2G_0(G_0=2e^2/h),不受量子点能级、双量子点之间耦合强度以及量子点与MBSs之间的耦合强度的影响.此外,在没有耦合MBSs的T形双量子点结构中,调节双量子点间的耦合强度可以使零费米能附近的Andreev反射电导出现由共振带向反共振带的转变,而耦合MBSs之后,又可以使反共振消失转而出现新的共振峰.
王素新李玉现王宁刘建军
关键词:双量子点ANDREEV反射
Resonant Andreev reflection in a normal-metal/quantum-dot/superconductor system with coupled Majorana bound states
2016年
Andreev reflection (AR) in a normal-metal/quantum-dot/superconductor (N-QD-S) system with coupled Majorana bound states (MBSs) is investigated theoretically. We find that in the N--QD-S system, the AR can be enhanced when coupling to the MBSs is incorporated. Fano line-shapes can be observed in the AR conductance spectrum when there is an appropriate QD-MBS coupling or MBS-MBS coupling. The AR conductance is always e2/2h at the zero Fermi energy point when only QD--MBSs coupling is considered. In addition, the resonant AR occurs when the MBS-MBS coupling roughly equals to the QD energy level. We also find that an AR antiresonance appears when the QD energy level approximately equals to the sum of the QD-MBS coupling and the MBS-MBS coupling. These features may serve as characteristic signatures for the probe of MBSs.
王素新李玉现刘建军
石墨烯双势垒结构中的输运特性被引量:4
2011年
利用Landauer-Büttiker散射理论和传递矩阵方法研究了单层石墨烯双势垒结构中的隧穿几率和电导。计算结果表明:即使存在克莱因隧穿效应,单层石墨烯双势垒结构中的量子隧穿仍然与势阱宽度和势垒高度密切相关。隧穿几率和电导表现出复杂的振荡行为,振荡的振幅和周期敏感地依赖于势阱宽度、势垒高度、电子的入射能量和入射角度。因此,可以通过改变系统的结构参数对单层石墨烯双势垒结构中的电子输运性质进行控制。
张红梅
关键词:石墨烯隧穿DIRAC方程
磁场调制下单层石墨烯势垒结构的隧穿特性
2012年
利用传递矩阵方法,在多方势垒基础上,采用渐近手段,研究了单层石墨烯不同势垒结构(方势垒和劈形势垒)的隧穿特性,结果发现势垒形状影响隧穿特性.对于2种形状的势垒结构,无论是透射系数还是平均电导率,既展现出相同的特点,又有明显不同之处.通过比较透射系数与平均电导率,得出各自的特点,为实际设计纳米器件提供理论基础.
史淑惠冯树波李玉现
关键词:石墨烯方势垒电导率
双势垒磁性隧道结中电子的自旋极化输运被引量:2
2010年
采用相干量子输运理论和传递矩阵方法,数值计算了两端具有铁磁接触的双势垒异质结构(F/DB/F)中自旋相关的隧穿概率和自旋极化率。结果表明,隧穿概率和自旋极化率随阱宽的增加发生周期性振荡,且振荡周期不随垒厚变化;隧穿概率和自旋极化率的振荡频率随Rashba自旋轨道耦合强度的增加而增大;隧穿概率和自旋极化率的振幅和峰谷比强烈依赖于两铁磁电极中磁化方向的夹角。与铁磁/半导体/铁磁(F/S/F)磁性隧道结中的结果相比,发现随着垒厚的增加,隧穿概率和自旋极化率的峰谷比增大,自旋极化率的取值明显增大,并出现自旋劈裂和自旋翻转现象。
刘德张红梅翟利学
关键词:自旋极化输运RASHBA自旋轨道耦合
对称抛物势阱磁性隧道结中的自旋输运及磁电阻效应被引量:3
2011年
研究了两端具有铁磁接触的对称抛物势阱磁性隧道结(F/SPW/F)中自旋相关的隧穿概率和隧穿磁电阻,讨论了量子尺寸效应和Rashba自旋轨道耦合作用对自旋极化输运特性的影响.研究结果表明:隧穿概率和隧穿磁电阻随抛物势阱宽度的增加发生周期性的振荡.抛物势阱深度的增加减小了隧穿概率和隧穿磁电阻的振荡频率.Rashba自旋轨道耦合强度的增加加大了隧穿概率和隧穿磁电阻的振荡频率.隧穿概率和隧穿磁电阻的振幅和峰谷比强烈依赖于两铁磁电极中磁化方向的夹角.
刘德张红梅贾秀敏
关键词:磁性隧道结RASHBA自旋轨道耦合隧穿磁电阻
Transport properties through double-magnetic-barrier structures in graphene
2011年
We study electrons tunneling through a double-magnetic-barrier structure on the surface of monolayer graphene. The transmission probability and the conductance are calculated by using the transfer matrix method. The results show that the normal incident transmission probability is blocked by the magnetic vector potential and the Klein tunneling region depends strongly on the direction of the incidence electron. The transmission probability and the conductance can be modulated by changing structural parameters of the barrier, such as width and height, offering a possibility to control electron beams on graphene.
王素新李志文刘建军李玉现
关键词:CONDUCTANCEGRAPHENE
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