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一种GaAs基HEMT低噪声放大器的设计实现被引量：2: 2010年; 采用GaAs标准高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺设计了一种低噪声放大器。放大器由4级4指双栅槽结构HEMT器件级联构成。0.25μm栅线条的选用保证器件有低的噪声系数和较高的增益。通过在HEMT的源极串联电感和选择MIM电容微带线实现了放大器输入级、中间级、输出级之间的最佳匹配网络。芯片测试结果表明,所设计低噪声反放大器在34 GHz频率下的小信号增益大于22 dB,噪声系数小于1.8 dB,具有10 dBm的饱和输出功率且线性度较好。该设计方法实现了低噪声、高增益、低功耗放大器的性能要求。; 刘春娟王永顺吴蓉梁龙学; 关键词：高电子迁移率晶体管低噪声放大器阻抗匹配微带线

电子科学与技术专业实验实践教学的探索被引量：12: 2010年; 实验与实践教学是高等教育结构中的重要组成部分,系统介绍了兰州交通大学电子科学与技术专业的实验与实践教学体系。首先从电子科学与技术专业实践教学体系构建入手,接着通过基础课程实践平台、专业课程实践平台和生产实践教学平台3个方面论述了实验与实践教学方法的改革情况,并总结了改革与实践所取得的一些成绩和经验。; 刘春娟王永顺; 关键词：电子科学与技术实践教学

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