安徽省自然科学基金(KJ2010A342)
- 作品数：2 被引量：7H指数：1
- 相关作者：刘雁飞陈宗祥葛芦生束林潘三博更多>>
- 相关机构：安徽工业大学安阳师范学院更多>>
- 发文基金：安徽省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于电流源驱动的MOSFET管损耗模型及分析被引量：7
- 2010年
- 对于以电压源方式驱动功率MOSFET管,随着开关频率的提高,其开关损耗将显著增加。以此为切入点对电流源驱动功率MOSFET管进行了研究。在对电流源驱动MOSFET管原理性分析的基础上,通过详细地分析功率MOSFET管的开关过程,建立MOSFET管开关损耗模型,求解得到漏极电流、漏源电压与栅源电压之间关系,证明了电流源驱动在减少开关时间和开关损耗上的优越性。在开关频率为1 MHz、输入电压为12 V、输出电压和电流分别为1.3 V和25 A的低压大电流实验平台上进行了验证,实验结果证明了所提出的MOSFET管损耗模型的正确性。
- 陈宗祥束林刘雁飞葛芦生
- 关键词：MOSFET损耗分析BUCK变换器低压大电流
- SiC结型场效应功率晶体管特性及其驱动设计
- 2012年
- SiC结型场效应功率晶体管(JFET)是目前较成熟的宽禁带功率半导体,具有良好的电气性能。但在使用过程中,JFET存在常态下开通的特性与开关时du/dt对驱动电压影响较大的问题。在分析器件等效电路的基础上,从理论上讨论了du/dt对驱动电压的影响,并提出一种驱动电路。该驱动电路采用电平转化电路及有源吸收电路,实现了控制电路信号与SiC器件驱动信号逻辑电平匹配;同时,在高速开关时,能有效减小容性电流对驱动电压的影响,可靠开关SiC器件。最后,给出了驱动信号、驱动电压变化及器件开关过程的实验波形,证明了驱动电路的有效性。
- 李正力潘三博陈宗祥
- 关键词：宽禁带驱动电路
