国家自然科学基金(90201038)
- 作品数：36 被引量：324H指数：10
- 相关作者：叶志镇赵炳辉傅竹西朱丽萍林碧霞更多>>
- 相关机构：浙江大学中国科学技术大学中国科学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- ZnO薄膜肖特基二极管的研制(英文)被引量：5
- 2004年
- 采用直流反应磁控溅射的方法 ,在Al Si(1 0 0 )衬底上沉积了ZnO晶体薄膜。利用Al和Pt作为与ZnO接触的欧姆电极与肖特基电极 ,制作了ZnO薄膜肖特基二极管。X射线衍射测试结果表明ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向。原子力显微分析表明 :样品表面光洁平整 ,晶粒尺寸约 1 0 0nm ,扩展电阻分析表明ZnO薄膜的厚度为 0 4 μm ,载流子浓度为 1 8× 1 0 1 5cm- 3,此后的霍尔测试证实了这一结果并说明ZnO的导电类型为n型。室温下的I V测试显示ZnO肖特基二极管具有明显的整流特性。Pt与n型ZnO接触的势垒高度为 0 5 4eV。文中的ZnO肖特基二极管为首次研制的原型器件 ,其性能可以通过器件结构与制作工艺的进一步优化而得到改善。
- 叶志镇李蓓黄靖云袁国栋赵炳辉
- 关键词：ZNO薄膜
- SiO_2/Si衬底制备ZnO薄膜及表征被引量：4
- 2005年
- 本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长ZnO外延薄膜。引入高阻非晶SiO2缓冲层,有效地降低了检测过程中单晶衬底对ZnO薄膜的电学性能影响。利用XRD,SEM,Hall和PL对其进行研究。结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的ZnO薄膜具有优良的晶体质量,电学性能和发光性能。
- 曹亮亮叶志镇张阳朱丽萍张银珠徐伟中赵炳辉
- 关键词：ZNO薄膜SIO2/SI脉冲激光沉积光致发光
- 铝氮共掺制备p型ZnO薄膜的电学性能研究被引量：5
- 2004年
- 本文通过直流反应磁控溅射 ,采用Al+N共掺的方法在N2 O—O2 气氛下制备p型ZnO薄膜。结果表明 ,衬底温度为 5 0 0℃时共掺所得p型ZnO的载流子浓度最高 ,并且比单独掺氮时高近 3个数量级。本文还讨论了生长气氛对薄膜电学性能的影响 ,当衬底温度为 5 0 0℃时 ,在纯N2 O气氛下制备的p型ZnO的空穴浓度最高 ,为 7 5 6× 10 17cm-3 ,同时薄膜的电阻率和载流子的迁移率分别为 94 3Ω·cm和 0 0 9cm2 V-1s-1。
- 张正海叶志镇朱丽萍赵炳辉诸葛飞吕建国
- 关键词：ZNO薄膜掺氮载流子浓度衬底温度直流反应磁控溅射
- ZnO∶Al/p-Si的接触特性被引量：1
- 2005年
- 利用射频磁控溅射制备了ZnO:Al/p-Si接触,并对其进行C-V和I-V特性的77～350 K变温测量.并对未热退火和800℃热退火两种样品的测量结果进行了对比分析.结果发现,未经热退火和经过热退火处理的样品在C-V和I-V特性上有很大差别.解释了两种样品的C-V和I-V测量结果的不同.对于未退火的样品,由于界面处的大量界面态的屏蔽作用,使得ZnO:Al/p-Si异质结的C-V曲线发生畸变.经800℃热退火,ZnO:Al/p-Si异质结的C-V特性恢复正常,说明热退火已经消除了异质结中的界面态和缺陷态.研究表明ZnO:Al/p-Si异质结经适当热退火处理有更好的整流特性同时对光致发光也更有利.
- 刘磁辉段理林碧霞刘秉策雷欢蔡俊江傅竹西
- 关键词：界面态
- 溶胶-凝胶提拉法制备ZnO薄膜及其性能研究被引量：12
- 2004年
- 采用溶胶 凝胶提拉法在石英玻璃衬底上生长了ZnO薄膜。对薄膜的XRD分析表明ZnO薄膜为纤锌矿结构并沿c轴择优取向生长。透射光谱表明薄膜的禁带宽度为 3 2 8eV ,与ZnO体材料的禁带宽度 3 30eV基本相同。用荧光光谱分析了经过 4 0 0～ 6 0 0℃热处理获得的ZnO薄膜 ,结果表明ZnO薄膜在室温下可获得较强的紫外带边发射。适当选择热处理温度可以获得无可见波段发射的ZnO薄膜。
- 宋永梁季振国王泉香向因叶志镇
- 关键词：ZNO薄膜荧光光谱透射光谱半导体材料
- N-Al共掺ZnO薄膜的p型传导特性被引量：16
- 2005年
- 利用直流反应磁控溅射技术制得N Al共掺的p型ZnO薄膜,N2O为生长气氛.利用X射线衍射(XRD),Hall实验,X射线光电子能谱(XPS)和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究.结果表明,薄膜中Al的存在显著提高了N的掺杂量,N以N Al键的形式存在.N Al共掺ZnO薄膜具有优良的p型传导特性.当Al含量为0.15wt%时,共掺ZnO薄膜的电学性能取得最优值,载流子浓度为2.52×1017cm-3,电阻率为57.3Ω·cm,Hall迁移率为0.43cm2/(V·s).N Al共掺p型ZnO薄膜具有高度c轴取向,在可见光区域透射率高达90%.
- 吕建国叶志镇诸葛飞曾昱嘉赵炳辉朱丽萍
- 关键词：直流反应磁控溅射
- 碳化气体引入温度对3C-SiC薄膜生长的影响(英文)
- 2007年
- 通过低压化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长了高度择优取向的3C-SiC (100)薄膜。SiC (200)峰的摇摆曲线表明SiC薄膜的结晶质量随着丙烷气体引入温度(Tgi)的升高而增加。选区电子衍射像表明高Tgi下生长的薄膜比低Tgi下生长的薄膜具有更好的取向。典型的SiC薄膜高分辨像中观察到了孪晶和层错。表面场发射扫描电镜像表明随着Tgi的升高,SiC薄膜的表明形貌发生了改变。
- 郑海务郭凤丽苏剑峰顾玉宗张华荣傅竹西
- 关键词：微结构表面形貌
- ZnO薄膜p型转变的难点及解决新方法被引量：6
- 2004年
- 论述了ZnO薄膜p型转变的难点及其解决方法的最新研究进展,并讨论了Al+N+H共掺杂生长p-ZnO膜的掺杂机制,提出多层缓冲层生长工艺以实现p-ZnO薄膜的可控掺杂,进而优化薄膜性能。
- 曾昱嘉叶志镇袁国栋黄靖云赵炳辉朱丽萍
- 关键词：ZNO薄膜氧化锌载流子迁移率半导体
- Al、N共掺杂实现ZnO的p型转变及其掺杂机理探讨被引量：8
- 2004年
- 利用直流反应磁控溅射以Al、N共掺杂的方法生长p -ZnO薄膜。ZnO薄膜沉积于具有不同衬底温度的玻璃或Si衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来源于AlxZn1-x(x =0 0 8% )靶材。利用XRD、XPS、Hall测试对其性能进行了分析。结果表明 ,用Al、N共掺杂的方法可以得到c轴择优取向的p型ZnO薄膜 ,载流子浓度为 (10 14 ～ 10 15)cm-3 ,电阻率为 (1 5 4～3 4 3)× 10 3 Ω·cm ,迁移率为 (1 16～ 4 6 1)cm2 /V·s。由Al、N共掺杂和仅掺N的两种情况下ZnO薄膜的N1s的XPS图谱可以推断出 ,N的掺入可能是以Al-N键的形式存在 ,而且Al的存在促进了N原子作为受主的掺入。
- 钱庆叶志镇袁国栋朱丽萍赵炳辉
- 关键词：ZNO薄膜共掺杂SI衬底载流子浓度直流反应磁控溅射衬底温度
- 溶胶-凝胶提拉法制备日盲型紫外探测器
- 日盲型紫外探测器已经应用在多个领域,如导弹尾焰探测,高压输电线路上的电弧探测,化学药品引起的火灾报警等。目前,日盲型紫外探测器主要由Si,SiC,和GaAIN等,其中GaAIN系列最为成熟。氧化镓是一种禁带宽度ompar...
- 季振国杜鹃范镓王玮孙兰侠何作鹏
- 关键词：溶胶凝胶氧化镓紫外探测器日盲
- 文献传递
