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高效蓝紫光器件的实现:苯撑与硅芴共聚物同聚硅芴共混被引量：2: 2006年; 以苯撑与硅芴共聚物(PSiF6-PPP)同聚硅芴(PSiFC6C6)的共混物做发光层,制备了高效的蓝紫光聚合物发光二极管,研究了共混比例对器件性能的影响.发现当PSiF6-PPP与PSiFC6C6的质量比为1︰3时器件性能最优,在发光亮度为105cd/m2时,器件的外量子效率可以达到1.96%,电致发光光谱的峰值位于397nm,半高宽为67nm.分析表明,PSiFC6C6向PSiF6-PPP的能量转移以及共混后电子和空穴注入的均衡,是使器件性能明显提升的主要原因.; 田仁玉莫越奇彭俊彪; 关键词：聚合物发光二极管共混

含噻吩单元的间苯共聚物及其电致发光性能被引量：1: 2007年; 采用NiCl2催化的Yamamoto缩聚反应将不同比例的含噻吩单体与间苯单体共聚,合成了聚(5-(2-乙基己氧基)-1,3-苯撑-co-(2,5-二苯撑-4-基-噻吩))(PmP-DPT),并测试了4种不同比例共聚物的紫外-可见光吸收光谱,光致发光光谱和LED器件的电致发光光谱,系统地表征了共聚物的光电性能。结果表明,噻吩的加入形成了新的发光中心,实现了从间苯链段到含噻吩发光中心的有效能量转移,当噻吩摩尔分数约为1%时,可得到效率为0.47%的色坐标(CIE)为0.17和0.13的蓝光PLED器件。当噻吩摩尔分数为10%时,可得到效率为2.59%的色坐标(CIE)为(0.21,0.36)的蓝绿光PLED器件。; 杜学锋莫越奇田仁玉曹镛; 关键词：聚合物发光二极管噻吩电致发光

含噻吩单元的硅芴共聚物的合成及其蓝色电致发光性能被引量：8: 2007年; 将少量（摩尔分数为1%～3%）含噻吩的窄带隙单体和宽带隙硅芴单体进行共聚,合成了聚{9,9-二己基-3,6-硅芴-co-[2,5-二（2-甲基苯撑-4-基）-噻吩]}和聚{9,9-二己基-3,6-硅芴-co-[2,5-二（2-苯撑-4-基）-噻吩]}两类硅芴共聚物,通过紫外-可见吸收光谱、光致发光光谱,并制作聚合物发光二极管器件测试电致发光光谱等手段,系统表征了两类硅芴共聚物材料的性能.实验结果表明,噻吩的加入形成了新的蓝色发光中心,并且实现了从硅芴链段到含噻吩发光中心的有效能量转移.通过增加发光中心结构的空间位阻来减小其共轭程度,可以使聚合物的PL和EL光谱发生较大蓝移.最终得到了效率为0.46%和色坐标（CIE）为（0.19,0.16）的蓝光LED器件.; 蒋希田仁玉莫越奇曹镛; 关键词：聚合物发光二极管噻吩电致发光

预热自热高温好氧消化工艺处理市政污泥的研究被引量：3: 2007年; 用自行设计的预热自热高温好氧消化工艺系统处理市政污泥,采用间歇式运行方式,对不同的进泥浓度、搅拌速率、曝气量、固体停留时间条件下的污泥稳定化效果进行了单因素分析研究,获得最佳工艺参数,在此基础上,对污泥稳定化和无害化效果进行了评价,同时对消化后污泥的脱水性能、总氮、总磷、氨氮、总有机碳和pH值进行了测试分析。结果表明,当进泥含固率为4%～6%、进泥挥发性有机物浓度为(31.9～42.1)g/L、搅拌速率为(90～100)r/min、曝气量为(0.06～0.08)m3/h、固体停留时间为10d时,污泥稳定化效果最好,反应器内温度可维持在55～57℃,对挥发性有机物的去除率平均达到52.8%,此时,病原菌的灭活率达到100%,出泥达到了美国环保局规定的A级生物固体(污泥)的标准;在此最佳工艺条件下发现消化后的污泥脱水性能变差,而总氮、总磷、氨氮、总有机碳和pH值升高,这是由于在消化过程中产生的溶胞现象所致。; 马刚冼国勇张峥嵘黄少斌; 关键词：污泥稳定化污泥无害化

聚合物发光二极管中的负电容效应被引量：5: 2008年; 采用交流阻抗谱技术,研究了以共轭聚合物(poly[2-methoxy,5-(2′-ethylhexoxy)-1,4-phenylenevinylene])(MEH-PPV)为发光层,以带有胺基的聚芴共聚物poly[(9,9-bis(3′-(N,N-dimethylamino)propyl)-2,7-fluorene)-alt-2,7-(9,9-dioctylfluorene)](PF-NR2)为电子传输层的发光二极管的交流响应特性.对于结构为ITO/PEDOT/MEH-PPV/PF-NR2/Al的发光器件,交流阻抗谱中出现了负电容效应(negative capacitance),根据对其Cole-Cole图的分析,MEH-PPV/PF-NR2界面的交流响应可用一个RLL并联电路来模拟,实验结果表明,PF-NR2层既是电子传输层同时又充当了空穴阻挡层的作用,并给出了解释这种以PF-NR2/Al为阴极的器件效率提高的微观机理.; 黄文波曾文进王藜彭俊彪; 关键词：聚合物发光二极管交流阻抗谱

高分子发光二极管载流子注入过程研究被引量：9: 2007年; 采用交流阻抗谱,电容-电压,电容-频率等实验方法,研究了共轭高分子MEH-PPV(poly[2-methoxy,5-(2-ethylhexoxy)-1,4-phenylene vinylene])发光二极管的载流子注入过程.对于结构为ITO/PEDOT/MEH-PPV/Ba/Al的发光器件,实验结果表明,电极界面是欧姆接触的,载流子的注入是非平衡的,器件薄膜中存在陷阱容易俘获注入电荷,形成空间电荷区,陷阱密度约为3.75×1016cm-3.; 黄文波彭俊彪; 关键词：交流阻抗谱载流子注入

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国家自然科学基金(90201031)