陕西省自然科学基金(2013JQ7028)
- 作品数：3 被引量：13H指数：2
- 相关作者：张林李清华邱彦章郝跃高云霞更多>>
- 相关机构：长安大学西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：陕西省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Ti／4H-SiCSBD中子辐照效应的研究被引量：1
- 2013年
- 采用1MeV的中子对Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)的辐照效应进行研究,观察了常温下的退火效应。实验的最高中子剂量为1×l015n/cm2,对应的γ射线累积总剂量为33kGy(Si)。经过1×1014 n/cm2的辐照后,Ti/SiC肖特基接触没有明显退化;剂量达到2.5×1014n/cm2后,观察到势垒高度下降;剂量达到1×1015 n/cm2后,势垒高度从1.00eV下降为0.93eV;经过常温下19h的退火后,势垒高度有所恢复,表明肖特基接触的辐照损伤主要是由电离效应造成的。辐照后,器件的理想因子较辐照前有所上升;器件的正向电流(VF=2V)随着辐照剂量的上升而下降。
- 邱彦章张林
- 关键词：碳化硅肖特基势垒二极管中子辐照
- 中子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件电特性的影响被引量：6
- 2014年
- 本文采用能量为1 MeV的中子对SiN钝化的AlGaN/GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件进行了最高注量为1015cm-2的辐照.实验发现:当注量小于1014cm-2时,器件特性退化很小,其中栅电流有轻微变化(正向栅电流IF增加,反向栅电流IR减小),随着中子注量上升,IR迅速降低.而当注量达到1015cm-2时,在膝点电压附近,器件跨导有所下降.此外,中子辐照后,器件欧姆接触的方块电阻退化很小,而肖特基特性退化却相对明显.通过分析发现辐照在SiN钝化层中引入的感生缺陷引起了膝点电压附近漏电流和反向栅泄漏电流的减小.以上结果也表明,SiN钝化可以有效地抑制中子辐照感生表面态电荷,从而屏蔽了绝大部分的中子辐照影响.这也证明SiN钝化的AlGaN/GaN HEMT器件很适合在太空等需要抗位移损伤的环境中应用.
- 谷文萍张林李清华邱彦章郝跃全思刘盼枝
- 关键词：ALGANGANHEMT中子辐照
- 基于MSP430的车载防醉驾安全系统设计被引量：6
- 2014年
- 针对目前交警使用手持式酒精测试仪,导致检查范围极为狭窄的缺陷,设计了车载防醉驾系统。利用32位的低功耗单片机MSP430F149为主控芯片,通过检测模块对对酒精浓度实时分析并送LCD12864显示,对酒精浓度超标则控制汽车点火并报警电路。仿真及实验电路的软硬件联合调试证明该设计能全面达到防止醉酒驾驶的目的,具有一定的实用性和推广价值。
- 高云霞李清华吴凯凯张林高景刚
- 关键词：MSP430酒精传感器控制电路
