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上海市科学技术委员会资助项目(AM0513)

作品数:2 被引量:10H指数:2
相关作者:赖宗声张润曦石春琦曹丰文吴岳婷更多>>
相关机构:华东师范大学苏州市职业大学更多>>
发文基金:上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇低噪
  • 2篇低噪声
  • 2篇放大器
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇英文
  • 1篇阅读器
  • 1篇射频识别
  • 1篇零中频
  • 1篇接收机
  • 1篇放大器设计
  • 1篇UHF_RF...
  • 1篇UHF_RF...
  • 1篇CMOS_L...
  • 1篇CMOS低噪...
  • 1篇超高频
  • 1篇超高频射频识...

机构

  • 2篇华东师范大学
  • 2篇苏州市职业大...

作者

  • 2篇曹丰文
  • 2篇石春琦
  • 2篇张润曦
  • 2篇赖宗声
  • 1篇崔建明
  • 1篇吴岳婷

传媒

  • 1篇电子器件
  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2007
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
零中频UHF RFID接收机中的低噪声放大器设计(英文)被引量:4
2007年
介绍了一个基于0.18μm标准CMOS工艺,可用于零中频UHF RFID(射频识别)接收机系统的900MHz低噪声放大器.根据射频识别系统的特点与要求对低噪放的结构、匹配、功耗和噪声等问题进行了权衡与分析,仿真结果表明:在1.2V供电时放大器可以提供20.8dB的前向增益,采用源端电感实现匹配并保证噪声性能,噪声系数约为1.1dB,放大器采用电流复用以降低功耗,每级电路从电源电压上抽取10mA左右的工作电流,并使反向隔离度达到-87dB.放大器的IP3为-8.4dBm,1dB压缩点为-18dBm.
张润曦石春琦崔建明赖宗声曹丰文
关键词:接收机零中频
UHF RFID阅读器中的堆叠式CMOS LNA设计被引量:7
2007年
提出了一种基于0.25μm标准CMOS工艺,可用于UHF RFID(超高频射频识别)阅读器前端的低噪声放大器。根据低噪声放大器的匹配、噪声和增益分析,结合射频识别系统的理论计算,提出堆叠器件的电路结构达到电流复用,以降低功耗并保证增益。测试结果表明,在2.5 V供电时,放大器可以提供约26.3 dB的前向增益,噪声系数约为1.9 dB,放大电路从电源电压上抽取5.8 mA左右的工作电流,反向隔离度达到-40 dB,放大器的IIP3约为-15 dBm。
张润曦石春琦吴岳婷赖宗声曹丰文
关键词:超高频射频识别阅读器CMOS低噪声放大器
共1页<1>
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