国家自然科学基金(90201026)
- 作品数：4 被引量：10H指数：2
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- 分子束外延生长的(GaAs_(1-x)Sb_x In_yGa_(1-y)As)GaAs量子阱光致发光谱研究被引量：1
- 2005年
- 报道了(GaAs1-xSbx InyGa1-yAs)GaAs量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果.变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构为二型量子阱发光性质.讨论了光谱双峰结构的跃迁机制.通过优化生长条件,获得了室温1.31μm发光.
- 徐晓华牛智川倪海桥徐应强张纬贺正宏韩勤吴荣汉江德生
- 关键词：分子束外延
- Raman Scattering from an Individual Graphite Tubular Cone
- ＜正＞Carbon has the wide variety of forms,such as diamond,graphite,fullerenes and nanotubes.These materials play...
- P.H.TanH.ZhuG.Y.ZhangE.G.Wang
- 文献传递
- 快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱的影响被引量：3
- 2005年
- 用固态分子束外延技术生长了高应变In0.45Ga0.55As/GaAs量子阱材料.研究了快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱材料光学性质的影响.本文采用假设InGaAs/GaAs量子阱中的InGa原子扩散为误差函数扩散并解任意形状量子阱的薛定谔方程的方法,对不同退火温度下InGaAs/GaAs量子阱室温光致发光峰值波长拟合,得到了In原子在高应变InGaAs/GaAs量子阱中的扩散系数以及扩散激活能(0.88eV).
- 苗振华徐应强张石勇吴东海赵欢牛智川
- 关键词：分子束外延快速热退火
- 1.3μmGaAs基GaInNAs量子阱生长与激光器研制(英文)被引量：1
- 2005年
- 报道了中国第一只1.30μm单量子阱边发射激光器的材料生长、器件制备及特性测试.通过优化分子束外延生长参数,调节In和N组分含量使GaInNAs量子阱的发光波长覆盖1.3μm范围.脊形波导条形结构单量子阱边发射激光器,实现了室温连续激射,激射波长为1.30μm,阈值电流密度为1kA/cm2,输出功率为30mW.
- 牛智川韩勤倪海桥杨晓红徐应强杜云张石勇彭红玲赵欢吴东海李树英贺振宏任正伟吴荣汉
- 关键词：分子束外延激光器
- 室温连续激射1.3μm InAs/GaAs量子点激光器
- 用分子束外延（MBE）生长了含应力缓冲层的InAs量子点激光器.发现用InAlAs/InGaAs作为复合应力缓冲层可有效延展发光波长,增加基态和激发态的能量间隔,但量子点面密度过低.用InGaAs作为应力缓冲层,可使量子...
- 赵欢彭红玲佟存柱倪海桥张石勇吴东海韩勤牛智川吴荣汉
- 关键词：分子束外延量子点
- 文献传递
- N,Sb和单分子层数对GaAs/GaInNAsSb超晶格性能的影响被引量：5
- 2004年
- 用Keating的价力场 (valenceforcefield)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变 .用折叠谱法 (foldedspectrummethod)结合Williamson经验赝势法计算了GaAs GaInNAsSb超晶格应变条件下的电子结构 .讨论了N和Sb原子以及超晶格单分子层数对电子结构的影响 .发现导带底电子态在N原子周围的局域化减小了光跃迁矩阵元 ,从而影响了该超晶格的发光性能 .计算并讨论了超晶格的电子和空穴的有效质量 .
- 倪海桥徐晓华张纬徐应强牛智川吴荣汉
- 关键词：电子性能蒙特卡罗模拟砷化镓材料
