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多晶硅薄膜阳极微腔有机发光器件及其简化制备流程的研究被引量：2: 2008年; 介绍了溶液法金属诱导晶化的p型掺杂多晶硅薄膜(p+-poly-Si)的制备,并研究了它的电学特性和光学特性.由于p+-MICpoly-Si薄膜具有比较好的电学特性,且在红光区域具有比较高的反射率与透射率和很小的吸收率,因此我们将它用作红光OLED的阳极.结果显示该器件的最大发光效率为5.88cd/A,比用ITO作阳极制备的OLED效率提高了57%.这是由于此薄膜对可见光比较高的反射率和阴极铝对可见光的很高反射性能,使之形成了一定Q值的微腔效应所至.这样,可以实现发光强度较高、单色饱和性较好的单色显示器件.本研究的意义还在于,由于此MOLED的p型掺杂MIC多晶硅阳极是与其共面型驱动TFT有源层、源/漏两极同层材料制备,即是TFT漏极的延伸;这样,不仅形成了高性能的AMOLED单色显示,而且也大大简化了AMOLED工艺流程,从而形成了简化流程的4-maskAMOLED基板制备工艺.; 李阳孟志国吴春亚王文郭海成张芳熊绍珍; 关键词：有机电致发光器件微腔

12.7cm彩色AM-OLED显示器分场驱动研究被引量：6: 2006年; 研究分场数字灰度方案,以提高低温多晶硅(LTPS)有源驱动有机电致发光显示器(AM-OLED)的亮度均匀性和灰度精确性。随着显示器尺寸和分辨率的提高,驱动频率会呈指数上升,在保证各像素发光时间的前提下,采用数字信号处理(DPS)复合乒乓结构和双通道内存输出技术,实现了16级灰度的彩色12.7 cm QVGA AM-OLED的动态视频显示。; 沈亮尹盛张繁程帅

125mm彩色AMOLED的多晶硅TFT基板被引量：6: 2006年; 用化学法在非晶硅表面形成Ni源,经金属诱导晶化(MIC)得到了大晶粒碟型多晶硅.为改善以此材料作有源层的多晶硅TFT的漏电特性和均匀性,采用动态杂质吸除方法对MIC过程所残留的Ni进行了吸除.通过流程简化,采用6块版工艺,研制出125mmQVGA有源选址有机发光显示的多晶硅TFT选址矩阵基板.; 孟志国郭海成吴春亚王文熊绍珍; 关键词：大晶粒薄膜晶体管

基于AM-OLED基板的拓展多晶硅薄膜功能层的研究: 2008年; 在有源寻址有机发光二极管(active matrix organic light emitting diode,AM-OLED)显示基板中,将电学功能层——薄膜晶体管(thin fil mtransistor,TFT)有源层材料p型掺杂金属诱导晶化(metal induced crystallized,MIC)多晶硅(p+-MIC poly-Si)薄膜的版图适当延伸,来充当OLED的阳极,由于它具有低方块电阻、高功函数的电学特性和半反半透、低吸收率的光学特性,与OLED的金属铝阴极形成了微腔器件,成功地形成了显示基板上的多晶硅薄膜的光学功能层.对这一功能层的厚度进行了优化,比较了不同厚度下TFT器件的电学特性和OLED的光学特性.当其厚度为40nm时为最佳厚度,此时,TFT器件场迁移率、阈值电压、亚阈值幅摆、电流开关比和栅压诱导漏极漏电等性能为最佳,且红光微腔式OLED(microcavity-OLED,MOLED)的出光强度增大,光谱窄化,电流效率与功率效率均有所提高.这不仅使器件的性能有所提高,而且大大地简化了AM-OLED基板的制备流程.; 李阳赵淑云吴春亚孟志国王忆熊绍珍; 关键词：微腔

底栅微晶硅薄膜晶体管被引量：1: 2006年; 对底栅微晶硅TFT的微晶硅材料生长孵化层问题进行了详细讨论,发现低硅烷浓度是减薄该层厚度的有效途径.同时又发现,以SiNx为栅绝缘层的底栅TFT,对随后生长的硅基薄膜有促进晶化的作用(约20%).沉积底栅TFT的微晶硅有源层时,必须计入该影响.因此为了获得良好的I-V特性,选用的硅烷浓度不宜低于3%.由硅基薄膜晶化体积比与系列沉积工艺条件关系和TFT所得薄膜晶化体积比的对比,可清晰证实SiNx对晶化的促进作用.; 李娟张晓丹刘建平赵淑云吴春亚孟志国张芳熊绍珍; 关键词：微晶硅

金属单向诱导横向晶化激光修饰多晶硅薄膜晶体管: 2006年; 对采用金属诱导单一方向横向晶化(metalinducedunilaterallycrystallization,MIUC)并结合激光后退火技术,以提高多晶硅薄膜晶体管的性能,进行了深入研究.MIUC薄膜晶体管已具有良好的器件性能和均匀性,再加以三倍频YAG激光退火后的MIUC薄膜晶体管,其场效应迁移率则可提高近一倍.器件的多种性能和参数的均匀性与所用修饰性的激光处理条件密切相关,具有规律性,故而是可控的,这为工业化技术的掌控提供了基础.; 孟志国王文吴春亚李娟郭海成熊绍珍张芳; 关键词：多晶硅薄膜晶体管

表面修饰改善溶液法金属诱导晶化薄膜稳定性与均匀性研究被引量：1: 2008年; 提出了一种表面修饰的金属诱导晶化方法,以稳定地获得晶粒尺寸均匀的多晶硅薄膜.为在非晶硅表面获得均匀稳定的Ni源,在晶化前驱物表面浸沾Ni盐溶液之前,先旋涂一层表面亲合剂.通过控制Ni盐溶液的浓度,可以获得均匀性较好、晶粒尺寸分布在20—70μm的多晶硅薄膜.该方法的特点是改善了Ni盐溶液在表面的黏附状态,从而可在比常规Ni盐溶液浓度低1—2个数量级的情况下仍能获得大晶粒的多晶薄膜.; 李鹤李学东李娟吴春亚孟志国熊绍珍张丽珠; 关键词：表面修饰多晶硅均匀性

基于MIC多晶硅薄膜阳极的微腔有机发光器件: 2008年; 通过对溶液法金属诱导晶化多晶硅薄膜制备工艺的优化,制备出性能良好的P型掺杂多晶硅薄膜。厚度为50nm的MICP+-Poly-Si薄膜的方块电阻可降低至400Ω左右,其光学特性表现为在红光区域具有比较高的反射率和很小的吸收率,因此用它替代ITO用作红光OLED的阳极材料。由于此薄膜对可见光比较高的反射率和阴极铝对可见光的高反射性,使之形成了一定Q值的微腔效应。结果显示该器件的最大流明效率为5.88cd/A,比用ITO作阳极制备的OLED提高了57%。进一步优化器件结构,调整发光层在腔中的最佳位置,可以大大增强发光强度,从而可以实现发光强度高、单色性好的红色微腔有机电致发光显示器件。; 李阳孟志国吴春亚王文郭海成张芳熊绍珍; 关键词：有机电致发光器件微腔

纳米硅薄膜复合阳极的绿色微腔式OLED的研究被引量：2: 2009年; 采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的P-nc-Si∶H薄膜材料(σ=5.86S/cm、Eopt>2.0eV).通过XRD测量计算出薄膜<111>、<220>和<311>三个晶向上的晶粒大小分别为15nm、17nm和21nm;通过Raman测量,计算出其晶化率为35%左右.实验中,将P型纳米硅薄膜与氧化铟锡一起构成有机电致发光器件的复合阳极,研究了他们的发光特性,结果表明:由于P-nc-Si∶H薄膜材料具有近似半反半透的光学特性,它与高反射率的阴极Al使有机电致发光器件产生了微腔效应,使其发光光谱窄化,半宽高由126nm窄化到33nm;发光光亮明显增强,最大亮度为47130cd/m2,最大发光效率为9.54383cd/A,与以ITO为阴极的无腔器件相比,提高了约127%.; 李阳刘星元吴春亚孟志国王忆熊绍珍; 关键词：微腔

金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管以及栅控型轻掺杂漏极结构的研究被引量：2: 2005年; 提出了一种低温金属单向诱导横向晶化的多晶硅薄膜晶体管(LT_MIUCpoly_SiTFT)的技术.使用该技术可在大面积廉价玻璃衬底上制备出高迁移率、低漏电电流、具有较好均匀性的多晶硅器件.在进一步的研究中,设计了一种新型的栅控轻掺杂漏区(GM_LDD)结构,有效地解决了在较高源漏电压下的栅诱导漏电问题.使得LT_MIUC poly_SiTFT更适用于高质量的有源矩阵显示器.; 孟志国吴春亚李娟熊绍珍郭海成王文; 关键词：轻掺杂漏金属诱导栅控多晶硅薄膜晶体管有源矩阵显示器硅器件

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国家高技术研究发展计划(2004AA303570)

文献类型

领域

主题

机构

作者

传媒

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