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国家教育部博士点基金(200800061055)

作品数:3 被引量:9H指数:2
相关作者:黄安平肖志松郑晓虎杨智超张维更多>>
相关机构:北京航空航天大学中国科学院北京师范大学更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域:化学工程理学电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇栅介质
  • 2篇掺杂
  • 1篇导电
  • 1篇导电机理
  • 1篇导电特性
  • 1篇电特性
  • 1篇栅极
  • 1篇栅介质材料
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇稀土
  • 1篇稀土掺杂
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米管
  • 1篇介质
  • 1篇金属
  • 1篇金属栅
  • 1篇金属栅极
  • 1篇功函数

机构

  • 3篇北京航空航天...
  • 1篇北京师范大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 3篇肖志松
  • 3篇黄安平
  • 2篇郑晓虎
  • 2篇杨智超
  • 1篇王小威
  • 1篇季君晖
  • 1篇曹庆超
  • 1篇程国安
  • 1篇王玫
  • 1篇张维

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇物理
  • 1篇高分子材料科...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
pMOS金属栅极材料的研究进展被引量:1
2010年
随着金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistors,MOSFETs)等比缩小迈向45nm技术节点,金属栅极已应用于新型MOSFET器件,改善了与高k栅介质的兼容性,并消除了传统多晶硅栅极的栅耗尽及硼穿透等效应.文章综述了pMOS器件金属栅极材料的发展历程、面临的主要问题以及未来的研究趋势等.
杨智超黄安平肖志松
关键词:PMOS金属栅极功函数
稀土元素掺杂的Hf基栅介质材料研究进展被引量:3
2011年
随着金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)等比缩小到45nm技术节点,具有高介电常数的栅介质材料(高k材料)取代传统的SiO2已经成为必然,然而Hf基高k材料在实际应用中仍然存在许多不足,而稀土元素掺杂在提高Hf基栅介质材料的k值、降低缺陷密度、调整MOSFETs器件的阈值电压等方面表现出明显的优势.本文综述了Hf基高k材料的发展历程,面临的挑战,稀土掺杂对Hf基高k材料性能的调节以及未来研究的趋势.
郑晓虎黄安平杨智超肖志松王玫程国安
关键词:稀土掺杂
碳基材料掺杂聚合物导电特性研究进展被引量:5
2012年
导电聚合物可分为结构型导电聚合物和复合型导电聚合物,其中复合型导电聚合物主要是碳基材料或金属掺杂聚合物而得到。文中综述了碳基材料掺杂聚合物的导电机理和碳基材料掺杂聚合物导电特性的研究进展。导电机理主要有渗滤理论、隧道效应和场致发射理论等。目前应用于复合型导电聚合物的碳基材料主要为炭黑、碳纳米管和石墨烯等。文中还简要介绍了碳基材料掺杂聚合物的应用和发展趋势。
曹庆超黄安平张维郑晓虎肖志松王小威季君晖
关键词:掺杂碳纳米管石墨烯导电机理
共1页<1>
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