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国家教育部博士点基金(20120074110004)

作品数:4 被引量:5H指数:2
相关作者:张斌陈彧汪诚汪露馨庄小东更多>>
相关机构:华东理工大学新加坡国立大学上海交通大学更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金中央高校基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇化学工程

主题

  • 2篇衍生物
  • 2篇分子
  • 2篇高分子
  • 2篇存储器
  • 2篇存储器件
  • 1篇电子受体
  • 1篇信息存储
  • 1篇信息存储材料
  • 1篇神经突触
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇透明电极
  • 1篇突触
  • 1篇咔唑
  • 1篇咔唑衍生物
  • 1篇开关比
  • 1篇功能材料
  • 1篇共轭
  • 1篇共轭聚合物
  • 1篇仿生

机构

  • 4篇华东理工大学
  • 1篇上海交通大学
  • 1篇新加坡国立大...

作者

  • 4篇陈彧
  • 4篇张斌
  • 3篇汪诚
  • 2篇庄小东
  • 2篇汪露馨
  • 1篇孙赛
  • 1篇刘柳
  • 1篇程庆

传媒

  • 3篇功能高分子学...
  • 1篇化学进展

年份

  • 3篇2016
  • 1篇2013
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
非易失性D-A型高分子信息存储功能材料的研究进展被引量:2
2013年
随着电子工业的迅猛发展,诸如个人电脑、手机、数码相机和媒体播放器等信息技术设备已成为人们日常生活中不可缺少的一部分。无论从技术角度还是从经济角度来考虑,对新型信息存储材料和器件的研发已成为电子行业急需解决的问题。由于聚合物的电子性质可以通过分子设计和合成等手段调控或剪裁,2005年国际半导体技术发展蓝图(ITRS)将聚合物存储器视为新型存储器件。与硅存储器相比,基于高分子存储材料制作的存储器具有材料结构多样、成本低、易加工、柔韧性好、可大面积制作(可通过旋涂或喷墨打印,在塑料、玻璃、互补金属氧化物半导体(CMOS)混合集成电路上面进行加工)、响应快、功耗低、高密度存储等优点,在信息存储以及高速计算领域有着非常广泛的应用前景。本文综述了高分子阻变存储器的基本概念和工作机制及近年来具有推-拉电子结构特征的高分子信息存储材料的设计、合成和器件性能的研究进展,以及存在的亟待解决的问题和未来的发展方向。
张斌陈彧汪诚庄小东汪露馨樊菲
关键词:非易失性存储存储器件
高分子忆阻材料的设计、制备和神经突触仿生研究进展被引量:1
2016年
自从1971年加州大学伯克利分校电子理论家蔡少棠教授提出忆阻器(又称"记忆电阻",第四种电路元件)假设后,引起了材料科学家和固体物理学家的极大的研究兴趣。作为一种在计算机数据存储和神经运行领域具有广泛潜在应用价值的非线性动态电子器件,其影响可以追溯到发明电阻器、电容器、电感器之前。与生物大脑的神经突触类似,忆阻器兼具记忆和逻辑运算的功能。本文综述了近年来高分子忆阻材料的合成和生物神经突触模拟研究进展。利用不同的前、后突触刺激可以模拟神经突触展现的一些诸如短期/长期可塑性(STP/LTP)、尖峰时间相关的可塑性(STDP)、穗率相关塑性(SRDP)和"学习-记忆-遗忘"等基本功能。大量研究结果已经表明:材料体系的电荷转移与传输、分子间弱相互作用、材料分子结构、聚集态结构、薄膜微结构和电输运特性等因素对材料忆阻效应有显著影响。
汪诚樊菲张斌陈彧
关键词:高分子
侧链含有不同电子受体的聚咔唑衍生物的合成及其WORM型存储性能被引量:1
2016年
利用Suzuki偶联反应合成了3种侧链含有不同电子受体的可溶性D-A型聚咔唑衍生物:聚[(9-(2-己基葵基)-9 H-咔唑)-(9-(4-硝基苯基)-9 H-咔唑)](PCz-NO2)、聚[(9-(2-己基葵基)-9 H-咔唑)-(4-(9 H-咔唑-9-基)苯甲醛)](PCz-CHO)和聚[(9-(2-己基葵基)-9 H-咔唑)-(4-(9 H-咔唑-9-基)苯甲腈)](PCz-CN)。基于这3种聚合物的存储器件(器件结构:Al(200nm)/高分子(90nm)/氧化铟锡(ITO)均表现出典型的电双稳电子开关效应和非易失性一次写入多次读出(WORM)型存储性能。随着共轭聚合物光学带隙的增加[2.26eV(PCz-NO2)→2.79eV(PCzCHO)→3.20eV(PCz-CN)],相应器件的启动阈值电压逐渐增大(-1.70V→-1.81V→-1.89V);而电流开关比(ON/OFF)则依次减小(6.63×10^4→4.08×10^4→5.68×10^3)。含氰基的聚咔唑衍生物需要的开启电压最大,展现出来的电流开关比在3种聚合物中则最小。
刘柳程庆樊菲张斌陈彧
基于石墨烯及其衍生物的信息存储:材料、器件和性能被引量:3
2016年
石墨烯以其独特的二维结构和高的热导电性、高杨氏模量、高电子/空穴迁移率、高抗拉强度、大的布鲁诺尔-埃米特-特勒表面积和量子霍尔效应等优异性能,备受科研工作者的关注,迅速成为材料、化学、物理和工程领域的热点研究课题。与富勒烯(C_(60)、C_(70))的功能化一样,利用共价键合修饰或非共价键合修饰的方法可以在石墨烯表面或石墨烯体系中引入功能基团或功能组分,制备出种类繁多的具有特殊光、电、磁和生物效应的石墨烯衍生物。以石墨烯作为数据存储介质的分子级别计算已经引发了一场信息技术产业的革命,它能在更小的空间上,使用更少的能源来存储更多的数据信息,有望成为目前基于硅半导体存储技术的潜在替代或补充技术。基于石墨烯的存储器件展现出优良的数据存储性能、器件稳定性和可靠性,为使这类器件具有更好的实际应用前景,人们采用许多技术手段来调控和优化器件性能。本文综述了近年来引起广泛关注的诸如石墨烯、共价修饰的石墨烯、石墨烯基复合材料、石墨烯/无机材料异质结等基于石墨烯及其衍生物的存储器件及相关材料研究进展,以及石墨烯/还原的氧化石墨烯透明电极在存储器件中的应用。探讨了该领域存在的亟待解决的关键基础问题和未来发展方向。
孙赛庄小东汪露馨汪诚张斌陈彧
关键词:石墨烯信息存储透明电极
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