博士科研启动基金(52002014200403)
- 作品数：2 被引量：23H指数：1
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- p型氮化镓的低温生长及发光二极管器件的研究被引量：23
- 2006年
- 采用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)在蓝宝石衬底上低温(870—980℃)生长p型氮化镓(p-GaN).用Hall测试仪测量材料的电学性能,发现当温度低于900℃时,材料的电阻率较高;在900—980℃均可获得导电性能良好的p-GaN.另外,电导性能除与掺杂浓度有关,还与p-GaN生长条件有关,氮镓摩尔比过低导电性能就较差,过高则会引起表面粗糙.采用优化后的p-GaN制作了绿光发光二极管器件,发现生长温度越低器件发光强度越高,反向电压也越高,但正向电压只是略有升高.
- 刘乃鑫王怀兵刘建平牛南辉韩军沈光地
- 关键词：氮化镓发光二极管金属有机物化学气相淀积
- 高空穴浓度Mg掺杂InGaN外延材料性能的研究
- 2006年
- 采用金属有机物化学气相沉积方法生长得到具有不同Mg掺杂浓度InxGa1-xN(0≤x≤0.3)外延材料样品.对样品的电学特性和光学特性进行了系统的研究.研究发现在固定Mg掺杂浓度下,随In组分的提高,样品空穴浓度显著提高,最高达2.4×1019cm-3,Mg的活化效率提高了近两个数量级;通过对Mg掺杂InGaN(InGaNMg)样品的光致发光(PL)谱的分析,解释了InGaNMg样品的载流子跃迁机理,并确定了样品中Mg受主激活能和深施主能级的位置.
- 刘乃鑫王怀兵刘建平牛南辉张念国李彤邢艳辉韩军郭霞沈光地
- 关键词：光致发光金属有机物化学气相沉积
