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国家重点基础研究发展计划(2000028208)
作品数:
1
被引量:13
H指数:1
相关作者:
朱美芳
周玉琴
张群芳
刘丰珍
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中国科学院研究生院
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相关领域:
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刘丰珍
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2007
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高效率n-nc-Si:H/p-c-Si异质结太阳能电池
被引量:13
2007年
采用热丝化学气相沉积技术(HWCVD),系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层)的晶化度以及晶体硅表面氢处理时间对nc-Si∶H/c-Si异质结太阳能电池性能的影响,通过C-V和C-F测试分析了不同氢处理时间和本征缓冲层氢稀释度对nc-Si∶H/c-Si界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化度的nc-Si∶H/c-Si异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p型CZ晶体硅衬底上制备出转换效率为17·27%的n-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/p-c-Si异质结电池.
张群芳
朱美芳
刘丰珍
周玉琴
关键词:
异质结
太阳能电池
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