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国家自然科学基金(61106006)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇多晶
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  • 1篇镍硅化物
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  • 1篇硅化物
  • 1篇薄膜晶体
  • 1篇薄膜晶体管
  • 1篇高性能

机构

  • 1篇兰州大学

作者

  • 1篇彭尚龙
  • 1篇胡多凯
  • 1篇贺德衍

传媒

  • 1篇液晶与显示

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
镍硅化物诱导横向晶化制备高性能多晶硅薄膜晶体管
2012年
提出一种新的采用镍硅化物作为种子诱导横向晶化制备低温多晶硅薄膜晶体管的方法。分别采用微区Raman、原子力显微镜和俄歇电子能谱对制备的多晶硅薄膜进行结构和性能表征,并以此多晶硅薄膜为有源层制备了薄膜晶体管,测试其I-V转移特性。测试结果显示,制备的多晶硅薄膜具有较低的金属污染和较大的晶粒尺寸,且制备的多晶硅薄膜晶体管具有良好的电学特性,可以有效地减小漏电流,同时可提高场效应载流子迁移率。这主要是由于多晶硅沟道区中镍含量的有效降低使得俘获态密度减少。
彭尚龙胡多凯贺德衍
关键词：镍硅化物金属诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管
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