福建省自然科学基金(2011J05122)
- 作品数:9 被引量:4H指数:2
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- 掺碳氧化锌薄膜的铁磁性
- 2011年
- 采用磁控溅射方法在Al2O3(0001)和Si(100)衬底上制备掺碳氧化锌薄膜,溅射薄膜时衬底温度为550°C.实验结果显示,制备的掺碳氧化锌薄膜样品在Al2O3(0001)单晶衬底上结晶质量更好.在室温下,所制备的薄膜皆出现铁磁性,且在Si(100)衬底上制备的样品具有更大的饱和磁化值.实验结果表明氧空位缺陷对掺碳氧化锌薄膜的铁磁性起源有很重要的影响.
- 李蕊
- 关键词:稀磁半导体铁磁性
- 基于无线多跳网络有限理性节点博弈分析
- 2013年
- 无线多跳网络的时空动态性,使得网络中的节点对服务质量的需求具有多样性,不同需求的变化促使节点扮演"有限理性"的参与者,去适时改变效用分析。本文基于博弈理论,结合"智猪博弈"典型模式,设计合理机制激励节点依据"杠杆原理"分析群体与个体之间的利益关系,使节点根据自身的实际需求寻求效用与通信代价之间的平衡点。
- 陈心瑜舒兆港赖晓燕魏芬阮凯斌
- 关键词:无线多跳网络智猪博弈
- 掺碳氧化铟薄膜的铁磁性研究
- 2012年
- 采用磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了掺碳氧化铟(In2O3:C)薄膜,溅射过程分别在衬底温度为室温和550℃的条件下进行。通过测试所制In2O3:C薄膜的XRD谱和磁化曲线,研究了In2O3:C薄膜的结构和铁磁性能,并探讨了其铁磁性的起源。结果显示,随着含碳量的增加,In2O3:C薄膜的饱和磁化强度先增大后减小;此外,氧空位缺陷浓度高的样品其铁磁性也更强,这表明氧空位缺陷与In2O3:C薄膜的铁磁性起源有直接的关系。
- 阮凯斌刘银春吴义炳吕灵燕
- 关键词:稀磁半导体铁磁性
- Bi_(3.6)Eu_(0.4)Ti_3O_(12)/ZnO复合薄膜的结构与发光性能的研究被引量:2
- 2012年
- 为了研究Bi3.6Eu0.4Ti3O12/ZnO复合薄膜在结构与发光性能上的变化,采用化学溶液沉积法(CSD)在石英衬底上制备BET薄膜和BET/ZnO复合薄膜。XRD测试结果表明,所制备的BET薄膜与BET/ZnO复合薄膜均为良好的铋层状钙钛矿多晶结构,并具有(117)择优取向,ZnO的掺入对钙钛矿相BET结晶有促进作用,晶粒尺寸变大。在发光方面,BET薄膜与BET/ZnO复合薄膜的激发中心都位于350 nm附近的波段,发射谱主要包含位于595 nm和614 nm的两个峰,都属于Eu3+离子跃迁发光,但BET/ZnO复合薄膜在发光性能上却有较大的提高,这可能与ZnO具有强烈的紫外吸收及ZnO和Eu3+或Bi3+离子间存在较为有效能量传递有关。这种复合薄膜的研究将为探索新型的发光材料提供有益的借鉴。
- 吴义炳阮凯斌刘银春张洪
- 关键词:光致发光铕离子X射线衍射
- Bi_(3.45)Eu_(0.55)Ti_3O_(12)铁电薄膜的光学性能被引量:1
- 2012年
- 采用化学溶液沉积法在石英衬底上制备了Bi3.45Eu0.55Ti3O12(BEuT)铁电薄膜,研究了BEuT薄膜的结构和光学性能。XRD测试结果表明,BEuT薄膜皆形成铋层状钙钛矿型结构,其晶粒尺寸随着退火温度的提高而增加。薄膜的光学透过率曲线显示,在大于500nm的波段BEuT的透过率比较高,而其禁带宽度大约为3.61eV。BEuT薄膜的发光强度随着退火温度的提高,先是增强后减弱,在700℃时达到最大。这与薄膜的结晶状况有关。
- 阮凯斌伍广亨周洪吴义炳
- 关键词:铁电薄膜光致发光
- 退火对掺铟氧化锌薄膜结构及光学性能的影响被引量:1
- 2012年
- 采用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备掺铟氧化锌薄膜,研究不同退火温度对薄膜结构及发光性能的影响.结果表明,掺铟氧化锌薄膜仍为六角纤锌矿结构的ZnO相,在大于450 nm的波段薄膜样品的透射率都较高;随着退火温度的升高,透射率先增后减,600℃时达到最大;薄膜样品的光学带隙都小于纯ZnO的理论值(3.37 eV),且随退火温度的升高呈先减后增趋势;样品的结晶度与发光强度随着退火温度的升高而增强.
- 吴义炳刘银春张洪
- 关键词:溶胶-凝胶法光学带隙
- Bi_(3.15)Eu_(0.85)Ti_3O_(12)铁电薄膜的结构与光学性能被引量:2
- 2012年
- 采用化学溶液沉积法在石英衬底上制备了Bi3.15Eu0.85Ti3O12(BEuT)铁电薄膜,研究了BEuT薄膜的结构和光学性能。XRD结果表明,不同温度退火的BEuT皆形成铋层状钙钛矿型结构,其晶粒尺寸随着退火温度的升高而增大,与SEM观察结果一致。对BEuT薄膜的拉曼光谱研究表明,Eu3+主要取代钙钛矿层中的Bi3+位。光学透过率曲线显示,在大于500 nm的波段,各BEuT薄膜的透过率均比较高,其禁带宽度约为3.69 eV。BEuT薄膜的发光随着退火温度的升高而增强,这可归因于其结晶状况的改善。
- 阮凯斌伍广亨周洪刘银春
- 关键词:光致发光化学溶液沉积法
- 热处理方式对聚合物太阳能电池光电特性的影响
- 2012年
- 利用旋转涂膜的方法制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS(40 nm)/P3HT∶PCBM(100 nm)/Al(30 nm)的聚合物太阳能电池,研究不同热处理方式对P3HT∶PCBM共混体系太阳能电池光电性能的影响.结果表明,热处理对器件的短路电流、开路电压、填充因子以及光学特性产生影响,其中热后处理(镀电极后热处理)的器件串联电阻极大地减小,短路电流密度较热前处理(镀电极前热处理)的器件有了很大的提高,由1.53 mA·cm-2提高到5.03 mA·cm-2,器件的能量转换效率提高了近3倍.
- 陈雄刘银春阮凯斌魏芬刘佳
- 关键词:聚合物太阳能电池
- 掺碳氧化锌薄膜的铁磁性
- 2011年
- 采用磁控溅射方法在Al2O3(0001)和Si(100)衬底上制备掺碳氧化锌薄膜,溅射薄膜时衬底温度为550°C.实验结果显示,制备的掺碳氧化锌薄膜样品在Al2O3(0001)单晶衬底上结晶质量更好.在室温下,所制备的薄膜皆出现铁磁性,且在Si(100)衬底上制备的样品具有更大的饱和磁化值.实验结果表明氧空位缺陷对掺碳氧化锌薄膜的铁磁性起源有很重要的影响.
- 阮凯斌刘银春吴义炳
- 关键词:稀磁半导体铁磁性