国家自然科学基金(61106043)
- 作品数：14 被引量：24H指数：4
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- 相关机构：西安理工大学中国科学院拉萨师范高等专科学校更多>>
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- 单晶硅太阳电池防电势诱导衰减镀膜工艺分析被引量：4
- 2015年
- 电势诱导衰减(PID)能够导致光伏组件功率在较短时间内出现大幅衰退,而PID现象的产生主要和封装材料及太阳电池表面处理等方面有关。针对太阳电池片的镀膜工艺设计实验,测试并分析了正常工艺和防PID工艺制作的Si Nx减反射膜厚度、折射率、反射率、镀膜前后的少子寿命以及单晶硅成品电池片的电学特性。结果表明,相比标准工艺,虽然防PID工艺制作的单晶硅太阳电池具有较好的钝化效果,但在整个光谱相应范围减反射效果较差是导致转化效率较低的主要原因。电致发光测试表明,防PID工艺并没有给单晶硅太阳电池带来额外的缺陷,但是防PID工艺制作的太阳电池在组件应用时却具有抵抗PID现象及防止金属离子对电池产生破坏的能力。
- 马新尖林涛冯帅臣
- 关键词：光电子学SI单晶硅太阳电池
- 双层SiN_x膜对单晶硅太阳电池性能的影响及XPS表征被引量：5
- 2015年
- 采用X射线光电子能谱(XPS)分析了单层和双层Si Nx膜中的化学键、N/Si比及Si、N、C、O原子百分比,进一步验证了等离子体增强化学气相沉积法沉积单层和双层Si Nx膜对单晶硅太阳电池电学性能的影响。XPS、反射率及少子寿命的分析表明,NH3和Si H4在单晶硅表面生成了含有H的Si Nx薄膜,双层Si Nx外层膜的N/Si比略高于单层膜,起到了更好的减反射效果,内层膜比单层膜富Si,起到了更好的钝化效果。电学测试结果表明,相比单层Si Nx膜单晶硅太阳电池,双层Si Nx膜单晶硅太阳电池开路电压提高了2 m V、短路电流提高了47 m A、转化效率提高了0.17%。
- 马新尖林涛
- 关键词：光电子学单晶硅太阳电池X射线光电子能谱键能
- BePP_2沉积速率以及厚度对蓝光OLED性能的影响
- 2014年
- 实验采用真空热蒸镀方法，在高准确度膜厚控制仪的监控下，制备了结构为ITO／2T-NATA（25nm）／NPB（30nm）／BePP2（Xnm）／A1q3（30nm）／LiF（0．6nm）／Al（80nm）的蓝光器件，并对其发光层（BePP2）薄膜的沉积速率以及厚度对器件的亮度、发光效率影响进行了分析和实验研究．结果表明：当束源炉孔径为垂1．5mm，束源炉温度在120℃～150℃区域，BePP2的蒸镀速率比较平滑，斜率变化小，易于膜厚精准控制，且薄膜较致密满足器件需要；BePP2在最佳沉积速率为0．02nm／s（蒸发温度为135oC），且发光层厚度为35nm时，可获得启亮电压为5．34V、发光亮度为9100cd／m2、发光效率达4．4cd／A的较理想蓝光器件．
- 安涛袁进林涛高勇
- 关键词：真空蒸镀沉积速率厚度发光亮度空穴注入
- 高响应度倍增型碳纳米管-有机红光探测器
- 2019年
- 采用溶液旋涂方法将单壁碳纳米管与有机红光材料结合并制作出红光探测器,研究了单壁碳纳米管对PBDTTT-F∶PCBM本体异质结活性层薄膜的影响机理及其红光探测器的光电特性.利用原子力显微镜,荧光光谱和紫外-可见吸收光谱等方法对器件进行性能表征及优化.当单壁碳纳米管为最优掺入比1.5wt%时,在-1V偏置电压时,红光光照下该探测器响应度为535mA/W,比探测率达到3.8×1012 Jones,外量子效率达到104%.结果表明,将单壁碳纳米管与有机红光材料结合,有利于提高有机共轭聚合物的聚集以及结晶度,增强光吸收,可为活性层提供高迁移率的电荷传导通道,优化薄膜互穿网络形貌.同时,利用碳纳米管的多激子产生效应,使得有机光电探测器的光电性能大大改善,外量子效率超过100%,为无机-有机光电探测器的进一步开发提供参考.
- 安涛刘丹
- 关键词：光致发光光谱碳纳米管光电特性
- 双发光层结构和双金属电极的绿光微腔OLED
- 2017年
- 制备双金属电极的绿光微腔器件,其结构为Al(15nm)/MoO_3(4nm)/2T-NATA(10nm)/NPB(15nm)/NPB:C545T(x%,20nm)/Alq3:C545T(4%,20nm)/Bphen(35nm)/LiF(1nm)/Al(200nm),其中x为掺杂浓度。实验表明:当掺杂浓度为3%时,器件有最好的光电性能,记为器件B_1。为分析微腔效应,制备基于ITO的参考器件B_2。B_1和B_2色坐标分别为(0.289,0.620)和(0.317,0.557),所以微腔器件的发光颜色更绿。在100mA/cm^2时,器件B_1和B_2的亮度分别为5076cd/m^2和4818cd/m^2,且最大亮度为9277.7cd/m^2,10440cd/m^2;在100mA/cm^2时,器件B_1和B_2的发光效率为6.0cd/A和5.61cd/A,且最大发光效率分别为8.6cd/A和7.97cd/A。与参考器件相比,绿光微腔器件具有更好的发光效率和颜色纯度,其主要归因于微腔效应。
- 安涛吴俊宇李朋杨圣丁志明
- 关键词：OLED
- 超薄发光层结构的荧光型白光有机发光器件被引量：7
- 2015年
- 使用蓝、绿、红超薄发光层结构来制备荧光型非掺杂白光器件,其器件结构为ITO/Mo O3(5 nm)/TCTA(40 nm)/C545T(1 nm)/TCTA(2 nm)/Be PP2(1 nm)/Bphen(2 nm)/DCJTB(1 nm)/Bphen(30 nm)/Li F(1nm)/Al(1 000 nm)。白光器件的最大发光亮度和电流效率分别为16 154.73 cd/m2和11.58 cd/A。在电压为7 V时,器件的色坐标为(0.322 2,0.335 1),而且色坐标在大的电压变化范围内的变化值仅为(0.017 4,0.002 9)。与掺杂结构的白光器件相比,超薄发光层结构的白光器件拥有高的电流效率和稳定的电致发光光谱,原因是超薄发光层结构的载流子捕获效应能使激子有效限制在复合区域内。
- 安涛李朋杜牧涵唐峰景杜小菊
- 关键词：有机半导体荧光材料
- 单晶硅太阳电池电致发光缺陷及工艺影响因素分析被引量：2
- 2013年
- 通过实验对比的方法对单晶硅太阳电池电致发光(EL)缺陷及不同工艺的影响进行了分析,测试了电池片的开路电压、短路电流、填充因子、光电转换效率等性能参数,并统计了太阳电池片的EL缺陷比例。实验发现浆料组分配比、烧结工艺稳定性及硅片质量是引起太阳电池EL缺陷的主要原因,浆料质量、丝网印刷工艺参数、烧结温度稳定性及镀膜工艺的减反射及钝化效果也对太阳电池的光电转换效率存在一定的影响。在此基础上,通过分析建议改善烧结工艺稳定性,采用性能更好的浆料和硅片,优化丝网印刷参数及氨气和硅烷流量比,来改善太阳电池EL缺陷,提高太阳电池的光电转换效率和合格率。
- 马新尖林涛
- 关键词：太阳电池电致发光浆料硅片
- 无杂质空位诱导量子阱混杂研究及应用现状被引量：4
- 2015年
- 自量子阱混杂发现以来,其在这几十年的发展中取得了巨大进步。在各种量子阱混杂的方法中,无杂质空位扩散诱导量子阱混杂(IFVD)以其独特的优势获得了细致的研究和广泛的应用。主要从混杂原理、介质膜类型、材料系、低维量子点中的应用和器件应用等几个方面来全面分析IFVD研究和应用现状。
- 林涛孙航张浩卿林楠马骁宇王勇刚
- 关键词：量子阱混杂介质膜量子点
- 基于量子阱结构的混合型白光有机发光器件
- 2014年
- 以荧光材料BePP2结合量子阱作为蓝光发射层,磷光材料GIrl和R-4B掺入到混合双极性主体材料CBP∶Bphen中分别作为绿、红发光层并且在红绿发光层中引入间隔层TPBI,组合得到发白光的混合型有机发光器件。其中量子阱是以BePP2作为势阱、TCTA为势垒。结果表明:当势垒层数为2时,器件的最大发光亮度和电流效率分别为21 682.5 cd/m2和23.73 cd/A;当电压从7 V增加到14 V时,色坐标从(0.345,0.350)变化到(0.340,0.342)。与无量子阱结构的参考器件相比,势垒层数为2的器件的最大功率效率为8.07 lm/W,色坐标变化相对最小为±(0.005,0.008),还有一个高的显色指数83。
- 安涛李朋李怀坤丁志明王海峰
- 关键词：有机半导体磷光材料荧光材料
- 具有混合结构的三基色有机光电探测器的光电特性
- 2018年
- 采用溶液旋涂和高真空蒸镀工艺制备了平面和体异质结混合型器件结构的三基色有机光电探测器,利用实验分步探究其不同组分的活性层厚度、混合度以及前置吸收层对器件光电特性的影响.在此基础上,对三基色有机光电探测器进行样品制备及测试.结果表明,混合型结构的光电探测器件对光的吸收几乎覆盖整个可见光区域,对350~700nm范围的光呈现出类似于平台式的宽光谱响应.该器件在-1V偏置电压下,对红、绿、蓝光的比探测率分别为2.89×10^(11) Jones、3.22×10^(11) Jones、1.97×10^(11)Jones,表明该器件对红、绿、蓝光有较好探测效果,尤其对红光的探测率有3~4倍提升.
- 安涛刘丹吴俊宇
- 关键词：三基色光电特性混合型结构
