国家杰出青年科学基金(60925016)
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
- 相关作者：夏建白李京波杨圣雪龚剑李京波更多>>
- 相关机构：中国科学院东北师范大学更多>>
- 发文基金：国家杰出青年科学基金国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金创新研究群体项目更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>
- SnS壳层厚度对ZnO/SnS核壳结构纳米棒光致发光性能的影响
- 2013年
- 通过简单的水热法制备了ZnO纳米棒,然后成功地在ZnO纳米棒上修饰了一层SnS壳层,形成了ZnO/SnS核壳结构纳米棒。利用X射线衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对上述核壳结构进行了表征。结果表明制备的ZnO纳米棒直径在20~200nm,长度达1μm,随着SnS壳层修饰时间的增加壳层厚度逐渐增加。PL分析表明,当SnS壳层厚度很薄时,由于ZnO纳米棒表面态得到了修复,ZnO纳米棒的PL强度得到了很好的提升;但当SnS壳层厚度达到一定程度后,该核壳结构会形成一种Ⅱ型能带排列,这样该核壳结构的PL强度反而会被降低。
- 何朝辉孟秀清
- 关键词：ZNOSNS光致发光
- 紫外光控制的金属硫化物/聚苯胺p-n结及其在光敏传感器中的应用被引量：3
- 2013年
- 设计了由金属硫化物/聚苯胺p-n异质结和紫外光敏材料氧化锌所组成的光敏传感器,通过紫外光照外接氧化锌层来控制金属硫化物/聚苯胺p-n结的耗尽区厚度。与其他报道的光敏材料不同的是,其他光敏材料在紫外光照射下光电导会增加,而该光敏传感器在紫外光照射下光电导会减少。
- 杨圣雪龚剑李京波夏建白
- 关键词：金属硫化物聚苯胺P-N结光敏传感器
- 新型半导体深能级掺杂机制研究被引量：2
- 2018年
- 掺杂技术是现代半导体技术的核心之一.本文介绍了荣获2017年国家自然科学奖二等奖的项目,重点围绕宽禁带半导体材料、二维半导体材料的能带结构和器件,系统地研究了几类重要的半导体材料的深能级掺杂机制,并进行性能预测.主要创新工作包括:(1)提出了钝化共掺杂方法,增加了TiO_2的光催化效率;(2)发现了空穴导致非磁半导体中d^0铁磁性的新的物理机制;(3)为克服小量子系统掺杂瓶颈,提出通过共掺杂方法在材料中形成杂质能带,降低杂质电离能以提高载流子浓度;(4)对两类新型的二维半导体材料,即过渡金属硫化物以及石墨炔,发现了一系列新奇的物理现象和掺杂机理.这些工作对半导体掺杂理论的发展、新一代纳米器件和第三代半导体器件的结构设计以及性能预测将起到重要的指导作用.
- 李京波盖艳琴康俊李树深夏建白
- 关键词：第一性原理计算
