辽宁省教育厅高等学校科学研究项目(2008049)
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
- 相关作者：苗春雨李智马春雨张庆瑜更多>>
- 相关机构：大连大学大连理工大学更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金辽宁省教育厅高等学校科学研究项目国家自然科学基金更多>>
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- 反应射频磁控溅射法制备HfTaO薄膜的结构和光学性能
- ＜正＞随着超大规模集成电路集成度的提高,半导体器件的特征尺寸按摩尔定律不断缩小。高性能CMOS器件的栅介质层等效氧化物厚度（EOT）会缩小到1nm以下,传统的SiO2栅介质受隧穿效应的影响,栅漏电流过大。因此需要寻找新
- 苗春雨李智李树林马春雨张庆瑜
- 关键词：磁控溅射光学性能
- 文献传递
- 射频磁控溅射制备HfLaO薄膜结构和光学性能研究
- 2011年
- 采用射频磁控溅射技术制备HfLaO薄膜,利用X射线衍射（XRD）分析了薄膜的微结构,通过紫外可见光分光光度计测量了薄膜的透过谱,计算了薄膜的折射率和禁带宽度,利用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌.结果表明：沉积态HfLaO（La：25%～37%）薄膜均为非晶态,随着La掺入量的增加,HfLaO薄膜的结晶化温度逐渐升高,HfLaO（La～37%）薄膜经900℃高温退火后仍为非晶态,具有优良的热稳定性,AFM形貌分析显示非晶薄膜表面非常平整.随着La掺入量的增加,HfLaO薄膜的透射率先降后增,在可见光范围薄膜均保持较高的透射率（82%以上）.HfLaO薄膜的折射率为1.77~1.87.随着La掺入量的增加,HfLaO薄膜的折射率呈先增后降的变化趋势,同时HfLaO薄膜的Eg逐渐降低,分别为5.9eV（La～17%）、5.87eV（La～25%）、5.8eV（La～33%）和5.77eV（La～37%）.
- 李智苗春雨马春雨张庆瑜
- 关键词：磁控溅射光学性能
