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国家高技术研究发展计划(2009AA03C116)

作品数:1 被引量:1H指数:1
相关作者:丁芃钟文武柳学全刘发民蔡鲁刚更多>>
相关机构:钢铁研究总院北京航空航天大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇散射
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼散射
  • 1篇共掺
  • 1篇和光
  • 1篇ZNO
  • 1篇AL
  • 1篇SB

机构

  • 1篇钢铁研究总院
  • 1篇北京航空航天...

作者

  • 1篇李一
  • 1篇蔡鲁刚
  • 1篇刘发民
  • 1篇柳学全
  • 1篇钟文武
  • 1篇丁芃

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2011
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
Al和Sb共掺对ZnO有序阵列薄膜的结构和光学性能的影响被引量:1
2011年
采用水热合成法在预先生长的ZnO种子层的玻璃衬底上制备出Al和Sb共掺ZnO纳米棒有序阵列薄膜.通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和选区电子衍射分析表明:所制备的薄膜由垂直于ZnO种子层的纳米棒组成,呈单晶六角纤锌矿ZnO结构,且沿[001]方向择优生长,纳米棒的平均直径和长度分别为27.8nm和1.02μm.Al和Sb共掺ZnO纳米棒有序阵列薄膜的拉曼散射分析表明:相对于未掺杂ZnO薄膜的拉曼振动峰(580cm-1),Al和Sb共掺ZnO阵列薄膜的E1(LO)振动模式存在拉曼位移.当Al和Sb的掺杂量为3.0at%,4.0at%,5.0at%,6.0at%时,Al和Sb共掺ZnO阵列薄膜的拉曼振动峰的位移量分别为3,10,14,12cm-1.E1(LO)振动模式位移是由Al和Sb掺杂ZnO产生的缺陷引起的.室温光致发光结果表明:掺杂Al和Sb后,ZnO薄膜在545nm处的发光强度减小,在414nm处的发光强度增加.这是由于掺杂Al和Sb后,ZnO薄膜中Zni缺陷增加,Oi缺陷减少引起的.
钟文武刘发民蔡鲁刚丁芃柳学全李一
关键词:拉曼散射
共1页<1>
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