国家高技术研究发展计划(2006AA03A103)
- 作品数：10 被引量：12H指数：2
- 相关作者：谢自力韩平郑有炓张荣刘斌更多>>
- 相关机构：南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室中国科学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自然科学总论一般工业技术更多>>
- GaN/Al2O3（0001）上Ge薄膜的CVD外延生长
- ＜正＞由于 GaN 和 Ge 之间带隙宽度相差很大（～2.7eV）,Ge/GaN 异质结可用于宽波段太阳能电池、背照式双色探测器和异质结双极性晶体管（HBT）等器件的研制。在 HBT 器件中,异质结材料较大的带宽差异可以...
- 王荣华韩平曹亮王琦梅琴夏冬梅谢自力陆海陈鹏顾书林张荣郑有炓
- 关键词：GANINNCVD
- 文献传递
- 采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究
- 利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO2（100）面上采用金属有机化学气相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、横向和垂直关联长度等,由此得到螺位...
- 宋黎红谢自力张荣刘斌李弋傅德颐张曾崔影超修向前韩平施毅郑有炓
- 关键词：GAN位错X射线衍射
- 文献传递
- InN薄膜MOCVD生长初期成核研究与应力分析
- ＜正＞本文系统研究了利用金属有机化学气相沉积生长非故意掺杂 InN 薄膜的初期成核与应力变化过程。InN 生长采用宝石衬底,控制 GaN 缓冲层上 InN 外延层生长时间,以得到处于不同生长阶段的样品。通过表面形貌与扫描...
- 张曾张荣谢自力刘斌修向前江若琏韩平顾书林施毅郑有炓
- 文献传递
- Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究
- 利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料。原子力显微镜研究表明,少量的Mn在样品表面起到活性作用。X射线衍射和喇曼散射研究表明,当Mn的掺杂浓度很低(<2.7%)时并没有观察到第二相...
- 谢自力张荣崔旭高陶志阔修向前刘斌李弋傅德颐张曾宋黎红崔影超韩平施毅郑有炓
- 关键词：金属有机物化学气相沉积稀磁半导体锰掺杂X射线衍射
- 文献传递
- m面GaN平面内结构和光学各向异性研究被引量：1
- 2008年
- 采用金属有机物化学气相淀积方法在铝酸锂LiAlO2衬底上外延生长m面GaN薄膜.X射线衍射测量的结果表明所得薄膜具有较理想的m面晶体取向,并对其各向异性的应变进行了计算,摇摆曲线的测量发现样品存在明显的面内结构各向异性.采用偏振光致发光研究材料的面内光学各向异性,发现随着偏振角度的改变,发光峰的峰位和强度均有明显变化,并用对称性破缺导致价带子带劈裂的理论对结果进行了解释.
- 吴超谢自力张荣张曾刘斌李弋傅德颐修向前韩平施毅郑有炓
- AlxGa1-xN/AIN超晶格材料的结构和光学特性
- 随着三族氮化物(AlN,GaN,InN)在蓝绿光和紫外光电子器件领域的广泛应用,垂直共振腔结构被用来提高器件的量子效率。高反射率的 GaN 基分布式布拉格反射镜 (Distributed Bragg Reflctors)...
- 谢自力张荣江若琏刘斌姬小利龚海梅赵红修向前韩平施毅郑有炓
- 文献传递
- MOCVD技术生长的InN薄膜结构和光学性质
- 高质量的 InN 材料的带隙宽度在0．7 eV,对应光谱波长位于红外区,这就使Ⅲ族氮化物 (InN、GaN、AlN)及其合金的带隙宽度对应的光谱覆盖了从红外到紫外范围。因此,InN 及其含 In 组分的合金(InGaN,...
- 谢自力张荣江若琏修向前刘斌赵红朱顺民韩平施毅顾书林郑有炓
- 文献传递
- 厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响被引量：2
- 2009年
- 研究了金属有机物化学气相沉积法制备的不同厚度InN薄膜的位错特性与光电性质.基于马赛克微晶模型,通过X射线衍射非对称面摇摆曲线测量,拟合出样品刃型位错密度分别为4.2×1010cm-2和6.3×1010cm-2,并发现样品的微晶扭转角与位错密度随薄膜厚度增加而减小.通过室温霍尔效应测量得到样品载流子浓度分别为9×1018cm-3和1.2×1018cm-3,采用氮空位作为背景载流子起源的模型解释了随厚度增加载流子浓度的减小与迁移率的增大.光致发光峰随温度的S形非单调变化表明材料中的局域态参与了光学跃迁过程,结合局域态发光和能带收缩效应计算得到样品的局域化能量分别为5.05meV和5.58meV,指出较厚样品中缺陷态的减少是载流子局域化效应削弱的原因.
- 张曾张荣谢自力刘斌修向前李弋傅德颐陆海陈鹏韩平郑有炓汤晨光陈涌海王占国
- 关键词：氮化铟位错局域态
- 立式氢化物气相外延反应器生长GaN模拟研究被引量：3
- 2010年
- 利用有限元法对立式氢化物气相外延系统工艺参数进行了优化,发现在新设计的立式氢化物气相外延反应器中,存在衬底与气体入口的最佳距离,在最佳距离位置上,沉积的均匀性最好.在设定的条件下模拟的结果表明这个距离为5cm.在此基础上,模拟得到了优化的生长参数.模拟的结果还表明重力方向与GaCl气体出口方向的夹角的大小,对GaN沉积的速率和均匀性影响很大.重力方向与GaCl气体出口方向相反时得到的计算结果与两者方向相同时得到的计算结果比较,尽管GaN沉积速率有所下降,但是沉积均匀性却得到了极大的改善.此外还讨论了浮力效应对GaN沉积的影响.
- 赵传阵修向前张荣谢自力刘斌刘占辉颜怀跃郑有炓
- 关键词：GAN氢化物气相外延流体动力学
- MOCVD外延生长a面GaN薄膜及其面内各向异性研究
- 使用MOCVD直接外延r面蓝宝石衬底得到非极性a面GaN薄膜。高分辨X射线衍射发现薄膜晶体结构的面内各向异性,利用倒易空间法获得[0001]和[100]方向横向关联长度分别为41.9、14.8 nm,解释了面内各向异性的...
- 李弋谢自力刘斌傅德颐张荣郑有炓
- 关键词：非极性金属有机物化学气相沉积
- 文献传递
