河北省科技攻关计划(02213506D)
- 作品数：2 被引量：39H指数：1
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- 水热条件下影响晶体生长的因素被引量：38
- 2002年
- 着重对水热法生长晶体过程中的影响因素进行了分析 .高压釜内温度分布、溶液 (或溶剂 )填充度、浓度和 pH值、杂质等会对生成晶体的形状、结构、颜色、生长速度、晶体缺陷和晶体质量产生影响 .
- 王立明韦志仁吴峰
- 关键词：晶体生长水热法温差过饱和度晶体缺陷
- ZnS中电子陷阱能级对光生电子弛豫过程的影响被引量：1
- 2006年
- 采用微波吸收法,测量了在不同助熔剂条件及不同气氛下烧制的ZnS材料受到超短激光脉冲激发后的光电子衰减过程,并且测量了材料的热释光曲线。样品A采用过量的SrCl作为助熔剂,在1150℃下灼烧制备而成;其热释光曲线显示材料中有浅电子陷阱,电子陷阱密度小,光生电子衰减过程为双指数衰减过程,快过程寿命为45ns,慢过程寿命为312ns。样品B中加入了少量的NaCl作为助熔剂;热释光曲线显示有浅电子陷阱和深电子陷阱,且都有较高的密度,其光电子寿命为1615ns。在NH4Br气氛中烧制样品C,热释光谱显示只有浅电子陷阱形成,光电子寿命为1413ns。结果表明材料的光电子寿命和浅电子陷阱密切相关,浅电子陷阱密度越大,光生电子寿命越长,深电子陷阱对光生电子瞬态过程影响很小。
- 董国义窦军红韦志仁葛世艳郑一博林琳田少华
- 关键词：ZNS热释光光电子
