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国家自然科学基金(60076010)

作品数：2 被引量：1H指数：1
相关作者：钟志亲王鸥龚敏袁菁丁元力更多>>
相关机构：四川大学香港大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇发光
  • 2篇6H-SIC
  • 1篇声子
  • 1篇退火
  • 1篇退火处理
  • 1篇谱线
  • 1篇中子
  • 1篇中子辐照
  • 1篇光谱
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光谱
  • 1篇发光研究
  • 1篇辐照
  • 1篇辐照特性
  • 1篇N型

机构

  • 2篇四川大学
  • 1篇香港大学

作者

  • 2篇龚敏
  • 2篇王鸥
  • 2篇钟志亲
  • 1篇丁元力
  • 1篇杨治美
  • 1篇余洲
  • 1篇凌志聪
  • 1篇冯汉源
  • 1篇袁菁
  • 1篇陈旭东
  • 1篇徐士杰

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇光散射学报

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2004
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
电子和中子辐照n型6H-SiC的光致发光谱
2006年
对用电子能量为1.7,0.5和0.4MeV的电子辐照和中子辐照后的n型6H-SiC样品进行低温光致发光研究.对于Ee≥0.5MeV电子辐照和中子辐照后的样品,首次发现了位于478.6/483.3/486.1n m的S1/S2/S3谱线.对样品进行热退火研究表明S1/S2/S3谱线在500℃下消失,而退火温度高于700℃时D1中心出现.考虑到产生C空位和Si空位所需的位移阈能以及热退火行为,说明S1/S2/S3为初级Si空位初级缺陷,而D1中心为二次缺陷.
钟志亲龚敏王鸥余洲杨治美徐士杰陈旭东凌志聪冯汉源BelingCD
关键词：6H-SIC辐照
6H-SiC辐照特性的低温光致发光研究被引量：1
2004年
本文用低温光致发光(LTPL)技术对经中子辐照的N型6H-SiC在350℃-1650℃温度范围的退火行为进行了研究。在700℃退火后观察到D1中心(D1-center)和位于485.0nm、493.6nm处的发光中心。我们发现D1中心与深能级瞬态谱(DLTS)的E1/E2深能级对具有不同的退火行为,这否定了它们源于相同的辐照诱生缺陷的观点。D1中心可能源于由空位和反位组成的复合体。
王鸥丁元力钟志亲袁菁龚敏Chen X DFung SBeling C D
关键词：退火处理
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共1页<1>
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