国家高技术研究发展计划(2006AA03A121)
- 作品数：31 被引量：83H指数：6
- 相关作者：沈光地郭霞顾晓玲邓军关宝璐更多>>
- 相关机构：北京工业大学昆明物理研究所吉林大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程化学工程更多>>
- 带介质分布式Bragg反射镜结构高性能共振腔发光二极管的研究被引量：1
- 2012年
- 采用等离子体增强化学气相沉积高低频交替生长法生长了SiO_2/Si_3N_4透明介质分布式:Bragg反射镜(DDBR),提出了对DDBR采用干、湿法并用的腐蚀方法.采用传输矩阵法理论分析了DDBR,得出了为满足出光增益要求的反射率和DDBR结构.使用光致发光(PL)谱仪测量分析了DDBR反射谱和光致发光谱,获得了使光致发光谱辐射增强的DDBR结构,在整个光致发光谱380-780 nm波段,整体辐射增强1.058倍,在谐振波长处辐射增强1.5倍,半峰全宽值由23 nm变窄为10.5nm,获得了很好的光谱纯度.利用最优DDBR结构制成了高性能共振腔发光二极管器件,与普通结构相比,实现了低开启电压1.78 V;在20 mA注入电流下,轴向光强提高了20%,光功率和光效分别提高了27.7%和26.8%,光功率衰减缓慢;在O-100 mA注入电流下,没有明显的下降趋势,表现出了良好的温度稳定性.
- 汤益丹沈光地郭霞关宝璐蒋文静韩金茹
- 关键词：发光二极管共振腔
- 表面InGaN厚度对GaN基发光二极管特性的影响
- 2008年
- 通过调整GaN基发光二极管(LED)表面InGaN层的厚度,发现在20mA电流驱动下,LED器件的正向压降有明显差距.本文考虑了极化效应的影响,通过求解InGaN/GaN三角形势阱内二维空穴气浓度以及空穴隧穿概率的变化,求得了表面InGaN层厚度不同时器件正向压降的变化趋势,发现理论结果与实验结果有很好的吻合.同时得到了获得最低正向压降的表面InGaN厚度.
- 顾晓玲郭霞吴迪李一博沈光地
- 关键词：极化
- 载流子输运和寄生参数对隧道再生双有源区垂直腔面发射激光器调制特性的影响被引量：1
- 2009年
- 建立了一种适用于多量子阱和多有源区的多层速率方程模型.通过小信号分析,得到了光子密度、载流子俘获、逃逸和隧穿时间等关键参数对单有源区和隧道再生双有源区垂直腔面发射激光器频率响应特性的影响,并分析了在相同驱动电流下隧道再生双有源区器件调制带宽大于单有源区器件的原因.进一步研究了隧道再生双有源区内腔接触氧化限制型垂直腔面发射激光器的寄生电参数及其寄生电路,对其频率响应进行了模拟分析.
- 王同喜关宝璐郭霞沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器速率方程调制特性隧道再生
- 条形列阵激光器侧向隔离研究
- 2009年
- 对条形激光器漏电流进行了理论分析,结果表明,漏电流占注入电流的比例随着激光器条形台面宽度的增大而降低,因此实验中采用宽条形台面激光器。同时根据理论分析做对比实验得出,在不增加非辐射复合情况下,隔离槽与台面越近越能充分发挥其减小漏电流的作用,这样阈值电流密度降低,最佳工作点的功率效率提高。
- 段天利崔碧峰张蕾邹德恕王智群沈光地
- 关键词：列阵激光器漏电流
- 宽调谐范围垂直腔面发射激光器特性分析及设计被引量：4
- 2007年
- 运用光学传输矩阵和有限元方法对波长可调谐垂直腔面发射激光器(VCSELs)的波长调谐范围进行了研究.对中心波长为980nm的可调谐VCSELs的波长调谐特性和微电子机械系统(MEMS)悬臂梁结构进行了设计,并进行了实验研究.结果表明,MEMS可调谐VCSELs调谐特性同时受到光波谐振腔结构和悬臂梁最大位移的共同影响.在悬臂梁几何尺寸和激光器有源区结构一定的条件下,通过优化可调谐VCSELs的牺牲层厚度可实现大范围波长调谐.同时,对可调谐VCSELs整体结构进行了设计,计算结果显示波长调谐范围达到30nm以上,调谐效率达到0.12,调谐过程中所有激射波长都处在InGaAs/GaAs量子阱高增益区.
- 关宝璐郭霞杨浩梁庭顾晓玲郭晶邓军高国沈光地
- 关键词：悬臂梁宽调谐范围
- 高光束质量大功率半导体激光阵列的热特性被引量：12
- 2010年
- 针对目前大功率半导体激光短阵列器件和多个半导体激光单元器件集成结构应用于全光纤结构光纤激光器的发展趋势及其相关热控制理论的缺乏,利用有限元软件ANSYS对基于标准传导热沉散热结构的高光束质量半导体激光阵列(LDA)进行热特性仿真计算,通过改变阵列内部发光单元间距、发光单元数,将传统高填充因子厘米阵列(cm-bar)结构过渡到短阵列器件或多单元集成器件热模型,其热特性,为这种具有高光束质量的新型器件的设计及其高性能、长寿命散热提供了理论基础。
- 王智群尧舜崔碧峰王智勇沈光地
- 关键词：激光器半导体激光阵列热阻高光束质量
- 多量子阱红外探测器垂直光耦合研究被引量：1
- 2008年
- 对多量子阱红外探测器制作中GaAs衬底减薄工艺程序进行了研究与讨论。通过将器件压焊封装进杜瓦瓶中,测量其室温和低温条件下I-V特性,以及在低温条件下的器件信噪比,并以傅里叶变换红外光谱仪对器件进行光谱测量,得到光电流谱,从而比较了将器件衬底磨45°斜角的边耦合情况,以及直接将衬底减薄至(29±2)μm两种情况下器件的性能。并讨论了减薄材料在垂直入射情况下仍能引起器件光吸收的主要原因。结果表明,由于GaAs材料的各向异性,湿法腐蚀会使器件台面形成正梯形和倒梯形结构,其作用等同于器件磨至45°斜角,因此在垂直入射时器件也会有光电流产生。此外,在衬底进行减薄抛光后,衬底会有很小的起伏,这也可能引起光耦合,从而产生光电流。
- 马楠邓军牟明威史衍丽崔碧峰张蕾沈光地
- 关键词：多量子阱红外光耦合
- 两基色、三基色和荧光粉转换白光LED配色研究被引量：7
- 2008年
- 根据色度学基本原理,对荧光粉转换白光发光二极管(LED)和两基色、三基色白光LED进行了配色计算,得到了距离理想白光点色度坐标(1/3,1/3)小于0.5%范围内的众多基色组合,同时对光视效能、显色指数和荧光粉转换效率等参数进行了分析,提出了荧光粉转换白光LED和两基色、三基色白光LED的最佳基色组合,并在实验上对荧光粉转换白光LED进行了验证。
- 顾晓玲郭霞林巧明梁庭郭晶沈光地
- 关键词：白色发光二极管基色显色指数光视效能
- 注入电流对垂直腔面发射激光器横模特性的影响被引量：6
- 2008年
- 对980nm氧化限制型垂直腔面发射激光器横模进行测试和研究,理论上从时间、空间变量的速率方程出发,利用空间积分法分析了典型电注入参数对弱折射率导引垂直腔面发射激光器(VCSELs)横模行为的影响,通过实验测试,得到VCSELs的横模光场分布情况,并与理论分析进行对比,得出相应的实验结果,在氧化孔径不变的情况下,随着注入电流的增加,载流子分布从有源区中心向边缘移动,模式从低阶基模向高阶模转变,并发生了较强的模式竞争以及载流子空间烧孔效应,最终导致基模强度的降低.另一方面,通过比较不同注入孔径下高阶模的发生时刻,得出越小的注入孔径,注入强度越低的时候,VCSELs更易实现单横模工作的实验结果.
- 杨浩郭霞关宝璐王同喜沈光地
- 关键词：横模垂直腔面发射激光器
- AlGaInP系LED的表面纳米级粗化以及光提取效率提高被引量：6
- 2011年
- 分析了常规AlGaInP系发光二极管(LED)光提取效率低的主要原因,半导体的折射率与空气折射率相差很大,导致全反射使有源区产生的光子绝大部分不能通过出光面发射到体外。通过在LED出光层采用纳米压印技术引入表面纳米结构,以改变光子的传播路径,从而使得更多的光子能够发射到体外。理论分析与实验结果表明,与常规平面结构相比,纳米结构的引入,器件发光强度平均增加了1倍以上。
- 陈依新沈光地孟丽丽马莉李春伟
- 关键词：纳米压印光提取效率
