国家高技术研究发展计划(2006AA03A128)
- 作品数：4 被引量：21H指数：3
- 相关作者：江风益王光绪刘军林肖宗湖汪延明更多>>
- 相关机构：南昌大学晶能光电(江西)有限公司更多>>
- 发文基金：长江学者和创新团队发展计划国家高技术研究发展计划江西省研究生创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Si衬底GaN基蓝光LED钝化增透膜研究被引量：5
- 2010年
- 在Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了一层SiON钝化膜,使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。对有、无钝化膜的样品进行性能比较,结果表明SiON钝化膜能有效隔离环氧树脂与高温芯片,缓解环氧树脂的老化变黄;又能部分弛豫环氧树脂对芯片的张应力,降低非辐射复合中心产生的几率;有效减小器件的侧壁漏电通道,降低器件的光衰和漏电流,提高器件的可靠性。
- 刘军林邱冲江风益
- 关键词：光电子学SI衬底光衰增透膜SION
- p-AlGaN电子阻挡层Al组分对Si衬底绿光LED性能影响的研究被引量：3
- 2010年
- 在Si(111)衬底上利用MOCVD方法生长了具有不同Al组分p-AlGaN电子阻挡层的绿光InGaN/GaN LED结构,并对其光电性能进行了研究.结果表明,不同Al组分样品的量子效率随电流密度的变化规律呈现多样性.在很低电流密度范围,LED量子效率随Al组分升高而下降;在较高电流密度范围,LED量子效率随Al组分升高而升高,即此时缓解了量子效率随电流密度增大而衰退的速率(即droop效应);但随着电流密度的进一步升高,反而加快了量子效率衰退的速率.这些现象解释为不同Al组分的p-AlGaN对空穴和电子注入到量子阱进行复合的机理存在差异所致.
- 毛清华江风益程海英郑畅达
- 关键词：绿光LED
- 硅衬底GaN基LEDN极性n型欧姆接触研究被引量：7
- 2010年
- 在Si衬底GaN基垂直结构LED的N极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了Ti/Al电极,通过了I-V曲线研究了有无AlN缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响.结果显示,去除AlN缓冲层后的N极性n型面与Ti/Al电极在500到600℃范围内退火才能形成欧姆接触.而保留AlN缓冲层的N极性n型面与Ti/Al电极未退火时就表现为较好的欧姆接触,比接触电阻率为2×10-5Ω·cm2,即使退火温度升高至600℃,也始终保持着欧姆接触特性.因此,AlN缓冲层的存在是Si衬底GaN基垂直结构LED获得高热稳定性n型欧姆接触的关键.
- 封飞飞刘军林邱冲王光绪江风益
- 关键词：硅衬底ALN缓冲层欧姆接触
- 不同基板1W硅衬底蓝光LED老化性能研究被引量：8
- 2010年
- 将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基LED薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光LED器件,并对其老化特性进行了对比研究。研究结果表明,在三种基板中铜支撑基板的器件老化后光电特性最稳定。把这一现象归结于三种样品的应力状态以及基板热导率的不同,其中应力状态可能是影响器件可靠性的最主要因素。
- 汪延明熊传兵王光绪肖宗湖熊贻婧江风益
- 关键词：发光二极管氮化镓硅衬底
