国家大学生创新性实验计划(2010A0637)
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
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- 同质缓冲层温度对ZnO薄膜质量的影响
- 2012年
- ZnO是一种宽禁带半导体,由于其优良的物理和化学性能得到越来越多的青睐,并成为了光电器件的首选材料。本文采用射频磁控溅射技术在石英衬底上溅射ZnO同质缓冲层,之后再生长ZnO薄膜。缓冲层温度分别为373、473、573和673 K,生长温度为773 K。X射线衍射结果表明ZnO薄膜为六方结构,并且是(002)择优取向。综合吸收光谱和和光致发光谱,缓冲层温度为673 K时制备的薄膜的结晶质量最好。
- 徐锋蒋大勇曹雪孙云刚陈濛刘芯宇
- 关键词：ZNO薄膜射频磁控溅射吸收谱
- MSM结构Mg_(0.2)Zn_(0.8)O可见盲光电探测器
- 2011年
- 采用射频磁控溅射,通过传统的紫外曝光和湿法腐蚀的方法,制备了不同电极间距的金属-半导体-金属(MSM)结构Mg0.2Zn0.8O可见盲光电探测器。研究了器件的暗电流和响应度随电极间距的变化关系,当施加的电压没有达到贯穿电压的时候,暗电流和响应度均随着电极间距的增加而减小,并对其具体的机制进行了研究。
- 蒋大勇徐锋曹雪孙云刚陈濛刘芯宇
- 关键词：光电探测器响应度暗电流
