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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管解析模型被引量：5: 2005年; 基于电荷控制理论 ,考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响 ,建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流I V特性和小信号参数的解析模型 .计算表明 ,自发极化和压电极化的综合作用对器件特性影响尤为显著 ,2V栅压下 ,栅长为 1μm的Al0 .2 Ga0 .8N/GaNHEMT获得的最大漏电流为 1370mA/mm ;降低寄生源漏电阻可以获得更高的饱和电流、跨导和截至频率 .模拟结果同已有的测试结果较为吻合 ,该模型具有物理概念明确且算法简单的优点 ,适于微波器件结构和电路设计 .; 杨燕王平郝跃张进城李培咸; 关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管解析模型极化效应

SiC衬底上外延GaN:Mg材料特性研究被引量：9: 2004年; 利用扫描电子显微镜、拉曼散射光谱和光致发光谱对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的GaN :Mg薄膜特性进行研究发现 :除了一部分Mg原子替代Ga原子呈现受主性外 ,大部分Mg原子以间隙原子状态 (Mgi)存在 ,并且在缺陷或者位错处大量聚集引起薄膜张力应力减小 ,薄膜在降温过程中由于应力不均匀会在部分区域内出现大量的裂纹 ;Mg的掺杂会加剧GaN无序化程度 ,致使薄膜质量变差 ;而室温下的PL谱测量表明蓝带发光由DAP(深施主—浅受主 )复合引起 ,其中D为MgGaVN ,A为MgGa.; 冯倩郝跃张晓菊刘玉龙; 关键词：碳化硅衬底扫描电子显微镜拉曼散射光谱光致发光谱化合物半导体

AlGaN紫外光电导探测器的研究被引量：3: 2004年; 在蓝宝石(0001)衬底上采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了未掺杂的Al_(0.15)Ga_(0.05)N外延层,并以此为材料制作了光电导探测器,实验发现探测器具有显著的紫外光响应。分析了探测器持续光电导效应(PPC)的产生机理。; 王峰祥郝跃; 关键词：ALGAN 光电导探测器紫外光 PPC

AlGaN势垒层应变弛豫度对高Al含量Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT性能的影响被引量：1: 2006年; 采用数值算法自洽求解Poisson和Schrdinger方程,计算了AlGaN势垒层的应变弛豫度对高Al含量AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)中的导带结构、电子浓度以及二维电子气(2DEG)薄层电荷密度的影响.利用所获得的精确薄层电荷密度与栅电压的关系,采用非线性电荷控制模型解析求解了应变弛豫度对AlxGa1-xN/GaNHEMT直流输出特性的影响.计算表明,应变弛豫度为0时所获得的Al0.50Ga0.50N/GaNHEMT的最大二维电子气薄层电荷密度为2.42×1013cm-2,最大漏电流为2482.8mA/mm;应变弛豫度为1时所获得的最大二维电子气薄层电荷密度为1.49×1013cm-2,最大漏电流为1149.7mA/mm.模拟结果同已有的测试数据相比,符合较好.对模拟结果的分析表明,对高Al含量的AlGaN/GaNHEMT进行理论研究时需要考虑应变弛豫度的影响,减小AlGaN势垒层的应变弛豫度可显著提高器件的性能.; 杨燕郝跃张进城王冲冯倩; 关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管

基于量子微扰的AlGaN/GaN异质结波函数半解析求解被引量：5: 2003年; 基于量子力学微扰理论的分析 ,得到AlGaN GaN异质结波函数的半解析模型 .给出了模型的理论分析和计算结果 .对于相同问题 ,给出了与差分算法的对照结果 .与传统的差分方法相比 ,半解析方法具有收敛性强、大规模问题计算效率高的特点 ,更适合作为AlGaN GaN异质结量子阱的求解算法 .; 李培咸郝跃范隆张进城张金凤张晓菊; 关键词：薛定谔方程量子力学差分算法

AlGaN/GaN界面特性研究进展被引量：6: 2002年; GaN是一种宽禁带半导体材料,由于具有优越的热稳定性和化学稳定性,使这种材料和与其相关的器件可以工作在高温和恶劣的环境中,并可用于大功率微波器件。本文主要介绍AlGaN/GaN有关界面特性,该特性反映了纵向纳米尺度下的能带特性;从AlGaN/GaNHEMT设计出发,给出了材料性质和结构参数对AlGaN/GaN异质结二维电子气特性影响的研究结果;讨论了AlGaN/GaN界面2DEG载流子的输运性质;分析了材料缺陷对AlGaN/GaN界面2DEG性质的影响;指出了有待研究的问题和方向。; 郝跃张金凤; 关键词：ALGAN/GAN异质结二维电子气表面特性氮化镓

纤锌矿GaN低场电子迁移率解析模型被引量：3: 2003年; 在GaAs低场电子迁移率解析模型的基础上得到了纤锌矿GaN低场电子迁移率的解析模型 ,该模型考虑了杂质浓度、温度和杂质补偿率对低场电子迁移率的影响 .模拟结果和测量数据的比较表明该模型在 10 16～ 10 2 0 cm-3的电子浓度、30～ 80 0K的温度和 0～ 0 9的杂质补偿率范围内具有较好的一致性 .该电子迁移率解析模型对于GaN器件的数值模拟和器件仿真设计具有很强的实用意义 .; 张进城马晓华郝跃范隆李培咸; 关键词：GAN 电子迁移率解析模型

MOCVD生长GaN和GaN∶Mg薄膜的对比研究被引量：2: 2004年; 对在SiC衬底上采用MOCVD方法制备的GaN和GaN :Mg薄膜进行X射线衍射 (XRD)、扫描电镜 (SEM)和拉曼散射光谱的对比研究发现 :两种样品均处于张力作用之下 ,但是GaN∶Mg样品却由于Mg的掺杂会在样品中引入更多的缺陷和位错加剧薄膜的无序化程度 ,致使薄膜质量变差 ;其次因为Mg原子半径比Ga原子半径大 ,所以当Mg替代Ga以后会引发压力应力 ,从而使薄膜张力减小 ,最后通过计算说明对于GaN :Mg样品而言 ,除了载流子以外 ,薄膜质量同样也会对A1(LO); 冯倩王峰祥郝跃; 关键词：氮化镓薄膜 X射线衍射拉曼散射 MOCVD

变温C-V和传输线模型测量研究AlGaN/GaN HEMT温度特性被引量：2: 2006年; 通过对异质结材料上制作的肖特基结构变温C-V测量和传输线模型变温测量，研究了蓝宝石衬底AIGaN／GaN异质结高电子迁移率晶体管的直流特性在25-200℃之间的变化，分析了载流子浓度分布、沟道方块电阻、欧姆比接触电阻和缓冲层泄漏电流随温度的变化规律，得出了器件饱和电流随温度升高而下降主要由输运特性退化造成，沟道泄漏电流随温度的变化主要由栅泄漏电流引起的结论，同时，证明了GaN缓冲层漏电不是导致器件退化的主要原因。; 王冲张金风杨燕郝跃冯倩张进城; 关键词：高电子迁移率晶体管二维电子气传输线模型泄漏电流

氮化镓干法刻蚀研究进展被引量：1: 2006年; 对比了RIE,ECR,ICP等几种GaN干法刻蚀方法的特点。回顾了GaN干法刻蚀领域的研究进展。以ICP刻蚀GaN和AlGaN材料为例,通过工艺参数的优化,得到了高刻蚀速率和理想的选择比及形貌。在优化后的刻蚀工艺条件下GaN材料刻蚀速率达到340nm/min,侧墙倾斜度大于80°且刻蚀表面均方根粗糙度小于3nm。对引起干法刻蚀损伤的因素进行了讨论,并介绍了几种减小刻蚀损伤的方法。; 王冲郝跃冯倩郭亮良; 关键词：氮化镓等离子体刻蚀损伤

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