教育部科学技术研究重点项目(211206)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
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- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金教育部科学技术研究重点项目更多>>
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- 单栅和双栅多晶硅薄膜晶体管的二维器件仿真被引量：1
- 2011年
- 二维器件仿真是揭示半导体器件物理机理的有效途径。首先利用二维器件仿真工具构建单栅和双栅多晶硅薄膜晶体管(TFT),并完整地考虑晶界陷阱态的分布规律,即指数分布的带尾态和禁带中央高斯分布的深能态。同时,改变晶界陷阱密度、多晶硅薄膜厚度、温度等条件,以及考虑翘曲(k ink)效应,仿真单栅和双栅器件的电流-电压(I-V)特性,分析物理规律,建立对多晶硅TFT器件物理特性的进一步理解。
- 邓婉玲黄君凯
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管
- 多晶硅薄膜晶体管晶粒间界的微观带隙能态及电学模型的研究进展
- 2011年
- 随着多晶硅薄膜晶体管技术的不断提高,其应用也日益广泛,特别是在有源液晶显示器,以及新一代有机发光显示器件等领域的应用极为迅速.对多晶硅薄膜晶体管的电学特性进行完整表征和模型研究,必须建立在准确的晶界带隙能态分布信息的基础上.本研究全面分析了多晶硅材料中晶界带隙能态分布的研究现状及数学模型,这是多晶硅薄膜晶体管建模的基础;重点介绍了RPI模型及最新的模型研究进展,并对这些模型进行了评述;最后提出了多晶硅薄膜晶体管模型的建模方向与研究策略,包括模型的完整性、普适性和系统性.
- 黄君凯刘璐邓婉玲
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管
