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国家高技术研究发展计划(2004AA3Z1142)

作品数：2 被引量：1H指数：1
相关作者：马向阳杨德仁崔灿江慧华阙端麟更多>>
相关机构：浙江大学浙江理工大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家杰出青年科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇氧沉淀
  • 2篇直拉硅
  • 1篇单晶
  • 1篇直拉硅单晶
  • 1篇内吸杂
  • 1篇吸杂
  • 1篇硅单晶
  • 1篇锗
  • 1篇掺硼

机构

  • 2篇浙江大学
  • 1篇浙江理工大学

作者

  • 2篇杨德仁
  • 2篇马向阳
  • 1篇李立本
  • 1篇田达晰
  • 1篇崔灿
  • 1篇阙端麟
  • 1篇江慧华

传媒

  • 2篇Journa...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
锗对重掺硼直拉硅中氧沉淀的影响
2005年
通过单步长时间退火（650～1150℃／64h）和低高两步退火（650℃／16h＋1000℃／16h和800℃／4～128h＋1000℃／16h），研究锗对重掺硼硅（HB-Si）中氧沉淀的影响．实验结果表明，经过退火后，掺锗的重掺硼硅中与氧沉淀相关的体微缺陷密度要远远低于一般的重掺硼硅，这表明锗的掺人抑制了重掺硼硅中氧沉淀的生成，并对相关的机制做了初步探讨．
江慧华杨德仁田达晰马向阳李立本阙端麟
关键词：锗氧沉淀
热处理气氛对直拉硅单晶中体缺陷的影响被引量：1
2007年
研究了五种不同的热处理气氛对直拉硅中氧沉淀及其诱生缺陷的影响.实验结果表明,经过低-高退火处理的硅片继续在五种不同的气氛中高温退火,氧沉淀会部分溶解,其溶解量与热处理气氛没有明显的关系,但不同气氛中处理的硅片中体缺陷(BMDs)的分布不同.并对此现象的机理进行了讨论,认为热处理气氛影响了硅片中点缺陷的分布从而影响到BMDs的分布.此研究对集成电路生产中内吸杂工艺的保护气氛的选择有指导意义.
崔灿杨德仁马向阳
关键词：直拉硅氧沉淀内吸杂
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共1页<1>
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