上海市科委科研计划项目(0452nm013)
- 作品数：2 被引量：21H指数：2
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- 氨基乙酸-H2O2体系抛光液中铜的化学机械抛光研究
- 研究了氨基乙酸-HO体系抛光液中铜的化学机械抛光行为．通过动电位极化扫描技术和 X 射线光电子能谱仪分析了抛光液中氧化剂和络合剂等化学组分在铜化学机械抛光过程中的作用．结果表明,铜在抛光液中氧化剂的作用下表面钝化,钝化层...
- 张伟路新春刘宇宏雒建斌
- 关键词：化学机械抛光氨基乙酸腐蚀坑
- 文献传递
- 缓蚀剂在铜化学机械抛光过程中的作用研究被引量：10
- 2007年
- 利用柠檬酸体系抛光液研究了苯并三氮唑(BTA)缓蚀剂对铜化学机械抛光过程和抛光效果的影响,并通过X射线光电子能谱仪、紫外可见吸收光谱仪及表面电位测试和电化学分析等手段分析了抛光液中BTA缓蚀剂在铜化学机械抛光过程中的作用机理.结果表明,当H2O2存在时,抛光液中BTA作为阳极缓蚀剂吸附在抛光表面,提高了阳极铜溶解的平衡电位,并通过缩合反应生成保护膜,减小了抛光后的表面粗糙度,提高了表面质量,同时在一定程度上增加了抛光过程中的摩擦系数.另外,BTA对SiO2抛光磨粒具有一定的吸附作用,进而对抛光效果产生一定的影响,抛光磨粒表面吸附层的存在会减小抛光过程中的摩擦系数.
- 张伟路新春刘宇宏雒建斌
- 关键词：化学机械抛光缓蚀剂极化曲线
- 硅片化学机械抛光中表面形貌问题的研究被引量：11
- 2006年
- 利用扫描电镜和WYKO MHT-Ⅲ型光干涉表面形貌仪研究了抛光过程中不同阶段硅片的表面形貌、抛光液研磨颗粒粒径对抛光表面质量的影响以及抛光过程中的桔皮现象。结果表明，抛光中主要是低频、大波长的表面起伏被逐渐消除，而小尺度上的粗糙度并未得到显著改善；当颗粒直径在10-25nm的范围时，粒径和粗糙度不存在单调关系；桔皮的产生主要是抛光液中碱浓度过高所致。
- 王亮亮路新春潘国顺黄义雒建斌雷红
- 关键词：单晶硅片化学机械抛光表面形貌
