河南省基础与前沿技术研究计划项目(092300410064)
- 作品数：20 被引量：60H指数：5
- 相关作者：任凤章田保红马战红王姗姗苏娟华更多>>
- 相关机构：河南科技大学河南省有色金属材料科学与加工技术重点实验室洛阳理工学院更多>>
- 发文基金：河南省基础与前沿技术研究计划项目国家自然科学基金河南省高校科技创新团队支持计划更多>>
- 相关领域：化学工程金属学及工艺一般工业技术理学更多>>
- 基于PCB的次磷酸钠化学镀铜研究被引量：6
- 2012年
- 为解决传统甲醛化学镀铜体系环境污染及稳定性低的问题,以次磷酸钠化学镀铜体系为研究对象,采用SEM、XRD、电化学等测试方法,探讨了添加剂硫酸镍、α-α’联吡啶和马来酸对该体系的影响.结果表明:适量的硫酸镍和马来酸均能提高化学镀速并改善镀层外观质量,其适宜的质量浓度分别为0.8 g/L和10 mg/L;α–α’联吡啶能明显改善镀层外观质量,其适宜的质量浓度为10 mg/L;次磷酸钠体系的镀液稳定性能优越,加入混合添加剂在80℃下稳定时间近48 h;混合添加剂使化学镀铜阴极峰电流增大;在最佳工艺条件下镀速为5.10μm/h,获得的镀层均匀、致密,施镀20 min后背光级数达到10级.
- 申晓妮任凤章赵冬梅肖发新
- 关键词：添加剂PCB化学镀铜硫酸镍次磷酸钠
- α-α'联吡啶对次磷酸钠化学镀铜的影响被引量：1
- 2013年
- 以次磷酸钠化学镀铜体系为研究对象,采用SEM、XRD、线性极化、电化学阻抗等测试方法,重点探讨了添加剂α-α′联吡啶对该体系的影响。结果表明,α-α′联吡啶能明显改善镀层外观质量,其最佳浓度为10 mg/L。适宜条件下镀层结晶均匀、细致,沉积层为立方晶系单质Cu。随着α-α′联吡啶浓度的增加,Cu阴极峰电流逐渐减小并趋于稳定;α-α′联吡啶对次磷酸钠的氧化具有抑制作用,但对Cu的溶解有促进作用,阻化了铜离子的阴极还原,降低化学镀铜的沉积速率,因而改善了镀层的质量。
- 申晓妮任凤章张志新肖发新
- 关键词：添加剂化学镀铜次磷酸钠
- Ag/Cu和Cu/Ni纳米金属多层膜强度软化的理论分析被引量：2
- 2010年
- 用电沉积法分别制备了具有不同调制波长的Ag/Cu和Cu/Ni金属多层膜,研究了多层膜的硬度与调制波长之间的关系。结果表明,当调制波长λ>300 nm时,两种多层膜的硬度与调制波长符合位错塞积机制的Hall-Petch关系,当λ<300 nm时,都偏离了Hall-Petch关系;Ag/Cu和Cu/Ni多层膜分别在λ=50 nm和100 nm处取得硬度峰值。基于Cheng等人的电子理论分别求出了Ag、Cu和Ni金属晶体的位错稳定的临界晶粒尺寸,进而定量地解释了Ag/Cu和Cu/Ni金属多层膜硬度峰值位置。
- 任凤章陈洁赵士阳马战红王宇飞田保红
- 关键词：多层膜HALL-PETCH关系电子理论
- 硫代硫酸盐无氰镀银工艺被引量：12
- 2010年
- 无氰镀银是电镀银的发展方向,目前仍存在许多问题。采用硫代硫酸盐无氰镀银工艺,分别以AgNO3和AgBr为主盐进行镀银,研究了主盐含量、电流密度对镀层表观质量、沉积速率、显微硬度的影响,测量了镀层结合强度、晶粒尺寸,确定了2种体系制备镀层的最佳工艺。结果表明:AgNO3体系AgNO3最佳用量为40g/L,最佳电流密度为0.25A/dm2,制备的镀层光亮平整,晶粒尺寸为35nm;AgBr体系AgBr最佳用量为30g/L,最佳电流密度为0.20A/dm2,制备的镀层光亮平整,晶粒尺寸为55nm;与AgBr体系相比,AgNO3体系适宜电镀的电流密度范围较宽,制备的镀层显微硬度较大,晶粒尺寸小;2种体系制备的镀层均为纳米晶。
- 殷立涛任凤章赵冬梅王姗姗田保红马战红
- 关键词：无氰镀银微观形貌沉积速率显微硬度晶粒尺寸
- 钢基体电沉积Cu、Ni膜的残余应力及其在线测量被引量：5
- 2009年
- 采用电沉积法在碳素钢基片上分别沉积Cu膜和Ni膜,用数码相机拍摄沉积不同膜厚时基片的弯曲状况,并上传到计算机计算出薄膜内的平均残余应力及分布残余应力。结果表明:Cu膜和Ni膜的平均残余应力和分布残余应力均为拉应力;当膜厚较小时(0.5～3μm),Cu膜的平均残余应力和分布残余应力随膜厚的增加急剧降低,随着膜厚的进一步增加两种残余应力都趋于稳定;Ni膜的平均残余应力随着膜厚的增加而增加,分布残余应力总体趋势是随着膜厚的增加而增加。由实验结果可以认为Cu膜内的界面应力为拉应力而Ni膜内的界面应力为压应力,与基于Thomas-Fermi-Dirac-Cheng(TFDC)电子理论的判断结果一致。
- 张伟孙娟任凤章田保红贾淑果
- 关键词：残余应力电子理论
- 铬膜制备及其膜内残余应力研究被引量：6
- 2010年
- 对六价镀铬的工艺进行研究,在45℃、电流密度为15A·dm-2时电沉积出光亮平整、无缺陷的铬膜。在此基础上在纯铁基体上电沉积制备出一系列不同厚度的铬薄膜,并对其残余应力进行测量和研究。结果表明:Cr膜的平均残余应力和分布残余应力均为拉应力,由于Cr膜在较薄时残余应力的骤降,可判断出其残余应力主要来自于Cr膜的界面应力,与基于Thomas-Fermi-Dirac-Cheng(TFDC)电子理论的判断结果相一致。
- 张伟任凤章马战红苏娟华
- 关键词：镀铬残余应力
- 一种TFD方程的数值解法及一些常见元素的电子密度求解被引量：1
- 2012年
- 四阶Runge-Kutta法是工程计算中常用的一种求解微分方程的数值计算方法,具有精度高,易收敛等优点。本文在Feynman等人计算方法的基础上,用经典的四阶Runge-Kutta法来求解Thomas-Fermi-Dirac(TFD)方程,进一步提高原计算方法的计算精度。利用该方法求出了元素Cu的TFD方程数值解并计算出一些常见元素在Wigner-Seitz半径处的电子密度。
- 曹轲任凤章王天军刘治军田保红李武会
- 关键词：RUNGE-KUTTA法电子密度
- 基于电子理论Fe基体上电沉积Cu膜内的应力研究
- 2010年
- 采用电镀法在Fe基体上电沉积Cu膜。用悬臂梁法在线测量了沉积过程中的Cu膜内的平均应力,进而研究了Cu膜内的应力分布及应力来源。结果表明,Cu膜内的平均应力和分布应力均为拉应力,它们均随膜厚的增加而减小。Cu膜内的界面应力很大,而生长应力很小。再者,基于改进的Thomas-Feimi-Dirac(TFDC)电子理论,对Fe基体上Cu膜内由界面应力引起的平均应力做出了初步估算。结果表明,理论估算结果与实验结果的应力性质完全相同,其值也较接近。这说明理论计算模型具有一定的准确性。
- 王莹任凤章马战红苏娟华田保红
- 关键词：应力电子密度电子理论
- 工艺因素对表面复合铸渗层质量的影响被引量：2
- 2010年
- 采用传统铸渗工艺研究了工艺因素对表面复合铸渗层质量的影响,结果表明:适当的浇注温度有利于形成高质量的表面复合铸渗层,小型铸钢件的适宜浇注温度为1 650℃;要形成与基体结合良好的复合铸渗层,需有合适的涂层厚度,试验条件下,涂层厚度为5 mm时的复合铸渗层质量较好;涂层位于铸型侧面较位于铸型底部易于形成高质量的表面复合铸渗层。
- 王莹
- 关键词：浇注温度涂层厚度
- 基于电子理论Ni基体上电沉积Cu膜内应力研究被引量：3
- 2011年
- 采用电沉积法在Ni基体上制备Cu膜。悬臂梁法在线测量沉积Cu膜后的Ni基片挠度,由测得的挠度值计算出Cu膜内的平均内应力和分布内应力。结果表明,Cu膜内的平均内应力和分布内应力均随膜厚的增加而急剧减小。膜内的界面应力很大,而生长应力很小。基于改进的Thomas-Feimi-Dirac-Cheng(TFDC)电子理论,对由于界面电子密度调整而引起的Cu膜内平均内应力作出了初步估算。结果表明,理论估算结果与实验结果较接近。这说明理论计算模型具有较高的准确性。
- 任凤章曹轲郑茂盛马战红苏娟华田保红
- 关键词：内应力电子密度
