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国防科技技术预先研究基金(41308020413)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：钟怡刘玉奎何开全杨谟华谭开洲更多>>
相关机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所电子科技大学中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电离辐射
  • 1篇亚阈值
  • 1篇亚阈值电流
  • 1篇阈值电流
  • 1篇VDMOS
  • 1篇X射线辐射
  • 1篇传导性
  • 1篇N

机构

  • 1篇电子科技大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇徐世六
  • 1篇胡刚毅
  • 1篇张正璠
  • 1篇谭开洲
  • 1篇杨谟华
  • 1篇何开全
  • 1篇刘玉奎
  • 1篇钟怡

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究被引量：2
2008年
利用X射线对一种N沟VDMOS在不同的负载功率下进行了辐射试验,采用电流-电压(I-V)测试方法发现这种H2-O2(氢氧合成)氧化栅介质VDMOS样品存在自退火效应时,新增界面陷阱特性与通常的理论不能够很好地一致.根据所测数据,明确提出了有自退火效应样品的新增界面陷阱除了电荷效应外还具有传导电流能力的观点,初步认为该电流是表面费米能级和陷阱能级相互作用导致的产生复合电流,该电流不能简单地从I-V曲线上定量分辨出来.
谭开洲胡刚毅杨谟华徐世六张正璠刘玉奎何开全钟怡
关键词：亚阈值电流X射线辐射电离辐射
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