陕西省教育厅自然科学基金(09JK462)
- 作品数：2 被引量：8H指数：2
- 相关作者：徐洁贺辛亥周万城苏晓磊王俊勃更多>>
- 相关机构：西北工业大学西安工程大学更多>>
- 发文基金：陕西省教育厅自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程更多>>
- α/β相变对多孔氮化硅陶瓷介电性能的影响被引量：4
- 2011年
- 采用反应烧结工艺,通过添加硬脂酸,制备孔径为0.8 mm,孔隙率在55%左右的具有宏观球形孔的低密度多孔氮化硅陶瓷,研究了α/β相变对多孔氮化硅陶瓷介电性能的影响。通过调节氮化温度和时间,可得到具有不同β相相对含量(质量分数,下同)的多晶氮化硅陶瓷。结果表明:氮化温度高于1 400℃时发生α/β相变,随着氮化温度的提高和时间的延长,β相的相对含量增加,氮化硅的微观形貌也发生明显变化,由针状和絮状形貌转变成片状形貌最后形成长柱状结构。α/β相变使样品的相对介电常数ε′和介电损耗tanδ都呈现升高的趋势,其中tanδ的变化更为明显。相变导致的氮化硅陶瓷中点缺陷浓度增高是引起材料介电损耗大幅增加的主要原因。
- 徐洁周万城王俊勃苏晓磊贺辛亥
- 关键词：氮化硅陶瓷相变介电性能点缺陷
- 天线罩用多孔氮化硅陶瓷的制备被引量：4
- 2011年
- 采用反应烧结工艺,通过添加成孔剂的方法,制备出具有球形宏观孔的低密度多孔氮化硅陶瓷,研究了球形宏观孔和烧结工艺对多孔氮化硅陶瓷性能的影响。实验结果表明,与未添加成孔剂的样品相比,成孔剂的添加有效降低了材料的气孔率,使材料的介电常数ε′和介电损耗tanδ下降。孔的加入能促进针状氮化硅的生成,降低单位体积中产生的热量,防止局部过热从而避免硅熔现象的出现。缓慢的升温速率可促进α-Si3N4的生成,减少针状物,降低试样中游离硅的含量。烧结后的试样经过热处理可以使氧原子扩散进入材料内部,和试样中的游离Si结合成SiO2,降低试样的介电性能。
- 徐洁周万城王俊勃苏晓磊贺辛亥
- 关键词：多孔氮化硅陶瓷介电性能天线罩
