广西壮族自治区自然科学基金(0991005Z)
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
- 相关作者：张昌龙王金亮何小玲任孟德周海涛更多>>
- 相关机构：中国有色桂林矿产地质研究院有限公司更多>>
- 发文基金：广西壮族自治区自然科学基金国家自然科学基金更多>>
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- 氨热法生长氮化镓体单晶的工艺与设备被引量：1
- 2013年
- 由于大尺寸氮化镓单晶难以获得,只能用异质衬底来制作氮化镓器件,因此现在的氮化镓基器件的性能指标还远低于其理论值。氢化物外延法、高压熔体法、助熔剂法和氨热法等许多方法已经用做生长氮化镓大尺寸单晶。其中,氨热法易于实现尺寸扩大,有批量化生产低成本氮化镓晶片的潜力。目前有两个问题仍有待解决。首先是设备,如何增大高压釜口径为液氨溶液提供可靠的设备;第二个是生长工艺,如何以较低的成本得到大面积,低缺陷密度的氮化镓。本文简单综述了氨热法生长大尺寸氮化镓晶体进展。主要内容是关注氨热法的设备和生长工艺。最后探讨了氨热法合成氮化镓单晶的发展前景。
- 周海涛李东平何小玲张昌龙
- 关键词：氮化镓
- 氮化镓晶体的氨热法生长进展
- 2013年
- GaN作为性能最为优异的第三代半导体材料,其高质量的衬底材料的研发是目前乃至近5年的研究热点,而最好的衬底材料即为GaN体单晶。在为数不多的GaN体单晶的几种生长方法中,氨热法被普遍认为是生长GaN体单晶的一种很有前途的方法。本文主要论述了在不同矿化剂生长条件下GaN晶体的氨热法生长进展,指出了存在的问题,并给出了一些解决办法。
- 何小玲张昌龙周海涛左艳彬覃世杰王金亮
- 关键词：氮化镓
- 水热法生长宽禁带氧化锌单晶研究进展
- 2015年
- 罗列了第三代半导体材料宽禁带氧化锌材料的发展历史与应用前景,总结了ZnO的结构性能、应用方向和制备方法,介绍了宽禁带氧化锌半导体晶体相对于氮化镓材料具有的显著优势:即具有更大的激子结合能(60meV),更低的激射阀值,有望实现室温下高效低阈值的紫外激光。氧化锌相比已获得巨大成功的氮化镓来说其原材料成本极低,环境友好,合成技术门槛低。目前氧化锌半导体材料的研究难点和热点还集中在p型掺杂材料和器件的研发方面。氧化锌优良的物理特性使其成为新一代主流宽带隙半导体材料,生长大尺寸高结晶质量的ZnO单晶对基础研究还是实际应用都有重要意义,文章还着重介绍了水热法合成氧化锌宽禁带半导体单晶的方法和技术优势,展示了我单位在水热法氧化锌单晶合成方面的最新研究进展。
- 王金亮任孟德左艳彬何小玲张昌龙
- 关键词：人工晶体氧化锌宽禁带水热法
- GaN材料的应用及研究进展被引量：4
- 2013年
- 论述了近年来国内外GaN材料的最新研究热点和应用情况,着重介绍了GaN低维度纳米材料、外延薄膜材料以及体单晶的常规制备技术;讨论了未来氮化镓材料的研究方向;从不同GaN材料的制备技术路线、合成原理及结晶特性,评估了各种方法的优缺点和进行产业化推广应用的可行性。
- 任孟德秦建新王金亮陈超张昌龙
