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国家自然科学基金(11204027)

作品数:7 被引量:13H指数:2
相关作者:钟瑞霞刘自然齐建全张晓燕倪波更多>>
相关机构:东北大学河北科技师范学院清华大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中央级公益性科研院所基本科研业务费专项河北省自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程

主题

  • 2篇荧光
  • 2篇绿色荧光
  • 2篇介电
  • 2篇介电性
  • 2篇发光
  • 2篇ZN
  • 2篇长余辉
  • 1篇动力学
  • 1篇压电
  • 1篇压电性
  • 1篇荧光粉
  • 1篇余辉
  • 1篇制备及性能
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电性
  • 1篇谱性质
  • 1篇锌源
  • 1篇结晶动力学
  • 1篇共掺
  • 1篇共掺杂

机构

  • 7篇东北大学
  • 4篇河北科技师范...
  • 1篇清华大学

作者

  • 6篇钟瑞霞
  • 3篇齐建全
  • 3篇张晓燕
  • 3篇刘自然
  • 2篇齐西伟
  • 2篇孙桂芳
  • 2篇倪波
  • 1篇吴音
  • 1篇李龙土
  • 1篇王晓强
  • 1篇李明亚
  • 1篇温笑菁

传媒

  • 3篇稀有金属材料...
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇高分子材料科...
  • 1篇中国稀土学报

年份

  • 4篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
γ-Zn_3(PO_4)_2:Mn^(2+),Ga^(3+)的发光性质及能量传递被引量:2
2013年
采用高温固相法合成了Mn2+单掺杂及Mn2+,Ga3+共掺杂的γ-Zn3(PO4)2。γ-Zn3(PO4)2:Mn2+的发射峰位于620 nm,而γ-Zn3(PO4)2:Mn2+,Ga3+发射光谱有两个发射峰,其中一个发射峰位于507 nm,另一个发射峰位于620 nm。507 nm的发射峰来自于处于四面体晶体场中Mn2+(CN=4)的4T1g-6A1g能级跃迁,而620 nm的发射峰来自于处于八面体晶体场中Mn2+(CN=6)的激发态4T1g-6A1g的能级跃迁。在Mn2+,Ga3+共掺杂的样品中,八面体场中Mn2+的激发光谱与四面体场中Mn2+的发射光谱有显著的光谱重叠,满足共振能量传递条件,从而发生了Mn2+(CN=4)向Mn2+(CN=6)的能量传递,对此进行了证明及讨论。此外,Mn2+离子在四面体场及八面体场中的浓度分布随着Ga3+离子的掺入量而发生变化。Ga3+离子对Mn2+在四面体场与八面体场浓度比值起到调节作用。随着Mn2+离子和Ga3+离子浓度的增加,发射光谱中绿光强度与红光强度比值也逐渐增加。最终,发射光谱中绿光强度与红光强度的相对比值是由Mn2+离子浓度、Ga3+离子浓度及Mn2+(CN=4)向Mn2+(CN=6)的能量传递3个因素决定的。
刘自然钟瑞霞
关键词:绿色荧光
Ba1-x(Na0.5Bi0.5)xZr0.1Ti0.9O3陶瓷的制备及性能研究
2015年
采用固相法制备Ba1-x(Na0.5Bi0.5)xZr0.1Ti0.9O3(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2)陶瓷,并研究Bi、Na共同掺杂对Ba Zr0.1Ti0.9O3陶瓷结构、相组成、介电和铁电性能的影响。研究表明,Bi、Na共掺杂可以降低Ba Zr0.1Ti0.9O3陶瓷的烧结温度,并且在现有的掺杂水平下,所得陶瓷均为单一钙钛矿结构。陶瓷的相对介电常数在x=0.05时,由未掺杂的800增至最大值1700左右。陶瓷的介电损耗随Bi、Na掺杂量的增加,呈增加趋势。铁电性研究表明,随Bi、Na掺杂量的增加,存在漏电流增大的趋势,使得铁电性恶化,当含量超过0.1后呈现非铁电性。由以上可知,掺杂少量的Bi、Na,可以在一定程度上提高Ba Zr0.1Ti0.9O3陶瓷的介电性。
范明月张晓燕倪波孙桂芳齐西伟包立钟瑞霞
关键词:铁电性介电性
(1-x)LiNbO3-xBiAlO3(x=0~0.7)陶瓷的制备及性能被引量:1
2015年
采用固相合成法制备了(1–x)LiNbO3-x BiAlO_3(x=0,0.01,0.03,0.05,0.07)无铅压电陶瓷。研究了BiAlO_3对Li NbO_3陶瓷的物相结构、显微组织、介电及压电性能的影响。研究表明:当掺杂量为0.01时,所得陶瓷为纯相钙钛矿结构,当掺杂量超过0.03时出现杂相。所得陶瓷的相对密度均在96%以上,具有较好的致密度。随BiAlO_3含量的增加,晶粒尺寸略有增大。BiAlO_3的加入使复介电常数的共振峰有向低频方向移动的趋势。压电及介电性能的变化规律与晶粒尺寸变化一致,即随BiAlO_3含量的增加,d33和复介电常数的实部ε′均在x=0.07时出现最大值。因此,适量添加BiAlO_3可以增加LiNbO_3陶瓷的介电性能与压电性能。
张晓燕张晓燕倪波齐西伟张诚然孙桂芳包立孙桂芳
关键词:LIO3O3压电性介电性
近紫外光LED芯片用红色荧光粉SrIn_2O_4:Eu^(3+),Sm^(3+)的制备及性能研究被引量:2
2015年
利用高温固相法制备了Eu^(3+)、Sm^(3+)单掺杂及共掺杂的SrIn_2O_4荧光材料.通过XRD、激发光谱、发射光谱等对SrIn_2O_4∶Eu^(3+)、Sr In_2O_4∶Sm^(3+)、Sr In2O4∶Eu^(3+),Sm^(3+)进行表征。结果表明,Sr In2O4∶Eu^(3+)在近紫外光395 nm激发下能够有效的产生616 nm的红光发射.在Sr In2O4∶Sm^(3+)体系中发现,该系列样品适合于407 nm的紫光激发,发射峰位于607 nm.在Sr In_2O_4∶Eu3^(3+)Sm^(3+)体系中,通过光谱分析发现,基质中存在Eu^(3+)和Sm^(3+)激活剂之间的相互能量传递过程.该能量传递过程使Sr In2O4∶Eu^(3+),Sm^(3+)更适合于390~410 nm紫外芯片激发的LED用红色荧光粉。
龚文丽钟瑞霞齐建全刘自然张晓燕
关键词:红色荧光粉
不同锌源对ZnGa_2O_4发光性能的影响
2015年
采用不同锌源(氧化锌及碱式碳酸锌)利用高温固相法在相同烧结温度下制备了ZnGa_2O_4。通过XRD、激发光谱、发射光谱、余辉发射光谱、余辉衰减曲线等实验手段对不同锌源生成的ZnGa_2O_4样品进行表征。实验结果表明,不同锌源的ZnGa_2O_4荧光性质不同。以氧化锌为锌源制备的ZnGa_2O_4,其发射峰由3个峰组成,峰值分别位于362,504和700 nm。而以碱式碳酸锌为锌源制备的ZnGa_2O_4其发射峰由2个峰组成,峰值分别位于504,700 nm。其发射峰不同是由于不同锌源的挥发性不同,氧化锌挥发性大于碱式碳酸锌,因此,由氧化锌为锌源制备的ZnGa_2O_4中含有大量的Zn空位及氧空位。而碱式碳酸锌制备的ZnGa_2O_4空位相对少。当Ga3+占据Zn空位形成八面体扭曲程度不同,d轨道劈裂不同,因而造成ZnGa_2O_4荧光性质不同。不同锌源制备的ZnGa_2O_4余辉发射光谱相同,但余辉亮度及衰减时间却存在很大差异。其原因也是由于不同锌源挥发性不同,造成陷阱深度及浓度不同,从而导致余辉性能差别较大。
钟瑞霞龚文丽齐建全刘自然张晓燕
关键词:ZN长余辉绿色荧光
聚对苯二甲酰癸二胺(PA10T)的结晶动力学被引量:7
2014年
用差示扫描量热仪详细研究了聚对苯二甲酰癸二胺(PA10T)的等温与非等温结晶动力学。用Avrami方程描述了PA10T等温结晶动力学,发现PA10T在选定的结晶条件下晶体的生长模式是二维生长,成核方式为均相成核,并求出Avrami指数为2,结晶活化能为302.32 kJ/mol;研究PA10T非等温结晶动力学后,发现随着降温速率的增大,结晶峰值温度向低温移动,结晶度和结晶焓增加,结晶速率显著加快。用Mo方程描述了其非等温结晶动力学,F(T)值随着相对结晶度的增加而增加,α值基本保持在1.6,非等温结晶活化能为338.56 kJ/mol。
温笑菁易庆锋麦杰鸿蒋智强姜苏俊
关键词:结晶动力学
绿色/红色长余辉材料γ-Zn_3(PO_4)_2:Mn^(2+),Ga^(3+),Ho^(3+)的合成及光谱性质被引量:1
2013年
采用高温固相法合成了Mn2+单掺杂、Mn2+,Ga3+(Ho3+)共掺杂以及Mn2+,Ga3+,Ho3+三掺杂的γ-Zn3(PO4)2。在Mn2+单掺杂的样品中,发射峰位于620nm,该样品在紫外光照射样品后,发现存在红色余辉,余辉中心与荧光中心相同。当Mn2+,Ga3+(Ho3+)共掺杂时,样品同时存在峰值位于620nm的红光发射和峰值位于507nm的绿光发射,紫外光照射样品后,样品存在红色余辉及绿色余辉。Ga3+和Ho3+在基质中自身是不发光,作为共掺杂离子,不仅可以起到调节发光中心的作用,还形成了新的深度适合的陷阱,使得绿色余辉及红色余辉性能有了很大的提高。掺杂双陷阱离子Ga3+和Ho3+,样品余辉性能最佳。
钟瑞霞刘自然齐建全吴音李明亚王晓强李龙土
关键词:长余辉
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