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国家自然科学基金(61131005)

作品数:19 被引量:65H指数:4
相关作者:文岐业张怀武杨青慧陈智荆玉兰更多>>
相关机构:电子科技大学南开大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”教育部科学技术研究重大项目更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 19篇中文期刊文章

领域

  • 13篇电子电信
  • 6篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 7篇太赫兹
  • 6篇赫兹
  • 4篇调制
  • 3篇调制器
  • 3篇太赫兹波
  • 3篇二氧化钒
  • 3篇TERAHE...
  • 2篇调谐
  • 2篇氧化钒薄膜
  • 2篇相变
  • 2篇可调
  • 2篇可调谐
  • 2篇光控
  • 2篇硅基
  • 2篇二氧化钒薄膜
  • 2篇VO
  • 2篇超材料
  • 1篇带通
  • 1篇带通滤波
  • 1篇带通滤波器

机构

  • 15篇电子科技大学
  • 1篇南开大学

作者

  • 11篇张怀武
  • 11篇文岐业
  • 10篇杨青慧
  • 6篇陈智
  • 4篇荆玉兰
  • 3篇孙丹丹
  • 3篇田伟
  • 2篇邱东鸿
  • 2篇董凯
  • 2篇赖伟恩
  • 1篇常胜江
  • 1篇张继华
  • 1篇林列
  • 1篇张万里
  • 1篇杨雪
  • 1篇戴雨涵
  • 1篇王涛
  • 1篇蒋亚东
  • 1篇赵碧辉
  • 1篇李胜

传媒

  • 7篇物理学报
  • 3篇电子科技
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇压电与声光
  • 1篇Chines...
  • 1篇Chines...
  • 1篇Nano-M...
  • 1篇Optoel...
  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 4篇2014
  • 5篇2013
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
石墨烯太赫兹调制器及330GHz无线通信系统被引量:1
2014年
现有太赫兹无线通信系统通常采用微波倍频或直接调源的方式。本文从太赫兹波空间调制技术出发,研究了一种基于直接调制技术的太赫兹无线通信系统。重点探索了一种基于石墨烯/半导体硅的复合结构(GOS),研究出调制速率达到1 MHz,调制深度50%以上,工作频带覆盖0.2 THz^2 THz频段的新型全光学太赫兹调制器。在此基础上,构建了330 GHz载波频率的太赫兹无线通信系统,实现了1 Mbps的通信速率。
刘海涛文岐业杨青慧陈智孙丹丹田伟张怀武
关键词:GHZ石墨烯
9 kHz~1.4 GHz高精度快速随机跳频DDS频率合成器被引量:2
2019年
为适应微波系统对频率合成器在高频率精度、频率捷变、随机跳频等方面的要求,文中设计了一种基于DDS芯片AD9914的频率合成器。论文阐述了优化频率控制字的计算方法,结合线性反馈移位寄存器LFSR产生随机跳频点,并利用FPGA对AD9914进行软硬件控制,使该频率合成器能够达到10-5 Hz的频率精度以及百纳秒内的随机扫频。测试结果表明在输出9 kHz^1.4 GHz频率时,该频率源频点准确,全频带扫频且跳频切换时间为90 ns,达到了高精度捷变频的目标,应用前景广阔。
王家敏杨青慧张怀武
关键词:快速跳频频率控制字LFSR
一种宽阻带窄带腔体滤波器的设计被引量:2
2020年
该文介绍了一种窄带带通腔体滤波器的原理和设计方法,通过加载电容原理,使滤波器的寄生通带远离通频带,并设计了带哑铃型横杆的谐振器结构,在谐振器连接点形成电压驻波零点,从而进一步抑制滤波器的寄生通带,实现了具有宽阻带的带通腔体滤波器。最后,利用微波仿真软件CST设计了一款中心频率为2.45 GHz,相对带宽为4.08%的窄带带通腔体滤波器。仿真结果表明,滤波器带外抑制高,阻带范围宽,通带内驻波良好,满足设计指标要求。
李瑞涛杨青慧张怀武
关键词:宽阻带带外抑制窄带带通滤波器腔体
基于VO_2相变的光控太赫兹调制器被引量:5
2014年
基于VO2薄膜相变特性,通过在石英基底上制备VO2薄膜和亚波长金孔阵列,并在理论和实验上研究了金属孔阵列与VO2薄膜置于基底同侧和异侧的两种太赫兹(THz)调制器。系统研究了在光泵浦条件下两种样品的THz波的传输特性。结果表明,随着泵浦光功率的改变,两种结构的器件均可以实现对THz波强度的调制。对比分析两种结构器件的THz透射谱发现,紧邻金属孔阵列的金属相VO2能够有效地抑制THz表面等离子体的局域透射增强效应,使调制器的调制深度得到显著增强,这对基于相变材料调制器的设计具有重要意义。
李伟谷文浩李吉宁常胜江莫漫漫文岐业王湘辉林列
关键词:调制器VO2薄膜
金属Pt薄膜上二氧化钒的制备及其电致相变性能研究被引量:4
2013年
通过引入SiO2氧化物缓冲层,在金属Pt电极上利用射频磁控溅射技术成功制备出高质量的VO2薄膜.详细研究了SiO2厚度对VO2薄膜的晶体结构、微观形貌和绝缘体—金属相变(MIT)性能的影响.结果表明厚度0.2μm以上的SiO2缓冲层能够有效消除VO2薄膜与金属薄膜之间的巨大应力,制备出具有明显相变特性的VO2薄膜.当缓冲层达到0.7μm以上,获得的薄膜具有明显的(011)晶面择优取向,表面平整致密,相变前后电阻率变化达到3个数量级以上.基于该技术制备了Pt-SiO2/VO2-Au三明治结构,通过在垂直膜面方向施加很小的驱动电压,观察到明显的阶梯电流跳跃,证实实现了电致绝缘体—金属相变过程.该薄膜制备工艺简单,性能稳定,器件结构灵活可应用于集成式电控功能器件.
邱东鸿文岐业杨青慧陈智荆玉兰张怀武
关键词:二氧化钒薄膜相变特性阈值电压
硅基全光宽带太赫兹幅度调制器的研究被引量:4
2015年
提出了一种基于掺金硅的全光学宽带太赫兹波幅度调制器,研究了金(Au)点阵掺杂后硅(Si)体内的少数载流子寿命及其太赫兹波调制特性.实验结果表明,掺杂的Au原子为Si中的光生电子-空穴对提供了有效复合中心,使其少数载流子寿命由原来十几微秒降低至110 ns左右.利用波长915 nm调制激光作为抽运光源,在340 GHz载波的动态调制测试中获得4.3 MHz的调制速率和21%的调制深度,使Si基调制器的调制速率提高了两个数量级.该全光太赫兹调制器可工作在整个太赫兹频段内,具有极化不敏感特性,因而在太赫兹波高速和宽带调控方面具有重要的应用价值,也是构建光控型Si基太赫兹功能器件的重要基础.
田伟文岐业陈智杨青慧荆玉兰张怀武
关键词:太赫兹波调制器光控
Strong and broadband terahertz absorber using SiO_2-based metamaterial structure被引量:1
2014年
We design and experimentally demonstrate a broadband metamaterial absorber in the terahertz (THz) band based on a periodic array of aluminum (A1) squares with two different sizes. A thin silicon dioxide (SiO2) film rather than a conventional polyimide (PI) layer is used as a dielectric spacer to separate A1 squares from the platinum (Pt) ground plane in our design, which significantly improves the design precision and the feasibility of the device fabrication. The combination of different sizes of AI squares gives rise to an absorption bandwidth of over 210 GHz with an absorption of over 90%. Our results also show that our device is almost polarization-insensitive. It works very well for all azimuthal angles with an absorption of beyond 80%.
莫漫漫文岐业陈智杨青慧邱东鸿李胜荆玉兰张怀武
关键词:TERAHERTZMETAMATERIALS
Effect of Al_2O_3 Buffer Layers on the Properties of Sputtered VO_2 Thin Films被引量:1
2017年
VO_2 thin films were grown on silicon substrates using Al_2O_3 thin films as the buffer layers. Compared with direct deposition on silicon, VO_2 thin films deposited on Al_2O_3 buffer layers experience a significant improvement in their microstructures and physical properties. By optimizing the growth conditions, the resistance of VO_2 thin films can change by four orders of magnitude with a reduced thermal hysteresis of 4 °C at the phase transition temperature. The electrically driven phase transformation was measured in Pt/Si/Al_2O_3/VO_2/Au heterostructures. The introduction of a buffer layer reduces the leakage current and Joule heating during electrically driven phase transitions. The C–V measurement result indicates that the phase transformation of VO_2 thin films can be induced by an electrical field.
Dainan ZhangTianlong WenYing XiongDonghong QiuQiye Wen
关键词:AL2O3HETEROSTRUCTURE
Terahertz polarization beam splitter based on photonic crystal and multimode interference被引量:1
2014年
We design a compact terahertz(THz) polarization beam splitter. Both plane wave expansion method and finite-difference time-domain method are used to calculate and analyze the characteristics of the proposed device. The designed polarization beam splitter can split TE-polarized and TM-polarized THz waves into different propagation directions. The simulation results show that the extinction ratios are larger than 18.36 dB for TE polarization and 13.35 dB for TM polarization in the frequency range from 1.86 THz to 1.91 THz, respectively. The designed polarization beam splitter has the advantages of small size and compact structure with a total size of 4.825 mm×0.400 mm.
刘汉李九生
关键词:PRISMS
硅基二氧化钒相变薄膜电学特性研究被引量:13
2015年
本文以原子层沉积超薄氧化铝(Al2O3)为过渡层,采用射频反应磁控溅射法在硅半导体基片上制备了颗粒致密并具有(011)择优取向的二氧化钒(VO2)薄膜.该薄膜具有显著的绝缘体—金属相变特性,相变电阻变化超过3个数量级,热滞回线宽度约为6°C.基于VO2薄膜构建了平面二端器件并测试了不同温度下I-V曲线,观测到超过2个数量级的电流跃迁幅度,显示了优越的电致相变特性.室温下电致相变阈值电压为8.6V,电致相变弛豫电压宽度约0.1 V.随着温度升高到60°C,其电致相变所需要的阈值电压减小到2.7 V.本实验制备的VO2薄膜在光电存储、开关、太赫兹调控器件中具有广泛的应用价值.
熊瑛文岐业田伟毛淇陈智杨青慧荆玉兰
关键词:二氧化钒硅基片氧化铝
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