您的位置： 专家智库 > >

国家自然科学基金(60636030F0403)

作品数：1 被引量：9H指数：1
相关作者：何国荣渠红伟韦欣陈良惠王青更多>>
相关机构：中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇腔面
  • 1篇面发射
  • 1篇面发射激光器
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇功率
  • 1篇发射激光器
  • 1篇VCSEL
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇垂直腔
  • 1篇垂直腔面
  • 1篇垂直腔面发射
  • 1篇垂直腔面发射...
  • 1篇P
  • 1篇高功率

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇宋国峰
  • 1篇曹玉莲
  • 1篇王青
  • 1篇陈良惠
  • 1篇韦欣
  • 1篇渠红伟
  • 1篇何国荣

传媒

  • 1篇光电子．激光

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
高功率VCSEL中应变补偿量子阱的理论设计被引量：9
2008年
利用模型固体理论、k.p理论和Pikus-Bir理论,研究了InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱,得出了较为简单通用的设计方法;进而研究了阱宽、InGaAs中In组分和GaAsP中P组分等参数对跃迁波长的影响。理论计算发现,与InGaAs/GaAs普通量子阱相比,InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱能提供更深的载流子阱和更大的增益。按照提出的理论设计方法,研制了含InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱的垂直腔面发射激光器(VCSEL),理论计算和实验结果相吻合。
王青曹玉莲何国荣韦欣渠红伟宋国峰陈良惠
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0