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光激发单极畴与耿氏偶极畴的物理机制比较被引量：2: 2008年; 对比了半绝缘多能谷光电导开关中光激发单极畴和耿氏器件中偶极畴的物理机制.从产生机理、电场分布、电子浓度、生长和演变过程等多角度阐述光激发单极畴的特性.与偶极畴显著不同的是,光激发单极畴内仅有光生电子积累层,没有正离子层;光激发单极畴与光生空穴之间产生了一个与外加电场反向的电场,使畴前电场增强,畴头部电子浓度最高;光激发单极畴生长过程可以一直持续下去,终因电子碰撞电离演变为发光畴,如果碰撞电离达到雪崩强度,将演变为雪崩发光畴.最后,本文用光激发单极畴模型解释了光电导开关非线性工作模式的超快上升沿、发光电流丝、电流锁定现象等重要实验现象.; 王馨梅施卫田立强侯磊; 关键词：光电半导体开关碰撞电离

半绝缘GaAs光电导开关亚皮秒传输特性的研究: 2008年; 本文应用Ensemble-Monte Carlo方法模拟了半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关基于Auston等效电路亚皮秒传输特性.从载流子在开关体内的动态特性出发,研究了光电导开关在飞秒激光脉冲触发下光电导传输特性、电介质弛豫特性、开关储能特性以及开关工作模式;分析了非线性光电导开关对光能阈值和偏置电场阈值要求的物理机制.; 贾婉丽施卫纪卫莉李孟霞; 关键词：光电导开关 CARLO方法负阻效应

半绝缘GaAs光电导开关的延迟偶极畴工作模式(英文)被引量：1: 2007年; 基于转移电子效应提出半绝缘光电导开关延迟偶极畴工作模式,理论分析了强场下开关的周期性减幅振荡.指出开关的周期性减幅振荡是由于外电路的自激振荡和开关的转移电子振荡共同作用引起的.开关的偏置电场在交流电场的调制下,当畴到达阳极时,开关电场下降到低于耿氏阈值电场ET而高于维持电场ES(维持畴生存所需的最小电场),开关将工作于延迟偶极畴模式.进而从理论和实验两方面指出半绝缘GaAs光电导开关是一种光注入畴器件,光生载流子的产生使得载流子浓度与器件长度乘积满足产生空间电荷畴所需的条件.; 田立强施卫; 关键词：耿效应自激振荡

Photovoltaic Response Characteristics of GaAs Photoconductive Switches Under High Gain Mode被引量：1: 2007年; Given is the experiment results in which the laser pulses of 1 046 nm and 532 nm are used to trigger the semi-insulation GaAs photoconductive semiconductor switch(PCSS) with an electrode distance of 4 mm. And made is an analysis of the switchs photovoltaic response characteristics under the high gain mode when the biased field is bigger than the Geng effect field. Also a theory is presented that the main reason for the photovoltaic pulse response delay is the transmission of charge domain, caused by the presence of EL2 energy level in the chip material. Finally, the transmission time of charge domain is calculated and a result that inosculates with the experiment is attained.; DAI Hui-yingSHI Wei; 关键词：光电子技术开关

光导开关中的感生电流与传导电流被引量：7: 2006年; 利用数值方法对线性条件下横向光电导开关的感生电流和传导电流进行了计算和比较.结果表明在特定的实验条件下,感生电流才会对输出电脉冲产生较大的影响.分析了超快光电导开关在不同实验条件下传导电流与位移电流对输出电脉冲的影响.根据该结论,给出非线性模式下,光电导开关电脉冲超快上升沿小于载流子以饱和速度在电极间渡越所需时间的现象.; 屈光辉施卫; 关键词：光电导开关传导电流位移电流

非线性光电导开关载流子碰撞电离分析被引量：1: 2008年; 对非线性GaAs光电导开关在锁定期间的电流成丝现象、具有负微分迁移率的速场特性、深能级的陷阱效应、光子的再吸收等因素进行分析,建立了非线性光电导开关锁定期间的连续性方程和电中性方程.基于该方程组,用有限差分法计算了偏压为2200V的3.5mmGaAs:EL2非线性光电导开关的电流实验数据,得到电流丝内载流子瞬态特性为:载流子浓度约为1017cm-3,EL2电子陷阱近似饱和;电子电流随锁定时间明显下降,空穴电流基本不变;单位寿命时间载流子雪崩倍增因子的均值约为1.2,其统计起伏随锁定时间增大.; 王馨梅施卫屈光辉侯磊; 关键词：光电半导体开关砷化镓碰撞电离

半绝缘GaAs光电导开关中光激发电荷畴的猝灭畴模式(英文): 2008年; 在半绝缘GaAs光电导开关中发现了光激发电荷畴的猝灭畴模式.分析指出畴猝灭是由于畴在渡越中开关的瞬时电场低于畴的维持电场引起的,并指出在开关电场低于非线性光电导开关阈值电场条件下,在到达阳极前畴的猝灭可导致开关输出电流的振荡频率高于畴的渡越时间频率.根据开关工作电路条件及畴特性给出了猝灭畴模式的等效电路,计算了相应的电路参数,计算结果与实验基本吻合.该研究为提高光注入畴器件的振荡频率及工作效率提供了理论和实验依据.; 田立强施卫; 关键词：光电导开关等效电路

高增益双层组合GaAs光电导开关设计与实验研究被引量：8: 2008年; 设计制备了一种由双层半绝缘GaAs:EL2晶体组成的新型超快光电导功率开关.由于触发状态下双层GaAs晶体之间满足动态分压关系,使该开关在强电场偏置下触发时,双层GaAs晶体既能先后发生高增益过程,又能相互抑制对方进入锁定状态,开关输出为近似方波的双峰脉冲.因此,这种开关的工作方式既具有非线性模式特有的所需触发光能小、上升速度快等优点,又具有线性模式特有的重复工作频率高、使用寿命长等优点.偏压6500 V时用脉宽8 ns、能量3 mJ的1064 nm激光触发,输出电脉冲的上升沿为13.2 ns,下降沿为54.6 ns,脉宽为148.4 ns,第一个波峰高885 V,第二个波峰高897 V.随着外加偏置电压的提高,上升时间基本不变,脉宽和下降时间均略有减小,双峰峰值均明显增大.; 施卫王馨梅侯磊徐鸣刘峥; 关键词：光电半导体开关高增益

GaAs光导开关超短电脉冲响应特性的研究被引量：4: 2007年; 用1064 nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光导开关,对线性模式输出超短电脉冲响应特性进行了测试,并对所测试的实验结果进行理论分析。分别给出了在偏置电压和触发光能一定的条件下,超短电脉冲响应特性的变化规律;指出影响超短电脉冲响应特性的主要原因是由于缺陷能级的俘获作用,共面微带传输线对超短电脉冲波形不产生明显的影响。; 戴慧莹马德明施卫; 关键词：光导开关响应特性

超快光电导开关瞬态电阻计算方法被引量：1: 2009年; 应用电磁学原理,研究了光电导开关输出电流中的位移电流和传导电流,认为位移电流可以由内建电场变化和负载分压过程引起。内建电场变化引起的位移电流在大间隙光电导开关中可以忽略;负载分压引起的位移电流能够抑制光电导开关输出电流的变化。横向光电导开关的输出电流主要依赖电极吸收载流子形成的传导电流和负载分压引起的位移电流。建立了基于载流子输运过程与瞬态电磁过程的全电流模型。根据此模型得到了光电导开关瞬态电阻计算方法,与电导率模型相比,该方法可以更精确描述超快光电导开关的瞬态电阻。; 屈光辉施卫贾婉丽; 关键词：光电导开关位移电流

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国家自然科学基金(50477011)

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