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GaN基发光二极管的电极优化: ＜正＞由 AlN,GaN,InN 组成的Ⅲ-Ⅴ族氮化物及其合金的直接带隙可以从 InN 的0.7eV 到 AIN 的6.2eV 变化,因此由Ⅲ-Ⅴ族氮化物制备的各种器件的工作波长可以从红光一直延续到紫外波段,且Ⅲ-Ⅴ族氮...; 毛明华尹以安刘宝林张保平; 文献传递

In组分渐变提高InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光性能被引量：4: 2010年; 利用金属有机物化学气相沉积系统在蓝宝石衬底上通过有源层的变温生长,得到In组分渐变的量子阱结构,从而获得具有三角形能带结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)(简称三角形量子阱结构LED).变温光致发光谱结果表明,相对于传统具有方形能带结构的量子阱LED(简称方形量子阱结构LED),三角形量子阱结构有效提高了量子阱中电子和空穴波函数的空间交叠,从而增加了LED的内量子效率;电致发光谱结果表明,三角形量子阱结构LED器件与传统结构LED器件相比,明显改善了发光峰值波长随着电流的蓝移现象.通过以上的结果比较,三角形量子阱结构LED比传统结构LED具有更高的发光效率.; 朱丽虹蔡加法李晓莹邓彪刘宝林; 关键词：金属有机物化学气相沉积 INGAN/GAN多量子阱发光二极管内量子效率

GaN基白光发光二极管失效机理分析被引量：21: 2010年; 对小功率白光GaN基发光二极管(LED)在室温、40℃和70℃下进行温度加速老化寿命实验,通过对老化前后不同时间段器件的电学、光学和热学特性进行测量来分析器件的失效机理,着重分析器件的芯片和荧光粉的失效机理.器件老化前后的I-V特性表明:老化过程中,器件的串联电阻和低正向偏压下的隧道电流增大,这是由于器件工作时其芯片的欧姆接触退化和半导体材料的缺陷密度升高而引起的.器件的热特性表明:高温度应力下器件的热阻迅速变大,封装材料迅速退化,这是器件退化的主要原因;光谱曲线表明温度加速了器件的光功率衰减,并使荧光粉的转换效率迅速降低.最后使用阿伦尼斯方程对室温下器件的预测寿命进行了计算,并分析了GaN基白光LED的失效机理.; 薛正群黄生荣张保平陈朝; 关键词：GAN 白光LED

纳秒级脉冲激光诱导Zn掺杂过程中GaN/Al_2O_3材料的温度分布及热形变解析分析被引量：1: 2007年; 分析了纳秒级脉冲激光作用下GaN的激光诱导Zn的掺杂过程.利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/Al2O3材料温度分布的解析形式,得到了GaN材料表面温度与激光辐照时间的关系以及材料形变与深度的关系.在激光脉冲作用时,GaN材料表面的温度与辐照时间的平方根成正比.脉冲过后,材料温度分布梯度和热形变分布随深度发生变化,接近表面的温度梯度最大,热形变量也最大.而在连续脉冲作用时表面的温度呈锯齿状不断升高.; 黄生荣陈朝; 关键词：激光诱导温度分布热形变

优化GaN基发光二极管的电极被引量：1: 2007年; 针对以蓝宝石为衬底的GaN基发光二极管出现的电流扩展不均的问题,采用有限元方法建立了GaN基发光二极管的三维网络模型,并对四种常见结构的器件进行数值模拟,发现影响二极管电流的因素不仅与发光二极管电极的位置有关,而且依赖于器件的结构参数。以电流扩展不均为指标确定出这四种器件中最佳的电极位置分布,同时对最佳电极位置分布的器件进行了结构参数优化,结果表明当p型金属层方块电阻与n型GaN的方块电阻接近时,电流扩展均匀性最好,且p-GaN的接触电阻和厚度越小,电流扩展越不均匀。; 毛明华尹以安刘宝林张保平; 关键词：有限元方法电极电流扩展

低p-GaN欧姆接触电阻的研究被引量：4: 2007年; 利用低压MOCVD系统,获得了p-GaN和p-InGaN/GaN超晶格结构2种材料,用圆形传输线模型(CTLM)测量了它们的比接触电阻率,并对表面处理、金属沉积和合金化处理的工艺条件进行了优化,得到了550℃、O2氛围下合金30min的最佳条件,获得最低的比接触电阻率为1.99×10-4Ω.cm2。; 尹以安刘宝林; 关键词：P-GAN INGAN/GAN

2×25.4mm GaN LED外延膜的激光剥离及其衬底的重复利用: 2008年; 利用激光剥离技术实现直径为50.8mm GaNLED外延膜的大面积完整剥离。激光剥离后的原子力显微镜(AFM)扫描和X射线双晶衍射谱(XRD)表明剥离前后外延膜的质量并未明显改变。并报道了在剥离掉后的蓝宝石(α-Al2O3)衬底上MOCVD外延生长InGaN/GaN多量子阱(MQW′s)LED器件结构,通过光致发光谱(PL)和XRD谱对比分析了在相同条件下剥离掉后衬底与常规衬底上生长的GaNLED外延膜晶体质量。; 黄瑾郑清洪刘宝林; 关键词：GAN 激光剥离

Laser lift-off technique and the re-utilization of GaN-based LED films grown on sapphire substrate被引量：2: 2008年; A thin GaN LED film, grown on 2-inch-diameter sapphire substrates, is separated by laser lift-off. Atom force microscopy （AFM） and the double-crystal X-ray diffraction （XRD） have been employed to characterize the performance of Gan before and after the lift-off process. It is demonstrated that the separation and transfer processes do not alter the crystal quality of the GaN films obviously. InGaN/GaN multi-quantum-wells （MQW＇s） structure is grown on the separated sapphire substrate later and is compared with that grown on the conventional substmte under the same condition by using PL and XRD spectrum.; HUANG Jin ZHENG Qing-hong LIU Bao-lin; 关键词：激光器 GAN 晶体质量

激光诱导p-GaN掺杂对发光二极管性能改善的分析被引量：2: 2010年; 采用激光诱导掺锌的方法提高了常规GaN基外延片p-GaN层的空穴浓度,并将它制备成小功率白光发光二极管(LED).对其光电性能做了详细的测量并进行了加速老化实验和分析.结果表明,与常规LED相比,经过激光诱导p-GaN层掺锌LED的光电性能获得了明显改善:正向工作电压VF从3.33V降到3.13V,串联电阻从30.27Ω降到20.27Ω,室温下衰退系数从1.68×10-4降到1.34×10-4,老化1600h后的反向漏电流从超过0.2μA降为不超过0.025μA,器件的预测寿命延长了41%.器件光电性能改善的主要原因是激光诱导掺锌使LED的p-型欧姆接触改善和热阻降低所致.; 薛正群黄生荣张保平陈朝; 关键词：GAN 发光二极管

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国家高技术研究发展计划(2004AA311020)