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镁流量对MOCVD生长的P型GaN薄膜特性的影响被引量：2: 2006年; 利用MOCVD生长了不同Mg流量的P型GaN样品。研究了Mg流量对MOCVD生长的P型GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量的影响。结果表明利用MOCVD制备高质量的P型GaN薄膜,Mg流量应处于一个合适的范围,Mg流量过低,薄膜的空穴浓度低,电学特性不好;Mg流量过高,则会产生大量的缺陷,晶体质量与表面形貌变差,Mg的活化率也降低,并且自补偿效应更加严重,最终使得空穴浓度降低,电学特性变差。将优化的条件应用于蓝光发光管的外延生长,并制备了器件,在20mA的注入电流下,输出功率为6.5mW,正向压降3V,反向击穿电压为20V。; 牛南辉王怀兵刘建平刘乃鑫刑燕辉韩军邓军沈光地; 关键词：氮化镓掺杂金属有机物化学气相淀积

激光剥离技术中GaN材料温度场的研究: 2005年; 对使用脉冲激光实现GaN/Sapphire剥离技术,建立了激光剥离过程中GaN外延层一维热传导理论模型。计算分析了单脉冲辐照时,激光剥离过程中GaN外延层内的温度场分布。得到实现激光剥离阈值能量密度为400mJ/cm2,脉冲频率上限约为1400Hz,阈值条件下剥离过程中高温区分布限制在100nm以内。从而证明GaN基发光二极管(LED)外延结构无损伤激光剥离的可行性,并且为激光剥离技术参数的选取提供了理论依据。; 王婷郭霞郭伟玲牛南辉沈光地; 关键词：温度场脉冲激光 GAN

隧道再生半导体激光器热弛豫积累过程研究被引量：4: 2008年; 针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型。利用有限元方法模拟计算得到了两有源区隧道再生半导体激光器在不同占空比下工作时的热弛豫积累过程。模拟结果表明,芯片达到平衡前的热弛豫积累时间和达到热平衡时的温度均随注入电流占空比的增加而增加,热弛豫积累时间小于200ms。芯片内部温度分布表明,靠近衬底的有源区温度略高于靠近热沉的有源区温度,但温度差较小,热效应造成的波长漂移不会造成双峰现象。实验测量了在相同的边界条件下,不同占空比下器件的峰值波长,将其转换为温升,与模拟结果吻合。; 张蕾崔碧峰沈光地郭伟玲刘斌王智群; 关键词：半导体激光器隧道再生占空比

两基色白光LED的光视效能的研究被引量：2: 2006年; 光视效能的高低直接影响到光源的光效,两基色白光LED存在无数个同色异谱色,它们的光视效能值不同。通过计算确定了可合成白光的两基色的选取范围,确定了得到高光视效能的白光LED的两基色的选取范围。; 张蕾郭霞沈光地刘诗文梁庭王惠; 关键词：白光LED 配色光视效能

Integration of GaN thin films with silicon substrates by fusion bonding and laser lift-off被引量：3: 2006年; GaN thin films grown on sapphire substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) are successfully bonded and transferred onto Si receptor substrates using fusion bonding and laser lift-off (LLO) technique. GaN/Al_2O_3 structures are joined to Si substrates by pressure bonding Ti/Au coated GaN surface onto Ti/Au coated Si receptor substrates at the temperature of 400℃. KrF excimer laser with 400-mJ/cm^2 energy density, 248-nm wavelength, and 30-ns pulse width is used to irradiate the wafer through the transparent sapphire substrates and separate GaN films from sapphire. Cross-section scanning electron microscopy (SEM) combined with energy dispersive X-ray spectrometer (EDS) measurements show that Au/Si solid solution is formed during bonding process. Atomic force microscopy (AFM) and photoluminescence (PL) measurements show that the qualities of GaN films on Si substrates degrade little after substrates transfer.; 王婷郭霞方圆刘斌沈光地; 关键词：激光技术

隧道再生半导体激光器内部温度场的三维分布被引量：1: 2008年; 针对隧道再生半导体激光器,建立了内部热源分布模型,利用有限元方法模拟计算了两有源区隧道再生半导体激光器瞬态和稳态三维温度分布。瞬态模拟结果表明,加电后几个s的时间内两个有源区的温升很小,在几个s到几十个ms的时间内温度上升很快,几百个ms以后温度达到稳态,与测量结果吻合。稳态模拟结果表明,稳态时温升集中在脊形电极内,靠近衬底的有源区温度始终高于靠近热沉的有源区的温度。沿腔长方向存在温差,在光反射腔面附近温度下降较快。芯片内最高温度出现在靠近衬底有源区的光出射腔面的脊形电极中心。; 张蕾崔碧峰段天利马楠郭伟玲王智群沈光地; 关键词：半导体激光器瞬态稳态隧道再生

双有源区隧道再生半导体激光器温度场分布研究被引量：8: 2007年; 针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型,分析了三种封装方式对芯片内部温度分布的影响;模拟结果表明加电后几微秒的时间内,芯片内温度场分布主要由隧道再生结构的热特性决定,与封装形式关系不大;在几微秒到几十或一百毫秒的时间范围内,有源区的温度上升很快;几百毫秒以后,器件温度达到稳态,有源区的平衡温度主要决定于载体的散热特性。稳态时靠近衬底的有源区温度高于靠近热沉的有源区的温度,但两有源区的温差很小,芯片内最高温度出现在靠近衬底有源区的脊形中心。; 张蕾崔碧峰黄宏娟郭伟玲王智群沈光地; 关键词：半导体激光器瞬态稳态隧道再生封装

激光剥离技术制备GaN/metal/Si的结构和光学特性研究被引量：1: 2007年; 采用激光剥离技术结合金属熔融键合技术将生长在蓝宝石衬底上的GaN外延层转移到Si衬底上。GaN和Si表面分别用电子束蒸发Al/Ti/Au和Ti/Au/In后,在氮气环境下200℃加压实现GaN和Si的键合。采用脉冲宽度30ns、波长248nm的准分子脉冲激光透过蓝宝石衬底辐照GaN薄膜,在脉冲激光能量密度为380mJ/cm2的条件下将蓝宝石衬底剥离下来,实现GaN薄膜向Si衬底的转移。样品截面显微镜和扫描电镜(SEM)照片说明经过键合工艺形成了致密的GaN/Al/Ti/Au/In/Au/Ti/Si结构。对转移衬底后的GaN薄膜进行原子力显微镜(AFM)和光致发光谱(PL)测试,结果表明金属熔融键合和激光剥离工艺没有对GaN薄膜的结构和光学特性带来明显的不利影响。; 王婷郭霞方圆刘斌沈光地; 关键词：激光剥离 GAN 原子力显微镜光致发光谱

焊料空隙对条形量子阱激光器温度分布的影响被引量：5: 2007年; 针对量子阱半导体激光器建立了内部的热源分布模型,利用有限元方法模拟计算得到了条形量子阱半导体激光器的三维稳态温度分布,分析了芯片与热沉间的焊料空隙对芯片内部稳态温度分布的影响.模拟结果表明焊料空隙的位置和尺寸都将影响到芯片内部的温度分布,焊料空隙的存在将导致空隙上方的芯片内部出现局部热点.随着焊料空隙的增大,芯片内热点区域增大,温度增高.位于芯片的条形电极中心下方的焊料空隙引起的芯片内部局部温升最大,并且沿腔长方向光出射腔面上温度相对较高,易引起光出射腔面上正反馈的电热烧毁,与实验结果吻合.; 张蕾崔碧峰黄宏娟郭伟玲王智群沈光地; 关键词：激光技术半导体激光器

隧道再生半导体激光器的三维稳态热特性研究被引量：1: 2008年; 针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型,利用有限元方法模拟计算得到了两有源区隧道再生半导体激光器稳态三维温度分布。模拟结果表明,靠近衬底的有源区的光出射腔面中心的温度最高。在平行于结的方向上,温升集中在脊形电极内;在垂直于结的方向上,靠近衬底的有源区温度始终高于靠近热沉的有源区的温度;沿腔长方向,在光反射腔面附近温度下降较快。随着注入电流的增大,两有源区的温度升高,温差变大。实验测量了不同注入电流下器件的峰值波长,将其转换为温升,与模拟结果吻合。; 张蕾崔碧峰郭伟玲王智群沈光地; 关键词：半导体激光器稳态隧道再生

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国家高技术研究发展计划(2004AA311030)

文献类型

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机构

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