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国家科技重大专项(2009ZX02008)

作品数：1 被引量：4H指数：1
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇湿法
  • 1篇铜污染
  • 1篇污染
  • 1篇刻蚀

机构

  • 1篇沈阳芯源微电...

作者

  • 1篇陈波

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
硅片背面铜污染的清洗被引量：4
2011年
H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O为半导体芯片生产过程中三种去除硅片背面铜污染的化学清洗液。在单片湿法清洗机上采用这三种化学液对直径300 mm具有类似于实际生产中铜污染的硅片进行了清洗,结果发现H2SO4/H2O2/H2O在清洗过程中不对硅片表面的Si3N4膜产生损伤,但铜污染的去除效率较低;HNO3/HF和HF/H2O2/H2O对Si3N4膜产生微量刻蚀,从而去除扩散至硅片内部铜污染,从而显示出较佳的去除效果。通过比较HF/H2O2/H2O中HF体积分数与Si3N4膜刻蚀深度和清洗后铜原子浓度,HF的体积分数为1.5%时,可以使硅片表面铜原子浓度降至1010cm-2以下,并且Si3N4膜厚的损失小于1 nm。
陈波
关键词：铜污染湿法刻蚀
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共1页<1>
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