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国家自然科学基金(10705055)

作品数:6 被引量:17H指数:3
相关作者:陈红斌刘晓奇徐大向佐勇刘正才更多>>
相关机构:中南林业科技大学湖南师范大学湘潭大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中南林业科技大学青年科学基金湖南省教育厅科研基金更多>>
相关领域:理学天文地球自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 1篇天文地球
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇电子结构
  • 1篇性能比较
  • 1篇遗传算法
  • 1篇有限元方法
  • 1篇元方法
  • 1篇刃型位错
  • 1篇弱奇异核
  • 1篇数学
  • 1篇搜索
  • 1篇奇异核
  • 1篇子结构
  • 1篇最优阶误差估...
  • 1篇微分
  • 1篇微分方程
  • 1篇位错
  • 1篇旅行商
  • 1篇旅行商问题
  • 1篇局部搜索
  • 1篇混合有限元
  • 1篇混合有限元方...

机构

  • 4篇中南林业科技...
  • 1篇钢铁研究总院
  • 1篇湖南师范大学
  • 1篇湘潭大学

作者

  • 2篇陈红斌
  • 1篇陈丽群
  • 1篇于涛
  • 1篇徐大
  • 1篇夏灿芳
  • 1篇刘晓奇
  • 1篇刘正才
  • 1篇邱正琛
  • 1篇向佐勇
  • 1篇田冰

传媒

  • 2篇Scienc...
  • 1篇物理学报
  • 1篇应用数学学报
  • 1篇计算机工程与...
  • 1篇中南林业科技...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一类带弱奇异核Volterra积分微分方程的数值逆方法
2009年
给出了一种求一类带弱奇异核Volterra积分微分方程的数值新方法,即基于Laplace变换的数值逆方法,并给出了数值例子.
陈红斌田冰
关键词:数学VOLTERRA积分微分方程弱奇异核LAPLACE变换
Observations favor the crossing of phantom divide lines被引量:6
2010年
Using three different parameterized dark energy models, we reconstruct the properties of dark energy from the latest 397 Sne Ia, CMB and BAO with the present matter density, Ωm0, given prior. We find that, when Ωm0 is not small, for example, Ωm0 = 0.28 or 0.32, an evolving dark energy with a crossing of phantom divide line is favored and this conclusion seems to be model independent. We also find that the evolving properties of dark energy become more and more evident with the increase of Ωm0 given prior.
HUANG TieTie1,2,3, WU PuXun2,3 & YU HongWei2,3 1Department of Physics, Xiangnan College, Chenzhou 423000, China
关键词:COSMOLOGYDARK
非线性抛物型偏积分微分方程的H^1-Galerkin混合有限元方法被引量:7
2008年
本文给出一类非线性抛物型偏积分微分方程的H^1-Galerkin混合有限元方法.给出了一维空间的半离散、全离散格式及最优阶误差估计,并将该方法推广到二维和三维空间.
陈红斌徐大刘晓奇
关键词:最优阶误差估计
几种局部优化算子在求解TSP中的性能比较被引量:3
2009年
将局部优化算子引入遗传算法求解TSP问题,以求提高算法的性能。具体措施是在标准遗传算法的最后阶段增加一步,即对每代的最优个体进行一定次数的局部搜索,以求改善该最优个体。首先提出将反序-杂交法引入局部优化过程中。同几种常用的局部优化方法相比,反序-杂交法的性能最为突出。实验结果表明,该优化方法能有效求解300个城市以内的TSP问题。
向佐勇刘正才
关键词:旅行商问题简单遗传算法局部搜索
Fe中刃型位错上扭折及掺杂体系的电子结构
2009年
利用离散变分方法和DMol方法,研究了体心立方Fe中1/2[111](110)刃型位错上扭折及掺杂(N,O)体系的电子结构.能量(杂质偏聚能及格位能)计算结果表明,杂质元素N,O进入扭折芯区的偏聚趋势,这与位错扭折引起的晶格畸变有关.同时,在杂质元素周围有一些电荷聚集,导致扭折上电荷的不均匀分布,杂质原子得到电子,其周围Fe原子失去电子.由于N原子的2p轨道与近邻Fe原子的3d4s4p轨道之间杂化,使N原子与近邻Fe原子间有较强的相互作用,不利于扭折的迁移,使位错运动受阻,有利于材料强度的提高;而O与最近邻Fe原子之间的相互作用较弱.杂质-扭折复合体的局域效应明显影响体系的电子结构、能量及性能.
陈丽群于涛夏灿芳邱正琛
关键词:电子结构刃型位错
The effect of boron on the electronic structure of dislocation in NiAl被引量:1
2011年
The segregation effect of B on the [100](010) edge dislocation core in NiA1 single crystals is investigated using the DMol method and the discrete variational method within the framework of density functional theory. The impurity segregation en- ergy and the charge distribution are calculated. The effects of B on the dislocation motion are discussed. The results show that B prefers to segregate at the Center-Al dislocation core. Moreover, B forms strong bonding states with its neighboring host atoms, which may not be beneficial to the motion of the dislocation. Therefore, it can be expected that the strength of NiAl single crystals may be increased.
CHEN LiQunYU Tao
关键词:DISLOCATIONIMPURITY
共1页<1>
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