国家高技术研究发展计划(2004AA311040)
- 作品数：4 被引量：10H指数：2
- 相关作者：王军喜李晋闽魏同波刘喆段瑞飞更多>>
- 相关机构：中国科学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- AlGaN基UV-LED的研究与进展被引量：7
- 2007年
- 近年来短波长紫外LED巨大的应用价值引起了人们的高度关注,成为了全球半导体领域研究和投资的新热点。本文综合分析了AlGaN材料的生长、碎裂、掺杂和欧姆接触等问题,对UV-LED的发展历程、技术路线和研究进展进行了详细介绍,并展望了未来发展方向。
- 魏同波王军喜闫建昌李晋闽
- 关键词：ALINGAN
- MOCVD生长GaN力学性能研究被引量：2
- 2007年
- 采用MOCVD技术在蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN外延膜,利用原子力显微镜AFM、扫描电镜SEM分析了薄膜表面形貌,利用纳米压痕仪和UMT试验机考察了GaN膜的硬度、临界载荷以及摩擦学性能等。结果表明,薄膜以二维模式均匀生长,表面平整,硬度达22.1MPa,弹性模量为299.5GPa,与衬底结合紧密,临界载荷达1.6N,与GCr15钢球对磨时摩擦系数仅为0.13,与Si3N4陶瓷球摩擦时膜很快就磨穿。
- 魏同波王军喜李晋闽刘喆段瑞飞
- 关键词：GANMOCVD形貌机械性能
- HVPE生长GaN厚膜的结构和光学性能(英文)
- 2007年
- 采用自制的立式HVPE设备,在GaN/蓝宝石复合衬底上生长了GaN厚外延膜,利用AFM,SEM,XRD,RBS/Channeling,CL,PL以及XPS等技术分析了厚膜的结构和光学性能.结果表明,外延层表面具有台阶结构,接近以层流生长方式二维生长,一些六角形的坑出现在膜表面,坑区具有很强的发光.腐蚀试验显示EPD仅8×106cm-2;XRD和RBS/channeling表明GaN膜具有较好的晶体质量;PL结果也证明外延层具有高的质量,出现了尖锐的带边峰,半高宽仅67meV,同时出现了黄带和红外带,这些带的出现可能是由本征缺陷和C,O等杂质引起的.
- 魏同波马平段瑞飞王军喜李晋闽刘喆林郭强曾一平
- 关键词：氮化镓氢化物气相外延
- 在复合衬底γ-Al_2O_3/Si(001)上生长GaN被引量：1
- 2005年
- 采用分子束外延(MBE)生长方法,使用γAl2O3材料作为新型过渡层,在Si(001)衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层,实验结果表明使用γAl2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力.通过生长并测试分析几种不同结构的外延材料,研究了复合衬底γAl2O3/Si(001)生长GaN情况,得到了六方相GaN单晶材料,实现了GaNc面生长.预铺薄层Al及高温AlN层可以提高GaN晶体质量,低温AlN缓冲层可以改善GaN表面的粗糙度.为解决Si(001)衬底上GaN的生长问题提供了有益的探索.
- 刘喆王军喜李晋闽刘宏新王启元王俊张南红肖红领王晓亮曾一平
- 关键词：GANMBEΓ-AL2O3缓冲层
