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教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-4-0896)

作品数:1 被引量:10H指数:1
相关作者:杨鹏吴志明吕坚蒋亚东更多>>
相关机构:电子科技大学更多>>
发文基金:教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准电压
  • 1篇带隙基准电压...
  • 1篇带隙基准源
  • 1篇低压CMOS
  • 1篇温度补偿
  • 1篇基准电压
  • 1篇基准电压源
  • 1篇基准源
  • 1篇CMOS

机构

  • 1篇电子科技大学

作者

  • 1篇蒋亚东
  • 1篇吕坚
  • 1篇吴志明
  • 1篇杨鹏

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2007
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
一种二阶补偿的低压CMOS带隙基准电压源被引量:10
2007年
设计了一种利用不同材料电阻的比值随温度变化的特性进行二阶补偿的低压带隙基准电压源。通过温度补偿电阻进行电平平移,提高运放的共模输入范围,以降低运放对电源电压的限制。仿真结果表明,该电路输出电压为1.165 V,在-40~125℃范围内,温度系数为4.5 ppm/℃,电源抑制比达到60.6 dB。电路工作在1.5 V的电源电压下,最大消耗15μA电源电流。
杨鹏吴志明吕坚蒋亚东
关键词:CMOS带隙基准源温度补偿
共1页<1>
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