国家高技术研究发展计划(2005AA121193)
- 作品数：8 被引量：46H指数：6
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- 手机用TFT-LCD驱动控制芯片电源模块设计被引量：9
- 2006年
- 电源模块是TFT-LCD驱动控制芯片内置模拟电路的一个重要组成部分,其性能直接影响着芯片的功耗以及彩屏手机的显示画质。文章从TFT-LCD的驱动原理出发,提出了一种低功耗、易调节的电源模块设计思想,所产生的电压值可实现编程控制。用Hspice对采用0.25μmCMOS工艺设计的电路进行仿真表明,系统在启动200ms后能够生成稳定、正确的驱动电源电压,其静态功耗小于2mW。
- 丁行波魏廷存张萌刘斯琳
- 关键词：驱动芯片模拟电路电源模块
- 手机用TFT-LCD Source Driver电路模块研究与设计被引量：14
- 2006年
- SourceDriver电路模块是彩色TFT-LCD驱动控制芯片的关键电路之一,其功能是将数字图像显示数据转换成模拟驱动电压,从而驱动TFT-LCD显示各种彩色图像。本文从TFT-LCD的驱动原理出发,提出了一种适合于手机用TFT-LCD的低功耗、小面积的SourceDriver电路体系结构,用0.25μmCMOS工艺设计并实现了显示26万(26×26×26)色,支持132RGB×176分辨率的手机用TFT-LCD驱动控制芯片中的SourceDriver电路,电路面积约15mm×0.6mm。Hspice仿真结果表明,SourceDriver电路的响应时间为1.49μs,静态功耗小于1mW。
- 高武魏廷存张萌李丹
- 关键词：SOURCEDRIVERHSPICE仿真
- 单片集成TFT-LCD驱动芯片内置SRAM验证技术研究被引量：8
- 2008年
- 介绍了TFT-LCD驱动芯片内置SRAM验证方法:(1)采用模拟验证和形式验证相结合的前端设计验证方法,完成各模块的功能验证及整个SRAM的功能和时序验证。模拟验证技术,利用模拟工具对被测试模块施加测试激励信号,检查输出信号是否符合预期要求;模拟方法可以同时检查被测试模块的功能及时序方面的响应情况,能够全面体现电路的行为。形式验证技术,在集成电路设计中,是通过算法的手段进行等价性检查,比较两种设计之间的功能等价性。(2)采用结构化抽取寄生参数和建立关键路径的方法,完成SRAM性能的评估,即后端设计验证。并且用具体实例详细描述了以上方法在电路仿真验证中的应用,并给出了部分电路结构及仿真结果,进一步论述了该方法的可行性及实用性。
- 梁茂魏廷存魏晓敏李博
- 关键词：TFT-LCD
- 手机用TFT-LCD驱动控制芯片的测试电路结构设计被引量：10
- 2006年
- 文章从分析手机用TFT-LCD驱动控制芯片的测试需求和芯片结构出发,提出了一种针对该芯片的测试电路结构设计方案。该方案采用多条扫描链对芯片内的多个异构的模块进行隔离,保证了各个模块有较高的测试独立性。考虑到内置SRAM的特殊性,采用边界扫描方式进行测试,提高了测试的灵活性,减少了测试电路的面积。电平敏化扫描链的引入,大大提高了SourceDriver测试的可控制性。该方案支持手机用TFT-LCD驱动控制芯片的常规以及特殊项目的测试。
- 李博魏廷存樊晓桠
- 关键词：测试电路
- 手机用TFT-LCD驱动芯片内置SRAM的研究与设计被引量：12
- 2006年
- 内置单端口SRAM是单片集成的TFT-LCD驱动控制电路芯片中的重要模块,主要功能是存储CPU送来的一帧画面的显示图像数据以及输出数据到显示单元,其主要性能指标是存储速度和消耗功率。文章讨论了内置SRAM的分块存储结构,阐述了SRAM存储单元的设计方法。在预充电路的设计中采用了分块预充机制,既节省了功耗又保证了预充时间,同时提出了预充时位线电荷再利用设计方案,使得预充电功耗降低了1/2左右。采用0.25μmCMOS工艺设计并实现了TFT-LCD驱动控制电路芯片中的SRAM模块,其容量为418kbits。NanoSim仿真结果表明,SRAM存储单元的读写时间小于8ns,当访存时钟频率为3.8MHz时,静态功耗为0.9mW,动态功耗小于3mW。
- 岳帮辉魏廷存樊晓桠
- 手机用TFT彩色液晶显示驱动芯片的可配置接口电路设计被引量：8
- 2006年
- TFT彩色液晶显示驱动芯片的接口电路是手机主机与其显示驱动芯片之间数据通讯的桥梁。常用的接口类型主要有68、80和SPI三种,它们的动作时序与所用信号线各不相同。文章首先分析了这三种接口类型的读写时序,在此基础上提出了与这三种数据格式相兼容的可配置异步接口电路的设计方案,并给出相对应的验证结果及其在0.25μmCMOS工艺库下的综合结果。
- 李瑛魏廷存张盛兵张萌
- 关键词：异步电路接口设计可配置
- 单片集成TFT-LCD手机驱动芯片内置稳压器的设计
- 2008年
- 研究并设计了一种用于单片集成TFT-LCD手机驱动芯片的稳压器电路,该电路产生恒定的直流电压(1.8V)给芯片内的逻辑控制电路和GRAM提供工作电源。在详细分析带隙基准电路和LDO电路的基础上,提出了一种负载调整率低、稳定性能好、温度系数小以及低功耗的稳压器电路解决方案。通过对采用0.18μm CMOS中压工艺设计的电路进行Hspice仿真表明,负载调整率为1.1%,负载电流突变时的稳定时间小于5μs,温度系数6.5ppm/℃,静态功耗小于0.04mW,均满足设计要求。
- 陈升魏廷存樊晓桠
- 关键词：TFT-LCD驱动芯片带隙基准LDO
- TFT-LCD驱动控制芯片内置SRAM的自测试设计被引量：2
- 2007年
- 针对单片集成TFT-LCD驱动控制芯片内置SRAM的特点,提出了一种将内建自测试与机台测试相结合的SRAM测试方案。测试向量由机台提供,测试过程中启动内部自测试电路。在SRAM的读出寄存器和写入寄存器之间建立一条通路,测试向量通过这条通路在SRAM单元之间传递,形成了一个长的移位链,读出数据送给比较器检测。与传统自测试结构相比,该方案面积开销小,灵活性高。
- 王继红魏廷存李博
- 关键词：薄膜晶体管液晶显示器内建自测试
